Àwọn Tó Tẹ̀síwájúSiC Cantilever Paddlefún Ṣíṣe Wafer Processing tí vet-china dá sílẹ̀ pèsè ojútùú tó dára fún iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor. A fi ohun èlò SiC (silicon carbide) ṣe cantilever paddle yìí, àti pé líle rẹ̀ àti agbára rẹ̀ tó ga jù àti agbára ooru mú kí ó lè máa ṣiṣẹ́ dáadáa ní àwọn àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù àti ìbàjẹ́. Apẹẹrẹ Cantilever Paddle ń jẹ́ kí a lè fi ìdúróṣinṣin gbé wafer náà nígbà tí a bá ń ṣe é, èyí sì ń dín ewu ìfọ́ àti ìbàjẹ́ kù.
SiC Cantilever Paddlejẹ́ ẹ̀ka pàtàkì kan tí a ń lò nínú àwọn ohun èlò ìṣelọ́pọ́ semiconductor bíi oxidation inura, diffusion inura, àti annealing inura, lílò pàtàkì ni fún gbígbé wafer àti ṣíṣàkójọ, ìtìlẹ́yìn àti gbígbé wafers nígbà àwọn iṣẹ́ igbóná gíga.
Àwọn ilé tó wọ́pọ̀tiSiCcantileverpaddle: Ilé ìtọ́jú cantilever kan, tí a so mọ́ ìpẹ̀kun kan tí ó sì wà ní òfo ní ìpẹ̀kun kejì, sábà máa ń ní àwòrán tí ó tẹ́jú tí ó sì dàbí pádì.
Agbara VET lo awọn ohun elo silikoni carbide ti a tun ṣe atunṣe lati ṣe idaniloju didara rẹ.
| Àwọn ohun ìní ti ara ti Atunlo Silikoni Carbide | |
| Ohun ìní | Iye deedee |
| Iwọn otutu iṣiṣẹ (°C) | 1600°C (pẹ̀lú atẹ́gùn), 1700°C (àyíká tó ń dínkù) |
| Àkóónú SiC | > 99.96% |
| Akoonu Si ọfẹ | < 0.1% |
| Ìwọ̀n púpọ̀ | 2.60-2.70 g/cm3 |
| Àwọn ihò tó hàn gbangba | < 16% |
| Agbára ìfúnpọ̀ | > 600MPA |
| Agbára títẹ̀ tútù | 80-90 MPa (20°C) |
| Agbara titẹ gbigbona | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ìfàsẹ́yìn ooru @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Ìlànà ìgbóná ooru @1200°C | 23W/m•K |
| Mọ́dúlùsì onírọ̀rùn | 240 GPA |
| Agbara mọnamọna gbona | O dara pupọ |
Àwọn àǹfààní ti Advanced SiC Cantilever Paddle ti VET Energy fún Ṣíṣe Wafer Processing ni:
-Iduroṣinṣin iwọn otutu giga: lilo ni awọn agbegbe ti o ju 1600°C lọ;
-Iwọn imugboro ooru kekere: n ṣetọju iduroṣinṣin iwọn, idinku eewu ogun oju-iwe wafer;
-Iwa mimọ giga: eewu kekere ti idoti irin;
-Ailera kemikali: o le da ipata duro, o dara fun orisirisi awọn agbegbe gaasi;
-Agbara giga ati lile: Iduro-ailewu, igbesi aye iṣẹ pipẹ;
-Iwadi ooru to dara: o ṣe iranlọwọ ninu itutu wafer ti o baamu.
