Susceptor Barrel Ar gyfer LPE Epitaxy Cyfnod Hylif

Susceptor casgen ar gyfer epitaxy LPE cyfnod hylifol

EPI (Epitacsi)yn broses hanfodol wrth gynhyrchu lled-ddargludyddion uwch. Mae'n cynnwys dyddodi haenau tenau o ddeunydd ar swbstrad i greu strwythurau dyfeisiau cymhleth. Defnyddir susceptor baril graffit wedi'i orchuddio â SiC ar gyfer EPI yn gyffredin fel susceptorau mewn adweithyddion EPI oherwydd eu dargludedd thermol rhagorol a'u gwrthwynebiad i dymheredd uchel. GydaGorchudd CVD-SiC, mae'n dod yn fwy gwrthiannol i halogiad, erydiad, a sioc thermol. Mae hyn yn arwain at oes hirach i'r susceptor ac ansawdd ffilm gwell.

Manteision ein susceptor casgen ar gyfer epitacsi cyfnod hylif LPE:
Llai o Halogiad:Mae natur anadweithiol SiC yn atal amhureddau rhag glynu wrth wyneb y susceptor, gan leihau'r risg o halogi'r ffilmiau a adneuwyd.
Gwrthiant Erydiad Cynyddol:Mae SiC yn llawer mwy gwrthiannol i erydiad na graffit confensiynol, gan arwain at oes hirach i'r susceptor.
Sefydlogrwydd Thermol Gwell:Mae gan SiC ddargludedd thermol rhagorol a gall wrthsefyll tymereddau uchel heb ystumio sylweddol.
Ansawdd Ffilm Gwell:Mae'r sefydlogrwydd thermol gwell a'r halogiad llai yn arwain at ffilmiau wedi'u dyddodi o ansawdd uwch gyda gwell unffurfiaeth a rheolaeth trwch.