Вафери эпитаксиалии карбиди кремний (SiC).

Вафери эпитаксиалии карбиди кремнийи VET Energy (SiC) як маводи нимноқили фарох-маънои баланд бо муқовимати аълои ҳарорати баланд, басомади баланд ва хусусиятҳои қудрати баланд мебошад. Ин як субстрати беҳтарин барои насли нави дастгоҳҳои электронии барқӣ мебошад. VET Energy технологияи пешрафтаи эпитаксиалии MOCVD-ро барои парвариши қабатҳои баландсифати эпитаксиалии SiC дар субстратҳои SiC истифода мебарад ва иҷрои аъло ва мувофиқати вафлиро таъмин мекунад.

Вафери кремнийи карбиди (SiC) эпитаксиалии мо мутобиқати аълоро бо маводи гуногуни нимноқилӣ, аз ҷумла Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer ва SiN Substrate пешниҳод мекунад. Бо қабати устувори эпитаксиалии худ, он равандҳои пешрафтаро ба монанди афзоиши Epi Wafer ва ҳамгироӣ бо маводҳо ба монанди Gallium Oxide Ga2O3 ва AlN Wafer дастгирӣ мекунад ва истифодаи ҳамаҷонибаро дар технологияҳои гуногун таъмин мекунад. Он барои мувофиқ будан бо системаҳои коркарди Кассетаи стандартии саноат тарҳрезӣ шудааст, он амалиёти самаранок ва соддакардашударо дар муҳити истеҳсоли нимноқилҳо таъмин мекунад.

Хатти маҳсулоти VET Energy бо вафли эпитаксиалии SiC маҳдуд намешавад. Мо инчунин доираи васеи маводи субстрати нимноқилро таъмин мекунем, аз ҷумла Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer ва ғайра. Илова бар ин, мо инчунин фаъолона таҳия карда истодаем, маводҳои нимноқилҳои васеъро, аз қабили Gallium Oxide Ga2O3 ва AlN Wafer, барои қонеъ кардани талаботи саноати электроникаи оянда ба дастгоҳҳои баландсифат.