Barrel Susceptor Para sa Liquid Phase Epitaxy LPE

Barrel susceptor alang sa liquid phase epitaxy LPE

EPI (Epitaxy)usa ka kritikal nga proseso sa paggama sa mga advanced semiconductors. Naglambigit kini sa pagbutang sa nipis nga mga lut-od sa materyal sa usa ka substrate aron makahimo og komplikado nga mga istruktura sa aparato. Ang SiC coated graphite barrel susceptor para sa EPI kasagarang gigamit isip mga susceptor sa mga reactor sa EPI tungod sa ilang maayo kaayo nga thermal conductivity ug resistensya sa taas nga temperatura. Uban saPagtabon sa CVD-SiC, kini mahimong mas makasugakod sa kontaminasyon, erosyon, ug thermal shock. Kini moresulta sa mas taas nga kinabuhi sa susceptor ug mas maayong kalidad sa pelikula.

Mga bentaha sa among barrel susceptor para sa liquid phase epitaxy LPE:
Nakunhuran nga Kontaminasyon:Ang inert nga kinaiya sa SiC nagpugong sa mga hugaw sa pagtapot sa susceptor surface, nga nagpamenos sa risgo sa kontaminasyon sa mga nadeposito nga film.
Nadugangan nga Pagsukol sa Erosyon:Ang SiC mas makasugakod sa erosyon kay sa naandan nga graphite, nga moresulta sa mas taas nga kinabuhi sa susceptor.
Gipauswag nga Kalig-on sa Init:Ang SiC adunay maayo kaayong thermal conductivity ug makasugakod sa taas nga temperatura nga walay dakong distorsyon.
Gipauswag nga Kalidad sa Pelikula:Ang gipauswag nga thermal stability ug nakunhuran nga kontaminasyon miresulta sa mas taas nga kalidad nga nadeposito nga mga film nga adunay gipauswag nga pagkaparehas ug pagkontrol sa gibag-on.