सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटैक्सियल वेफर

संक्षिप्त वर्णन:

VET Energy का सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटैक्सियल वेफर एक उच्च-प्रदर्शन सब्सट्रेट है जिसे अगली पीढ़ी के पावर और RF उपकरणों की मांग की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। VET Energy यह सुनिश्चित करता है कि प्रत्येक एपिटैक्सियल वेफर को बेहतर थर्मल चालकता, ब्रेकडाउन वोल्टेज और वाहक गतिशीलता प्रदान करने के लिए सावधानीपूर्वक निर्मित किया जाता है, जिससे यह इलेक्ट्रिक वाहनों, 5G संचार और उच्च दक्षता वाले पावर इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाता है।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

VET एनर्जी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटैक्सियल वेफर एक उच्च-प्रदर्शन वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्री है जिसमें उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च आवृत्ति और उच्च शक्ति विशेषताएँ हैं। यह नई पीढ़ी के पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए एक आदर्श सब्सट्रेट है। VET एनर्जी SiC सब्सट्रेट पर उच्च-गुणवत्ता वाली SiC एपिटैक्सियल परतों को विकसित करने के लिए उन्नत MOCVD एपिटैक्सियल तकनीक का उपयोग करती है, जिससे वेफर का उत्कृष्ट प्रदर्शन और स्थिरता सुनिश्चित होती है।

हमारा सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एपिटैक्सियल वेफर Si वेफर, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफर और SiN सब्सट्रेट सहित विभिन्न अर्धचालक सामग्रियों के साथ उत्कृष्ट संगतता प्रदान करता है। अपनी मजबूत एपिटैक्सियल परत के साथ, यह Epi वेफर विकास और गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफर जैसी सामग्रियों के साथ एकीकरण जैसी उन्नत प्रक्रियाओं का समर्थन करता है, जिससे विभिन्न तकनीकों में बहुमुखी उपयोग सुनिश्चित होता है। उद्योग-मानक कैसेट हैंडलिंग सिस्टम के साथ संगत होने के लिए डिज़ाइन किया गया, यह अर्धचालक निर्माण वातावरण में कुशल और सुव्यवस्थित संचालन सुनिश्चित करता है।

VET Energy की उत्पाद लाइन SiC एपिटैक्सियल वेफ़र तक सीमित नहीं है। हम Si वेफ़र, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफ़र, SiN सब्सट्रेट, Epi वेफ़र आदि सहित सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट सामग्रियों की एक विस्तृत श्रृंखला भी प्रदान करते हैं। इसके अलावा, हम भविष्य के पावर इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग की उच्च प्रदर्शन वाले उपकरणों की मांग को पूरा करने के लिए गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफ़र जैसी नई वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्रियों को भी सक्रिय रूप से विकसित कर रहे हैं।

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वेफ़रिंग विनिर्देश

*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग

वस्तु

8-इंच

6 इंच

4 इंच

एनपी

एन-पीएम

एन-पीएस

SI

SI

टीटीवी(जीबीआईआर)

≤6um

≤6um

धनुष(GF3YFCD)-निरपेक्ष मान

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ताना(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

एलटीवी(एसबीआईआर)-10मिमीx10मिमी

<2μm

वेफर एज

बेवेलिंग

सतह खत्म

*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग

वस्तु

8-इंच

6 इंच

4 इंच

एनपी

एन-पीएम

एन-पीएस

SI

SI

सतह खत्म

डबल साइड ऑप्टिकल पॉलिश, Si- फेस सीएमपी

सतह खुरदरापन

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
सी-फेस Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-फेस Ra≤0.2nm
सी-फेस Ra≤0.5nm

एज चिप्स

कोई भी अनुमति नहीं (लंबाई और चौड़ाई≥0.5 मिमी)

इंडेंट

कोई अनुमति नहीं

खरोंचें (Si-फेस)

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

दरारें

कोई अनुमति नहीं

एज एक्सक्लूज़न

3 मिमी

तकनीक_1_2_आकार
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