Η επιταξιακή πλακέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) της VET Energy είναι ένα υψηλής απόδοσης ημιαγωγικό υλικό ευρέος ενεργειακού χάσματος με εξαιρετικά χαρακτηριστικά αντοχής σε υψηλές θερμοκρασίες, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Είναι ένα ιδανικό υπόστρωμα για τη νέα γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος. Η VET Energy χρησιμοποιεί προηγμένη επιταξιακή τεχνολογία MOCVD για την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας σε υποστρώματα SiC, εξασφαλίζοντας την εξαιρετική απόδοση και συνοχή της πλακέτας.
Η επιταξιακή πλακέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) μας προσφέρει εξαιρετική συμβατότητα με μια ποικιλία ημιαγωγικών υλικών, όπως πλακίδια πυριτίου, υπόστρωμα SiC, πλακίδια SOI και υπόστρωμα SiN. Με το ανθεκτικό επιταξιακό στρώμα της, υποστηρίζει προηγμένες διαδικασίες όπως η ανάπτυξη πλακιδίων Epi και η ενσωμάτωση με υλικά όπως το οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και η πλακέτα AlN, εξασφαλίζοντας ευέλικτη χρήση σε διαφορετικές τεχνολογίες. Σχεδιασμένη για να είναι συμβατή με τα βιομηχανικά πρότυπα συστήματα χειρισμού κασετών, εξασφαλίζει αποτελεσματικές και βελτιστοποιημένες λειτουργίες σε περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών.
Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται σε επιταξιακά πλακίδια SiC. Παρέχουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρωμάτων ημιαγωγών, όπως πλακίδια Si, υπόστρωμα SiC, πλακίδια SOI, υπόστρωμα SiN, πλακίδια Epi κ.λπ. Επιπλέον, αναπτύσσουμε ενεργά νέα υλικά ημιαγωγών με ευρύ ενεργειακό χάσμα, όπως οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και πλακίδια AlN, για να καλύψουμε τη μελλοντική ζήτηση της βιομηχανίας ηλεκτρονικών ισχύος για συσκευές υψηλότερης απόδοσης.
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΔΙΑΚΟΣΜΗΣΗΣ
*n-Pm=τύπος-n Βαθμός Pm, n-Ps=τύπος-n Βαθμός Ps, Sl=Ημιμονωτικό
| Είδος | 8 ιντσών | 6 ιντσών | 4 ιντσών | ||
| nP | ν-μμ | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 μm | ≤6 μm | |||
| Τόξο (GF3YFCD) - Απόλυτη Τιμή | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Στημόνι (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) - 10mmx10mm | <2μm | ||||
| Άκρη γκοφρέτας | Λοξοτομή | ||||
ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ
*n-Pm=τύπος-n Βαθμός Pm, n-Ps=τύπος-n Βαθμός Ps, Sl=Ημιμονωτικό
| Είδος | 8 ιντσών | 6 ιντσών | 4 ιντσών | ||
| nP | ν-μμ | n-Ps | SI | SI | |
| Φινίρισμα επιφάνειας | Διπλής όψης οπτικό βερνίκι, Si- Face CMP | ||||
| Τραχύτητα επιφάνειας | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Τσιπς άκρων | Δεν επιτρέπεται κανένα (μήκος και πλάτος ≥0,5 mm) | ||||
| Εσοχές | Δεν επιτρέπεται κανένα | ||||
| Γρατζουνιές (Si-Face) | Ποσότητα ≤5, Συνολικό | Ποσότητα ≤5, Συνολικό | Ποσότητα ≤5, Συνολικό | ||
| Ρωγμές | Δεν επιτρέπεται κανένα | ||||
| Εξαίρεση ακμής | 3 χιλιοστά | ||||





