တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ဆီလီကွန်၏ အပူဓာတ်တိုးခြင်း

ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖွဲ့စည်းခြင်းကို အောက်ဆီဒင့်ဟုခေါ်ပြီး တည်ငြိမ်ပြီး ခိုင်မာစွာကပ်ငြိနေသော ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖန်တီးခြင်းသည် ဆီလီကွန်ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းပြားနည်းပညာကို မွေးဖွားစေခဲ့သည်။ ဆီလီကွန်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို တိုက်ရိုက်စိုက်ပျိုးရန် နည်းလမ်းများစွာရှိသော်လည်း၊ ၎င်းကို အပူဓာတ်တိုးခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်လေ့ရှိပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ ဆီလီကွန်ကို မြင့်မားသောအပူချိန်ရှိသော အောက်ဆီဂျင်၊ ရေတွင် ထိတွေ့စေခြင်းဖြစ်သည်။ အပူဓာတ်တိုးနည်းလမ်းများသည် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်များပြင်ဆင်နေစဉ်အတွင်း ဖလင်အထူနှင့် ဆီလီကွန်/ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်မျက်နှာပြင်ဝိသေသလက္ခဏာများကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်စိုက်ပျိုးရန် အခြားနည်းစနစ်များမှာ plasma anodization နှင့် wet anodization တို့ဖြစ်သော်လည်း ဤနည်းစနစ်နှစ်ခုလုံးကို VLSI လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့ခြင်းမရှိပါ။

ဆီလီကွန်သည် တည်ငြိမ်သော ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို ဖွဲ့စည်းရန် သဘောထားရှိသည်။ အသစ်ကွဲနေသော ဆီလီကွန်သည် အောက်ဆီဂျင်၊ ရေကဲ့သို့သော အောက်ဆီဂျင်ဓာတ်တိုးပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ထိတွေ့ပါက အခန်းအပူချိန်တွင်ပင် အလွန်ပါးလွှာသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာ (<20Å) ဖြစ်ပေါ်လိမ့်မည်။ ဆီလီကွန်သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အောက်ဆိုဒ်ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ထိတွေ့သောအခါ ပိုထူသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ပိုမိုမြန်ဆန်သောနှုန်းဖြင့် ထုတ်ပေးလိမ့်မည်။ ဆီလီကွန်မှ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖွဲ့စည်းခြင်း၏ အခြေခံယန္တရားကို ကောင်းစွာနားလည်ထားသည်။ Deal နှင့် Grove တို့သည် 300Å ထက်ထူသော အောက်ဆိုဒ်အလွှာများ၏ ကြီးထွားမှုဒိုင်းနမစ်ကို တိကျစွာဖော်ပြသည့် သင်္ချာပုံစံတစ်ခုကို တီထွင်ခဲ့ကြသည်။ ၎င်းတို့သည် အောက်ဆိုဒ်ဓာတ်တိုးခြင်းကို အောက်ပါနည်းလမ်းဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်ဟု အဆိုပြုခဲ့သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ အောက်ဆိုဒ်ဓာတ်တိုးခြင်း (ရေမော်လီကျူးများနှင့် အောက်ဆီဂျင်မော်လီကျူးများ) သည် ရှိပြီးသားအောက်ဆိုဒ်အလွှာမှတစ်ဆင့် Si/SiO2 မျက်နှာပြင်သို့ ပျံ့နှံ့သွားပြီး အောက်ဆိုဒ်ဓာတ်တိုးခြင်းသည် ဆီလီကွန်နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကို ဖွဲ့စည်းသည်။ ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ဖွဲ့စည်းရန် အဓိကဓာတ်ပြုမှုကို အောက်ပါအတိုင်းဖော်ပြထားသည်-

အောက်ဆီဒေးရှင်းဓာတ်ပြုမှုသည် Si/SiO2 မျက်နှာပြင်တွင် ဖြစ်ပေါ်သောကြောင့် အောက်ဆိုဒ်အလွှာ ကြီးထွားလာသောအခါ ဆီလီကွန်သည် အဆက်မပြတ် စားသုံးခံရပြီး မျက်နှာပြင်သည် ဆီလီကွန်သို့ တဖြည်းဖြည်း ကျူးကျော်ဝင်ရောက်လာသည်။ ဆီလီကွန်နှင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်တို့၏ သက်ဆိုင်ရာသိပ်သည်းဆနှင့် မော်လီကျူးအလေးချိန်အရ နောက်ဆုံးအောက်ဆိုဒ်အလွှာ၏ အထူအတွက် စားသုံးသော ဆီလီကွန်သည် ၄၄% ရှိကြောင်း တွေ့ရှိနိုင်သည်။ ဤနည်းအားဖြင့် အောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် ၁၀,၀၀၀Å ကြီးထွားလာပါက ဆီလီကွန် ၄၄၀၀Å စားသုံးခံရမည်ဖြစ်သည်။ ဤဆက်နွယ်မှုသည် ပေါ်တွင်ဖွဲ့စည်းထားသော အဆင့်များ၏ အမြင့်ကို တွက်ချက်ရာတွင် အရေးကြီးပါသည်။ဆီလီကွန် ဝေဖာ။ အဆင့်များသည် ဆီလီကွန်ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ မတူညီသောနေရာများတွင် မတူညီသော အောက်ဆီဒေးရှင်းနှုန်းများ၏ ရလဒ်ဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် အောက်ဆီဒေးရှင်း၊ ပျံ့နှံ့မှုနှင့် အပူပေးခြင်းကဲ့သို့သော wafer လုပ်ဆောင်မှုများ၌ ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထုတ်ကုန်များကိုလည်း ထောက်ပံ့ပေးပါသည်။

ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းမှ မည်သည့်ဖောက်သည်မဆို နောက်ထပ်ဆွေးနွေးမှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ လာရောက်လည်ပတ်ရန် ကြိုဆိုပါတယ်။

https://www.vet-china.com/