Susceptor Tong Untuk LPE Epitaksi Fasa Cecair

Suseptor tong untuk epitaksi fasa cecair LPE

EPI (Epitaksi)merupakan proses kritikal dalam pembuatan semikonduktor termaju. Ia melibatkan pemendapan lapisan nipis bahan pada substrat untuk menghasilkan struktur peranti yang kompleks. Susceptor laras grafit bersalut SiC untuk EPI biasanya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI kerana kekonduksian terma yang sangat baik dan ketahanan terhadap suhu tinggi. DenganSalutan CVD-SiC, ia menjadi lebih tahan terhadap pencemaran, hakisan dan kejutan haba. Ini menghasilkan jangka hayat yang lebih panjang untuk susceptor dan kualiti filem yang lebih baik.

Kelebihan susceptor tong kami untuk epitaksi fasa cecair LPE:
Mengurangkan Pencemaran:Sifat lengai SiC menghalang bendasing daripada melekat pada permukaan susceptor, sekali gus mengurangkan risiko pencemaran filem yang termendap.
Peningkatan Rintangan Hakisan:SiC jauh lebih tahan terhadap hakisan berbanding grafit konvensional, yang membawa kepada jangka hayat yang lebih lama untuk susceptor.
Kestabilan Terma yang Dipertingkatkan:SiC mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan boleh menahan suhu tinggi tanpa herotan yang ketara.
Kualiti Filem yang Dipertingkatkan:Kestabilan terma yang lebih baik dan pencemaran yang berkurangan menghasilkan filem termendap yang berkualiti tinggi dengan keseragaman dan kawalan ketebalan yang lebih baik.