Wafer Epitaksial Karbida Silikon (SiC)

Deskripsi Singkat:

Wafer Epitaksial Karbida Silikon (SiC) dari VET Energy adalah substrat berkinerja tinggi yang dirancang untuk memenuhi persyaratan yang ketat dari perangkat daya dan RF generasi berikutnya. VET Energy memastikan bahwa setiap wafer epitaksial diproduksi dengan cermat untuk memberikan konduktivitas termal, tegangan tembus, dan mobilitas pembawa yang unggul, sehingga menjadikannya ideal untuk aplikasi seperti kendaraan listrik, komunikasi 5G, dan elektronika daya efisiensi tinggi.


Detail Produk

Label Produk

Wafer epitaksial silikon karbida (SiC) VET Energy merupakan material semikonduktor dengan celah pita lebar berkinerja tinggi dengan ketahanan suhu tinggi, frekuensi tinggi, dan karakteristik daya tinggi yang sangat baik. Wafer ini merupakan substrat ideal untuk perangkat elektronik daya generasi baru. VET Energy menggunakan teknologi epitaksial MOCVD canggih untuk menumbuhkan lapisan epitaksial SiC berkualitas tinggi pada substrat SiC, yang memastikan kinerja dan konsistensi wafer yang sangat baik.

Wafer Epitaksial Karbida Silikon (SiC) kami menawarkan kompatibilitas yang sangat baik dengan berbagai material semikonduktor termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI, dan Substrat SiN. Dengan lapisan epitaksialnya yang kuat, wafer ini mendukung proses lanjutan seperti pertumbuhan Wafer Epi dan integrasi dengan material seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN, memastikan penggunaan serbaguna di berbagai teknologi. Dirancang agar kompatibel dengan sistem penanganan Kaset standar industri, wafer ini memastikan operasi yang efisien dan efisien dalam lingkungan fabrikasi semikonduktor.

Lini produk VET Energy tidak terbatas pada wafer epitaksial SiC. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, dll. Selain itu, kami juga secara aktif mengembangkan bahan semikonduktor celah pita lebar baru, seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN, untuk memenuhi permintaan industri elektronika daya masa depan akan perangkat berkinerja lebih tinggi.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (Inggris Raya)

Ukuran ≤6um

Ukuran ≤6um

Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak

≤15 mikron

≤15 mikron

≤25 mikron

≤15 mikron

Melengkung(GF3YFER)

≤25 mikron

≤25 mikron

Ukuran ≤40 mikrometer

≤25 mikron

LTV (SBIR)-10mm x 10mm

<2 mikron

Tepi Wafer

Kemiringan

AKHIR PERMUKAAN

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Permukaan Akhir

Poles Optik Dua Sisi, Si-Face CMP

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Muka SiRa≤0,2nm
C-Wajah Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Sisi Si Ra≤0,2nm
Muka C Ra≤0,5nm

Keripik Tepi

Tidak Diizinkan (panjang dan lebar ≥ 0,5 mm)

Indentasi

Tidak Diizinkan

Goresan (Si-Face)

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Retakan

Tidak Diizinkan

Pengecualian Tepi

ukuran 3mm

teknologi_1_2_ukuran
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!