Portadores de obleas MOCVD de grafito con recubrimiento de SiC, susceptores de grafito paraEpitaxia de SiC,
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Entre las ventajas especiales de nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC se incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento homogéneo y una excelente vida útil. Además, poseen una alta resistencia química y una gran estabilidad térmica.

El recubrimiento de SiC sobre un sustrato de grafito para aplicaciones de semiconductores produce una pieza con una pureza superior y una gran resistencia a la atmósfera oxidante.
El recubrimiento de SiC mediante CVD o CVI se aplica al grafito en piezas de diseño simple o complejo. El recubrimiento se puede aplicar en diferentes espesores y a piezas de gran tamaño.

Características:
• Excelente resistencia al choque térmico
• Excelente resistencia a los golpes físicos
• Excelente resistencia química
· Pureza súper alta
• Disponibilidad en formas complejas
• Utilizable en atmósfera oxidante

Solicitud:

Propiedades típicas del material base de grafito:

El carbono suministra susceptoresy componentes de grafito para todos los reactores de epitaxia actuales. Nuestro portafolio incluye susceptores cilíndricos para unidades de aplicación y LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD y Gemini, y susceptores de oblea única para unidades de aplicación y ASM. Al combinar sólidas alianzas con los principales fabricantes de equipos originales (OEM), experiencia en materiales y conocimientos de fabricación, SGL ofrece el diseño óptimo para su aplicación.