SiC solide CVD de haute pureté en vrac

Image principale du SiC solide CVD de haute pureté

Brève description :

La croissance rapide de monocristaux de SiC par dépôt chimique en phase vapeur (CVD-SiC) est une méthode courante pour la préparation de matériaux monocristallins de SiC de haute qualité. Ces monocristaux peuvent être utilisés dans diverses applications, notamment les dispositifs électroniques de forte puissance, les dispositifs optoélectroniques, les capteurs et les semi-conducteurs.

Envoyez-nous un e-mail Télécharger en PDF

Détails du produit

Étiquettes de produit

VET Energy utilise une pureté ultra élevéecarbure de silicium (SiC)formé par dépôt chimique en phase vapeur(MCV)comme matière première pour la culturecristaux de SiCpar transport physique de vapeur (PVT). Dans le PVT, le matériau source est chargé dans uncreusetet sublimé sur un cristal germe.

Une source de haute pureté est nécessaire pour fabriquer des produits de haute qualité.cristaux de SiC.

VET Energy est spécialisé dans la fourniture de SiC à grosses particules pour le PVT, car sa densité est supérieure à celle des matériaux à petites particules formés par combustion spontanée de gaz contenant du Si et du C. Contrairement au frittage en phase solide ou à la réaction du Si et du C, il ne nécessite pas de four de frittage dédié ni d'étape de frittage fastidieuse dans un four de croissance. Ce matériau à grosses particules présente un taux d'évaporation quasi constant, ce qui améliore l'uniformité d'une production à l'autre.

Introduction:
1. Préparation d'une source de bloc CVD-SiC : Il faut d'abord préparer une source de bloc CVD-SiC de haute qualité, généralement de grande pureté et de haute densité. Celle-ci peut être préparée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) dans des conditions de réaction appropriées.

2. Préparation du substrat : Sélectionner un substrat approprié pour la croissance du monocristal de SiC. Les matériaux de substrat couramment utilisés sont le carbure de silicium, le nitrure de silicium, etc., qui conviennent parfaitement au monocristal de SiC en croissance.

3. Chauffage et sublimation : Placer le bloc source CVD-SiC et le substrat dans un four à haute température et assurer les conditions de sublimation appropriées. La sublimation signifie qu'à haute température, le bloc source passe directement de l'état solide à l'état vapeur, puis se recondense à la surface du substrat pour former un monocristal.

4. Contrôle de la température : Pendant le processus de sublimation, le gradient et la distribution de température doivent être contrôlés avec précision pour favoriser la sublimation du bloc source et la croissance des monocristaux. Un contrôle approprié de la température permet d'obtenir une qualité cristalline et un taux de croissance idéaux.

5. Contrôle de l'atmosphère : Pendant le processus de sublimation, l'atmosphère de réaction doit également être contrôlée. Un gaz inerte de haute pureté (tel que l'argon) est généralement utilisé comme gaz vecteur pour maintenir une pression et une pureté appropriées et éviter la contamination par des impuretés.

6. Croissance monocristalline : La source de blocs CVD-SiC subit une transition en phase vapeur lors du processus de sublimation et se recondense à la surface du substrat pour former une structure monocristalline. Une croissance rapide de monocristaux de SiC peut être obtenue grâce à des conditions de sublimation appropriées et à un contrôle du gradient de température.