Wafer-Suszeptor mit TaC-Beschichtung für G5 G10

Der von VET Energy eigenständig entwickelte CVD-Tantalcarbid-(TaC)-Beschichtungswafersuszeptor ist für harte Arbeitsbedingungen ausgelegt, beispielsweise in der Halbleiterherstellung, beim epitaktischen Waferwachstum von LEDs (MOCVD), in Kristallzüchtungsöfen, bei Hochtemperatur-Vakuumwärmebehandlungen usw. Durch die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) wird auf der Oberfläche des Graphitsubstrats eine dichte und gleichmäßige Tantalcarbidbeschichtung gebildet, die dem Tablett eine ultrahohe Temperaturstabilität (> 3000 °C), Beständigkeit gegen Korrosion durch geschmolzenes Metall, Thermoschockbeständigkeit und geringe Verschmutzung verleiht und so die Lebensdauer deutlich verlängert.

Unsere technischen Vorteile:
1. Ultrahohe Temperaturstabilität.
Schmelzpunkt 3880 °C: Die Beschichtung aus Tantalkarbid kann kontinuierlich und stabil über 2500 °C betrieben werden und liegt damit weit über der Zersetzungstemperatur von 1200–1400 °C herkömmlicher Beschichtungen aus Siliziumkarbid (SiC).
Thermoschockbeständigkeit: Der Wärmeausdehnungskoeffizient der Beschichtung entspricht dem des Graphitsubstrats (6,6 × 10 -6 /K) und kann schnellen Temperaturanstiegs- und -abfallzyklen mit einem Temperaturunterschied von mehr als 1000 °C standhalten, ohne dass es zu Rissen oder Ablösungen kommt.
Mechanische Eigenschaften bei hohen Temperaturen: Die Härte der Beschichtung erreicht 2000 HK (Vickershärte) und der Elastizitätsmodul beträgt 537 GPa, und auch bei hohen Temperaturen bleibt die ausgezeichnete strukturelle Festigkeit erhalten.

2. Extrem korrosionsbeständig, um Prozessreinheit zu gewährleisten
Hervorragende Beständigkeit: Es weist eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber korrosiven Gasen wie H₂, NH₃, SiH₄, HCl und geschmolzenen Metallen (z. B. Si, Ga) auf, isoliert das Graphitsubstrat vollständig von der reaktiven Umgebung und vermeidet eine Kohlenstoffverunreinigung.
Geringe Verunreinigungsmigration: Ultrahohe Reinheit, verhindert wirksam die Migration von Stickstoff, Sauerstoff und anderen Verunreinigungen in die Kristall- oder Epitaxieschicht und reduziert die Defektrate von Mikroröhren um mehr als 50 %.

3. Präzision auf Nanoebene zur Verbesserung der Prozesskonsistenz
Gleichmäßigkeit der Beschichtung: Dickentoleranz ≤±5 %, Oberflächenebenheit erreicht den Nanometerbereich, wodurch eine hohe Konsistenz der Wafer- oder Kristallwachstumsparameter gewährleistet wird, thermischer Gleichmäßigkeitsfehler <1 %.
Maßgenauigkeit: Unterstützt eine Toleranzanpassung von ±0,05 mm, passt sich an Wafer von 4 bis 12 Zoll an und erfüllt die Anforderungen hochpräziser Geräteschnittstellen.

4. Langlebig und haltbar, wodurch die Gesamtkosten gesenkt werden
Bindungsstärke: Die Bindungsstärke zwischen der Beschichtung und dem Graphitsubstrat beträgt ≥5 MPa, ist beständig gegen Erosion und Verschleiß und die Lebensdauer wird um mehr als das Dreifache verlängert.

Maschinenkompatibilität
Geeignet für gängige Epitaxie- und Kristallwachstumsgeräte wie CVD, MOCVD, ALD, LPE usw., einschließlich SiC-Kristallwachstum (PVT-Methode), GaN-Epitaxie, AlN-Substratvorbereitung und anderen Szenarien.
Wir bieten eine Vielzahl von Suszeptorformen wie flach, konkav, konvex usw. an. Die Dicke (5–50 mm) und die Anordnung der Positionierungslöcher können entsprechend der Hohlraumstruktur angepasst werden, um eine nahtlose Kompatibilität mit dem Gerät zu erreichen.

Hauptanwendungen:
SiC-Kristallwachstum: Bei der PVT-Methode kann die Beschichtung die thermische Feldverteilung optimieren, Randdefekte reduzieren und die effektive Wachstumsfläche des Kristalls auf über 95 % erhöhen.
GaN-Epitaxie: Beim MOCVD-Prozess beträgt der thermische Gleichmäßigkeitsfehler des Suszeptors <1 % und die Konsistenz der Dicke der epitaktischen Schicht erreicht ±2 %.
Vorbereitung des AlN-Substrats: Bei der Aminierungsreaktion bei hohen Temperaturen (> 2000 °C) kann die TaC-Beschichtung das Graphitsubstrat vollständig isolieren, eine Kohlenstoffverunreinigung vermeiden und die Reinheit des AlN-Kristalls verbessern.