Silikon karbid (SiC) epitaksial gofret

Qisqacha tavsif:

VET Energy kompaniyasining Silicon Carbide (SiC) epitaksial gofreti yangi avlod quvvat va RF qurilmalarining talabchan talablariga javob beradigan yuqori samarali substratdir. VET Energy har bir epitaksial gofretning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, buzilish kuchlanishi va tashuvchining harakatchanligini ta'minlash uchun sinchkovlik bilan ishlab chiqarilishini ta'minlaydi, bu uni elektr transport vositalari, 5G aloqa va yuqori samarali quvvat elektroniği kabi ilovalar uchun ideal qiladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

VET Energy kremniy karbid (SiC) epitaksial gofreti yuqori haroratga chidamliligi, yuqori chastotali va yuqori quvvat xususiyatlariga ega yuqori samarali keng tarmoqli yarimo'tkazgichli materialdir. Bu yangi avlod elektr elektron qurilmalari uchun ideal substratdir. VET Energy SiC substratlarida yuqori sifatli SiC epitaksial qatlamlarini etishtirish uchun ilg'or MOCVD epitaksial texnologiyasidan foydalanadi va gofretning mukammal ishlashi va mustahkamligini ta'minlaydi.

Bizning Silicon Carbide (SiC) Epitaksial Gofretimiz Si Gofret, SiC Substrate, SOI Gofret va SiN Substrate kabi yarimo'tkazgichli materiallar bilan mukammal muvofiqlikni taklif etadi. O'zining mustahkam epitaksial qatlami bilan u Epi Gofretning o'sishi va Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Wafer kabi materiallar bilan integratsiyalashuvi kabi ilg'or jarayonlarni qo'llab-quvvatlaydi va turli texnologiyalarda ko'p qirrali foydalanishni ta'minlaydi. Sanoat standartidagi Kassetali ishlov berish tizimlariga mos ravishda ishlab chiqilgan bo'lib, u yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish muhitida samarali va soddalashtirilgan operatsiyalarni ta'minlaydi.

VET Energy mahsulot liniyasi SiC epitaksial gofretlari bilan cheklanmaydi. Biz, shuningdek, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate, Epi Gofret va boshqalarni o'z ichiga olgan yarimo'tkazgichli substrat materiallarining keng assortimentini taqdim etamiz. Bundan tashqari, biz shuningdek, kelajakdagi energiya elektronikasi sanoatining yuqori samarali qurilmalarga bo'lgan talabini qondirish uchun Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Gofret kabi yangi keng tarmoqli yarimo'tkazgich materiallarini faol ravishda ishlab chiqmoqdamiz.

WAFERING XUSUSIYATLARI

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
Element	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-mutlaq qiymat	≤15 mkm	≤15 mkm	≤25mkm		≤15 mkm
Buzilish (GF3YFER)	≤25mkm	≤25mkm	≤40mkm		≤25mkm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2 mkm
Gofret chekkasi	Kesish

Yuzaki tugatish

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Yuzaki tugatish	Ikki tomonlama optik jilo, Si-Face CMP
Sirt pürüzlülüğü	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Kenar chiplari	Ruxsat berilmagan (uzunligi va kengligi≥0,5 mm)
Indents	Ruxsat berilmagan
Chizishlar (Si-Face)	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri			Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri
Yoriqlar	Ruxsat berilmagan
Chetni istisno qilish	3 mm