Pá de cantilever de SiC avançada para processamento de wafers

Descrição resumida:

A pá cantilever avançada de SiC para processamento de wafers, lançada pela vet-china, utiliza materiais de SiC de alta tecnologia para melhorar a eficiência e a precisão do processamento de wafers. A pá cantilever da vet-china apresenta excelente resistência ao calor e à corrosão, garantindo um desempenho estável no manuseio de wafers em ambientes de fabricação severos, tornando-a a escolha ideal para aumentar o rendimento da produção.

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O AvançadoPá cantilever de SiCA solução para processamento de wafers criada pela vet-china oferece uma excelente opção para a fabricação de semicondutores. Esta pá cantilever é feita de SiC (carboneto de silício), e sua alta dureza e resistência ao calor permitem que ela mantenha um excelente desempenho em ambientes corrosivos e de alta temperatura. O design da pá cantilever permite que o wafer seja suportado de forma confiável durante o processamento, reduzindo o risco de fragmentação e danos.

Pá cantilever de SiCÉ um componente especializado usado em equipamentos de fabricação de semicondutores, como fornos de oxidação, fornos de difusão e fornos de recozimento. Sua principal função é carregar e descarregar wafers, além de suportá-los e transportá-los durante processos de alta temperatura.

Estruturas comunsdeSiCcantialavancapconfuso: Uma estrutura em balanço, fixa em uma extremidade e livre na outra, normalmente tem um formato plano e semelhante a uma pá.

A VET Energy utiliza materiais de carbeto de silício recristalizado de alta pureza para garantir a qualidade.

Propriedades físicas do carbeto de silício recristalizado
Propriedade	Valor típico
Temperatura de trabalho (°C)	1600°C (com oxigênio), 1700°C (ambiente redutor)
teor de SiC	> 99,96%
Conteúdo Si gratuito	< 0,1%
densidade aparente	2,60-2,70 g/cm³
Porosidade aparente	< 16%
resistência à compressão	> 600MPa
resistência à flexão a frio	80-90 MPa (20°C)
resistência à flexão a quente	90-100 MPa (1400°C)
Expansão térmica a 1500°C	4,70 10^-6/°C
Condutividade térmica a 1200°C	23W/m•K
Módulo de elasticidade	240 GPa
Resistência ao choque térmico	Extremamente bom