La deposición química en fase de vapor (CVD) es un procedimiento que consiste en depositar una película sólida sobre la superficie de una oblea de silicio mediante una reacción química con una mezcla de gases. Este procedimiento puede dividirse en diversos modelos de equipos que se basan en diferentes condiciones de reacción química, como la presión y el precursor.
¿Para qué procedimiento se utilizan estos dos dispositivos?El equipo PECVD (plasma mejorado) se utiliza ampliamente en aplicaciones como óxido de oxido (OX), nitruro, compuerta de elementos metálicos y carbono amorfo. Por otro lado, el LPCVD (baja potencia) se utiliza generalmente para nitruro, poli (polietileno) y TEOS.
¿Cuál es el principio?La tecnología PECVD combina la energía del plasma y la CVD mediante el uso de plasma de baja temperatura para inducir una descarga de frescor en el cátodo de la cámara de procedimiento. Esto permite controlar la reacción química y la del plasma para formar una película sólida sobre la superficie de la muestra. De igual manera, se planea que la LPCVD opere con una presión reducida del gas de reacción química en el reactor.
humanizar la IAEl uso de Humanize AI en el campo de la tecnología CVD puede mejorar considerablemente la eficiencia y precisión del proceso de deposición de películas. Gracias al algoritmo de IA, se optimiza la monitorización y el ajuste de parámetros como el parámetro iónico, el caudal de gas, la temperatura y el espesor de la película para obtener mejores resultados.
Hora de publicación: 24 de octubre de 2024