Επιταξιακή γκοφρέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC)

Σύντομη Περιγραφή:

Η επιταξιακή πλακέτα από καρβίδιο του πυριτίου (SiC) της VET Energy είναι ένα υπόστρωμα υψηλής απόδοσης σχεδιασμένο για να καλύπτει τις απαιτητικές απαιτήσεις των συσκευών ισχύος και RF επόμενης γενιάς. Η VET Energy διασφαλίζει ότι κάθε επιταξιακή πλακέτα κατασκευάζεται σχολαστικά για να παρέχει ανώτερη θερμική αγωγιμότητα, τάση διάσπασης και κινητικότητα φορέα, καθιστώντας την ιδανική για εφαρμογές όπως ηλεκτρικά οχήματα, επικοινωνία 5G και ηλεκτρονικά ισχύος υψηλής απόδοσης.


Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Η επιταξιακή πλακέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) της VET Energy είναι ένα υψηλής απόδοσης ημιαγωγικό υλικό ευρέος ενεργειακού χάσματος με εξαιρετικά χαρακτηριστικά αντοχής σε υψηλές θερμοκρασίες, υψηλής συχνότητας και υψηλής ισχύος. Είναι ένα ιδανικό υπόστρωμα για τη νέα γενιά ηλεκτρονικών συσκευών ισχύος. Η VET Energy χρησιμοποιεί προηγμένη επιταξιακή τεχνολογία MOCVD για την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων SiC υψηλής ποιότητας σε υποστρώματα SiC, εξασφαλίζοντας την εξαιρετική απόδοση και συνοχή της πλακέτας.

Η επιταξιακή πλακέτα καρβιδίου του πυριτίου (SiC) μας προσφέρει εξαιρετική συμβατότητα με μια ποικιλία ημιαγωγικών υλικών, όπως πλακίδια πυριτίου, υπόστρωμα SiC, πλακίδια SOI και υπόστρωμα SiN. Με το ανθεκτικό επιταξιακό στρώμα της, υποστηρίζει προηγμένες διαδικασίες όπως η ανάπτυξη πλακιδίων Epi και η ενσωμάτωση με υλικά όπως το οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και η πλακέτα AlN, εξασφαλίζοντας ευέλικτη χρήση σε διαφορετικές τεχνολογίες. Σχεδιασμένη για να είναι συμβατή με τα βιομηχανικά πρότυπα συστήματα χειρισμού κασετών, εξασφαλίζει αποτελεσματικές και βελτιστοποιημένες λειτουργίες σε περιβάλλοντα κατασκευής ημιαγωγών.

Η σειρά προϊόντων της VET Energy δεν περιορίζεται σε επιταξιακά πλακίδια SiC. Παρέχουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα υλικών υποστρωμάτων ημιαγωγών, όπως πλακίδια Si, υπόστρωμα SiC, πλακίδια SOI, υπόστρωμα SiN, πλακίδια Epi κ.λπ. Επιπλέον, αναπτύσσουμε ενεργά νέα υλικά ημιαγωγών με ευρύ ενεργειακό χάσμα, όπως οξείδιο του γαλλίου Ga2O3 και πλακίδια AlN, για να καλύψουμε τη μελλοντική ζήτηση της βιομηχανίας ηλεκτρονικών ισχύος για συσκευές υψηλότερης απόδοσης.

第6页-36
第6页-35

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ ΔΙΑΚΟΣΜΗΣΗΣ

*n-Pm=τύπος-n Βαθμός Pm, n-Ps=τύπος-n Βαθμός Ps, Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8 ιντσών

6 ιντσών

4 ιντσών

nP

ν-μμ

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 μm

≤6 μm

Τόξο (GF3YFCD) - Απόλυτη Τιμή

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Στημόνι (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10mmx10mm

<2μm

Άκρη γκοφρέτας

Λοξοτομή

ΦΙΝΙΡΙΣΜΑ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΣ

*n-Pm=τύπος-n Βαθμός Pm, n-Ps=τύπος-n Βαθμός Ps, Sl=Ημιμονωτικό

Είδος

8 ιντσών

6 ιντσών

4 ιντσών

nP

ν-μμ

n-Ps

SI

SI

Φινίρισμα επιφάνειας

Διπλής όψης οπτικό βερνίκι, Si- Face CMP

Τραχύτητα επιφάνειας

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Τσιπς άκρων

Δεν επιτρέπεται κανένα (μήκος και πλάτος ≥0,5 mm)

Εσοχές

Δεν επιτρέπεται κανένα

Γρατζουνιές (Si-Face)

Ποσότητα ≤5, Συνολικό
Μήκος ≤0.5× διάμετρος γκοφρέτας

Ποσότητα ≤5, Συνολικό
Μήκος ≤0.5× διάμετρος γκοφρέτας

Ποσότητα ≤5, Συνολικό
Μήκος ≤0.5× διάμετρος γκοφρέτας

Ρωγμές

Δεν επιτρέπεται κανένα

Εξαίρεση ακμής

3 χιλιοστά

μέγεθος_τεχνολογίας_1_2
下载 (2)

  • Προηγούμενος:
  • Επόμενος:

  • Διαδικτυακή συνομιλία μέσω WhatsApp!