Suscettore epitassiale di barile di grafite Epi

Suscettore epitassiale di barile di grafite Epi

Suscettore epitassiale di barile di grafite Epihè un dispusitivu di supportu è di riscaldamentu apposta cuncipitu per mantene è riscaldà i sustrati semiconduttori durante i prucessi di fabricazione cum'è i prucessi di deposizione o d'epitassia.

A so struttura include tipicamente una superficia cilindrica o ligeramente in forma di botte, cù parechje tasche o piattaforme per piazzà e cialde, pò esse di cuncepimentu solidu o cavu, secondu u metudu di riscaldamentu.

E funzioni principali di u suscettore di canna epitassiale:

1. Porta-cialda è cuntrollu di a temperatura
A superficia di u suscettore hè cuncipita cù parechje tasche di wafer (cum'è una disposizione esagonale o ottagonale), chì ponu supportà 6-15 wafer simultaneamente. L'alta conducibilità termica di a grafite d'alta purità (120-150W/mK) assicura un trasferimentu di calore rapidu, cumminata cù a funzione di rotazione (5-20 RPM), risultendu in una deviazione di a temperatura di a superficia di u wafer di <± 1 ℃ è una uniformità di u spessore di u stratu epitassiale di <1%.

2. Ottimizazione di a direzzione di u flussu di gas reagente
A microstruttura di a superficia di u suscettore pò rompe l'effettu di u stratu limite, permettendu una distribuzione uniforme di i gasi di reazione (cum'è SiH4, NH3) è migliurendu a cunsistenza di a velocità di deposizione.

3. Prutezzione anti-inquinamentu è anticorrosione
I sustrati di grafite sò propensi à a decomposizione è liberanu impurità metalliche (cum'è Fe, Ni) à alte temperature, mentre chì un rivestimentu CVD SiC di 100 μm di spessore pò furmà una barriera densa per supprime a volatilizazione di a grafite, risultendu in un tassu di difetti di wafer di <0,1 difetti/cm².

Applicazioni:
-Principalmente adupratu per a crescita epitassiale di u siliciu
-Applicabile ancu per l'epitaxia di altri materiali semiconduttori cum'è GaAs, InP, ecc.

VET Energy usa grafite d'alta purezza cù rivestimentu CVD-SiC per migliurà a stabilità chimica:

1. Materiale di grafite d'alta purezza
Alta conducibilità termica: a conducibilità termica di a grafite hè trè volte quella di u siliciu, chì pò trasferisce rapidamente u calore da a fonte di riscaldamentu à a cialda è accurtà u tempu di riscaldamentu.
Resistenza meccanica: Densità di grafite à pressione isostatica ≥ 1,85 g/cm³, capace di resiste à temperature elevate sopra à 1200 ℃ senza deformazione.

2. Rivestimentu CVD SiC
Un stratu di β-SiC hè furmatu nantu à a superficia di a grafite per deposizione chimica di vapore (CVD), cù una purezza di ≥ 99,99995%, l'errore di uniformità di u spessore di u rivestimentu hè menu di ± 5%, è a rugosità di a superficia hè menu di Ra0,5um.

3. Migliuramentu di e prestazioni:
Resistenza à a corrosione: pò suppurtà gas altamente corrosivi cum'è Cl2, HCl, ecc., pò allargà a durata di vita di l'epitassia di GaN di trè volte in l'ambiente NH3.
Stabilità termica: U coefficientu di dilatazione termica (4,5 × 10-6/℃) currisponde à a grafite per evità a frattura di u rivestimentu causata da e fluttuazioni di temperatura.
Durezza è resistenza à l'usura: A durezza Vickers righjunghje 28 GPa, chì hè 10 volte più alta chè a grafite è pò riduce u risicu di graffi di u wafer.