Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer

Ang VET Energy silicon carbide (SiC) epitaxial wafer usa ka high-performance wide bandgap semiconductor nga materyal nga adunay maayo kaayo nga taas nga temperatura nga pagsukol, taas nga frequency ug taas nga gahum nga mga kinaiya. Kini usa ka sulundon nga substrate alang sa bag-ong henerasyon sa mga power electronic device. Ang VET Energy naggamit sa advanced MOCVD epitaxial nga teknolohiya sa pagpatubo sa taas nga kalidad nga SiC epitaxial layer sa SiC substrates, pagsiguro sa maayo kaayo nga performance ug pagkamakanunayon sa wafer.

Ang among Silicon Carbide (SiC) Epitaxial Wafer nagtanyag maayo kaayo nga pagkaangay sa lainlaing mga materyales sa semiconductor lakip ang Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, ug SiN Substrate. Uban sa lig-on nga epitaxial layer, gisuportahan niini ang mga advanced nga proseso sama sa pagtubo sa Epi Wafer ug pag-integrate sa mga materyales sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer, pagsiguro nga magamit ang daghang gamit sa lainlaing mga teknolohiya. Gidisenyo aron mahiuyon sa mga sistema sa pagdumala sa Cassette nga standard sa industriya, gisiguro niini ang episyente ug hapsay nga mga operasyon sa mga palibot sa paghimo sa semiconductor.

Ang linya sa produkto sa VET Energy dili limitado sa SiC epitaxial wafers. Naghatag usab kami usa ka halapad nga materyal nga substrate sa semiconductor, lakip ang Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ug uban pa. Dugang pa, aktibo usab kami nga nagpalambo sa bag-ong lapad nga bandgap nga mga materyales sa semiconductor, sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer, aron matubag ang panginahanglanon sa industriya sa kuryente sa umaabot alang sa mas taas nga pasundayag nga mga aparato.