O le fausiaina o le silicon dioxide i luga o le silicon e ta'ua o le oxidation, ma o le fausiaina o le silicon dioxide e mautu ma pipii malosi na mafua ai ona fanau mai le tekonolosi planar o le silicon integrated circuit. E ui e tele auala e fa'atupuina ai le silicon dioxide sa'o i luga o le silicon, ae e masani ona faia e ala i le thermal oxidation, o le fa'aalia lea o le silicon i se siosiomaga fa'a'okesene maualuga le vevela (okesene, vai). O metotia fa'a'okesene vevela e mafai ona pulea ai le mafiafia o le ata tifaga ma uiga o le silicon/silicon dioxide i le taimi o le sauniaina o ata tifaga silicon dioxide. O isi metotia mo le fa'atupuina o le silicon dioxide o le plasma anodization ma le wet anodization, ae e leai se tasi o nei metotia na fa'aaogaina lautele i faiga VLSI.
O le Silicon e faaalia ai se uiga e fausia ai le silicon dioxide mautu. Afai e faʻaalia le silicon fou ua tipiina i se siosiomaga faʻaʻoksizeni (e pei o le okesene, vai), o le a fausia ai se vaega oxide manifinifi (<20Å) e tusa lava pe i le vevela o le potu. A faʻaalia le silicon i se siosiomaga faʻaʻoksizeni i le vevela maualuga, o le a vave ona gaosia se vaega oxide mafiafia. O le faiga autu o le fausiaina o le silicon dioxide mai le silicon ua malamalama lelei i ai. Na atiaʻe e Deal ma Grove se faʻataʻitaʻiga faʻamatematika e faʻamatalaina saʻo ai le tuputupu aʻe o ata oxide e mafiafia atu i le 300Å. Na latou fautuaina o le faʻaʻoksizeni e faʻatinoina i le auala lenei, o lona uiga, o le oxidant (molecules vai ma molecules okesene) e sosolo atu i le vaega oxide o loʻo iai nei i le Si/SiO2 interface, lea e tali atu ai le oxidant ma le silicon e fausia ai le silicon dioxide. O le tali autu e fausia ai le silicon dioxide e faʻamatalaina e pei ona taua i lalo:
E tupu le tali atu o le oxidation i le va o le Si/SiO2, o lea a tupu le vaega o le oxide, e faʻaauau pea ona faʻaaogaina le silicon ma e faasolosolo malie ona osofaʻia e le va o le silicon le silicon. E tusa ai ma le mafiafia ma le mamafa o le molecular o le silicon ma le silicon dioxide, e mafai ona iloa o le silicon e faʻaaogaina mo le mafiafia o le vaega mulimuli o le oxide e 44%. I lenei auala, afai e tupu le vaega o le oxide i le 10,000Å, o le a faʻaaogaina le 4400Å o le silicon. E taua lenei sootaga mo le fuafuaina o le maualuga o laʻasaga na fausia i luga o leapa silicon. O laasaga o le taunuuga lea o le eseese o fua faatatau o le oxidation i nofoaga eseese i luga o le fogāeleele o le silicon wafer.
Matou te tuʻuina atu foʻi oloa graphite ma silicon carbide e maualuga le mama, lea e faʻaaogaina lautele i le faʻagasologa o le wafer e pei o le oxidation, diffusion, ma le annealing.
Talia soʻo se tagata faʻatau mai le lalolagi atoa e asiasi mai ia i matou mo nisi talanoaga!
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Taimi na lafoina ai: 13-Nov-2024