Portadores de obleas MOCVD de grafito con recubrimiento de SiC, susceptores de grafito paraEpitaxia de SiC,
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Las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen alta resistencia química y estabilidad térmica.

El recubrimiento de SiC del sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y resistencia a la atmósfera oxidante.
El SiC CVD o el SiC CVI se aplican al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento puede aplicarse en diferentes espesores y en piezas de gran tamaño.

Características:
· Excelente resistencia al choque térmico
· Excelente resistencia a los golpes físicos
· Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
· Disponibilidad en forma compleja
· Utilizable en atmósfera oxidante

Solicitud:

Propiedades típicas del material base de grafito:

El carbono suministra susceptoresy componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestra cartera incluye susceptores de barril para unidades aplicadas y de baja presión (LPE), susceptores tipo pancake para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades aplicadas y de alta presión (ASM). Gracias a la sólida colaboración con fabricantes de equipos originales (OEM) líderes, la experiencia en materiales y la experiencia en fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.