Fasssuszeptorist eine Kernkomponente in epitaktischen Halbleiter-Wachstumsprozessen wie MOCVD, MBE und CVD. Es wird hauptsächlich zum Transport von Wafern in Hochtemperatur-Reaktionskammern verwendet und sorgt für eine gleichmäßige und stabile thermische Feldumgebung, um die präzise Abscheidung epitaktischer Schichten (wie GaN, SiC usw.) zu gewährleisten. Seine Hauptfunktion besteht darin, durch präzise thermische Feldsteuerung eine hohe Gleichmäßigkeit der Waferoberflächentemperatur zu erreichen und so die Gleichmäßigkeit von Dicke, Dotierungskonzentration und Kristallstruktur epitaktischer Dünnschichten sicherzustellen.
Wir nutzen unsere patentierte Technologie, um dieFasssuszeptormit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.
VET Energy verwendet hochreinen Graphit mit CVD-SiC-Beschichtung, um die chemische Stabilität zu verbessern:
1. Hochreines Graphitmaterial
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von Graphit ist dreimal so hoch wie die von Silizium, wodurch die Wärme schnell von der Heizquelle auf den Wafer übertragen und die Heizzeit verkürzt werden kann.
Mechanische Festigkeit: Graphitdichte bei isostatischem Druck ≥ 1,85 g/cm³, hält hohen Temperaturen über 1200 °C ohne Verformung stand.
2. CVD-SiC-Beschichtung
Durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) wird auf der Graphitoberfläche eine β-SiC-Schicht mit einer Reinheit von ≥ 99,99995 % gebildet, der Gleichmäßigkeitsfehler der Beschichtungsdicke beträgt weniger als ± 5 % und die Oberflächenrauheit liegt unter Ra 0,5 µm.
3. Leistungsverbesserung:
Korrosionsbeständigkeit: Hält stark korrosiven Gasen wie Cl2, HCl usw. stand und kann die Lebensdauer der GaN-Epitaxie in einer NH3-Umgebung um das Dreifache verlängern.
Thermische Stabilität: Der Wärmeausdehnungskoeffizient (4,5 × 10-6/℃) entspricht dem von Graphit, um eine Rissbildung in der Beschichtung durch Temperaturschwankungen zu vermeiden.
Härte und Verschleißfestigkeit: Die Vickers-Härte erreicht 28 GPa, ist also 10-mal höher als bei Graphit und kann das Risiko von Waferkratzern verringern.
| Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2 bis 10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Entwicklung und Produktion von hochmodernen High-End-Werkstoffen konzentriert. Zu den Werkstoffen und Technologien zählen Graphit, Siliziumkarbid, Keramik, Oberflächenbehandlungen wie SiC-Beschichtungen, TaC-Beschichtungen, Glaskohlenstoffbeschichtungen, pyrolytische Kohlenstoffbeschichtungen usw. Diese Produkte finden breite Anwendung in der Photovoltaik, Halbleiterindustrie, neuen Energien, Metallurgie usw.
Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und hat mehrere patentierte Technologien entwickelt, um die Leistung und Qualität der Produkte sicherzustellen. Darüber hinaus können wir unseren Kunden professionelle Materiallösungen bieten.
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