Epitaxialskiva av kiselkarbid (SiC)

VET Energys epitaxialskivor av kiselkarbid (SiC) är ett högpresterande halvledarmaterial med brett bandgap, utmärkta egenskaper för hög temperaturbeständighet, hög frekvens och hög effekt. Det är ett idealiskt substrat för den nya generationen kraftelektroniska komponenter. VET Energy använder avancerad MOCVD-epitaxiell teknik för att odla högkvalitativa epitaxiella SiC-lager på SiC-substrat, vilket säkerställer skivans utmärkta prestanda och konsistens.

Vår epitaxiala wafer av kiselkarbid (SiC) erbjuder utmärkt kompatibilitet med en mängd olika halvledarmaterial, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer och SiN-substrat. Med sitt robusta epitaxiella lager stöder den avancerade processer som epiwafertillväxt och integration med material som galliumoxid Ga2O3 och AlN-wafer, vilket säkerställer mångsidig användning inom olika tekniker. Den är utformad för att vara kompatibel med branschstandardiserade kassetthanteringssystem och säkerställer effektiv och strömlinjeformad drift i halvledartillverkningsmiljöer.

VET Energys produktsortiment är inte begränsat till epitaxiella SiC-skivor. Vi erbjuder även ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive Si-skivor, SiC-substrat, SOI-skivor, SiN-substrat, Epi-skivor etc. Dessutom utvecklar vi aktivt nya halvledarmaterial med brett bandgap, såsom galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor, för att möta den framtida kraftelektronikindustrins efterfrågan på högpresterande komponenter.