Lớp phủ SiC graphite MOCVD wafer carrier， Graphite Susceptors choSiC Epitaxy,
Carbon cung cấp chất dễ bị tổn thương, Graphite epitaxy susceptors, Chất nền hỗ trợ than chì, MOCVD Susceptor, SiC Epitaxy, Wafer Susceptors,

Ưu điểm đặc biệt của vật liệu graphite phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng chống hóa chất và tính ổn định nhiệt cao.

Lớp phủ SiC trên chất nền Graphite cho ứng dụng bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết cao và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
CVD SiC hoặc CVI SiC được áp dụng cho Graphite của các bộ phận thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở nhiều độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.

Đặc trưng:
· Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
· Khả năng chống va đập vật lý tuyệt vời
· Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
· Độ tinh khiết cực cao
· Có sẵn trong hình dạng phức tạp
· Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

Ứng dụng:

Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Carbon cung cấp chất dễ bị tổn thươngvà các thành phần graphite cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện tại. Danh mục đầu tư của chúng tôi bao gồm các bộ phận tiếp nhận dạng thùng cho các đơn vị ứng dụng và LPE, các bộ phận tiếp nhận dạng bánh kếp cho các đơn vị LPE, CSD và Gemini, và các bộ phận tiếp nhận dạng tấm đơn cho các đơn vị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp các mối quan hệ đối tác chặt chẽ với các OEM hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.