Barrel Susceptor Untuk LPE Epitaksi Fase Cair

Suseptor barel untuk LPE epitaksi fase cair

EPI (Epitaksi)Deposisi merupakan proses penting dalam pembuatan semikonduktor canggih. Proses ini melibatkan pengendapan lapisan tipis material pada substrat untuk menciptakan struktur perangkat yang kompleks. Susceptor barel grafit berlapis SiC untuk EPI umumnya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI karena konduktivitas termalnya yang sangat baik dan ketahanannya terhadap suhu tinggi. DenganLapisan CVD-SiC, sehingga menjadi lebih tahan terhadap kontaminasi, erosi, dan guncangan termal. Hal ini menghasilkan masa pakai yang lebih lama untuk susceptor dan kualitas film yang lebih baik.

Keunggulan susceptor barel kami untuk epitaksi fase cair (LPE):
Pengurangan Kontaminasi:Sifat inert SiC mencegah kotoran menempel pada permukaan susceptor, sehingga mengurangi risiko kontaminasi pada lapisan film yang diendapkan.
Peningkatan Ketahanan Erosi:SiC jauh lebih tahan terhadap erosi dibandingkan grafit konvensional, sehingga menghasilkan masa pakai yang lebih lama untuk susceptor.
Stabilitas Termal yang Ditingkatkan:SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan dapat menahan suhu tinggi tanpa distorsi yang signifikan.
Peningkatan Kualitas Film:Stabilitas termal yang lebih baik dan pengurangan kontaminasi menghasilkan lapisan film yang diendapkan dengan kualitas lebih tinggi, serta keseragaman dan kontrol ketebalan yang lebih baik.