VET Energy silikon karbür (SiC) epitaksiyel gofret, mükemmel yüksek sıcaklık direnci, yüksek frekans ve yüksek güç özelliklerine sahip yüksek performanslı geniş bant aralıklı yarı iletken bir malzemedir. Yeni nesil güç elektroniği cihazları için ideal bir alt tabakadır. VET Energy, gofretin mükemmel performansını ve tutarlılığını garanti ederek SiC alt tabakaları üzerinde yüksek kaliteli SiC epitaksiyel katmanlar yetiştirmek için gelişmiş MOCVD epitaksiyel teknolojisini kullanır.
Silisyum Karbür (SiC) Epitaksiyel Plakamız, Si Plaka, SiC Alt Tabaka, SOI Plaka ve SiN Alt Tabaka gibi çeşitli yarı iletken malzemelerle mükemmel uyumluluk sunar. Sağlam epitaksiyel tabakasıyla, Epi Plaka büyümesi ve Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Plaka gibi malzemelerle entegrasyon gibi gelişmiş süreçleri destekler ve farklı teknolojilerde çok yönlü kullanım sağlar. Endüstri standardı Kaset işleme sistemleriyle uyumlu olacak şekilde tasarlanmıştır ve yarı iletken üretim ortamlarında verimli ve akıcı operasyonlar sağlar.
VET Energy'nin ürün yelpazesi SiC epitaksiyel gofretlerle sınırlı değildir. Ayrıca Si Gofret, SiC Substrat, SOI Gofret, SiN Substrat, Epi Gofret vb. dahil olmak üzere geniş bir yelpazede yarı iletken substrat malzemeleri de sağlıyoruz. Ayrıca, gelecekteki güç elektroniği endüstrisinin daha yüksek performanslı cihazlara olan talebini karşılamak için Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Gofret gibi yeni geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeleri de aktif olarak geliştiriyoruz.
WAFERING ÖZELLİKLERİ
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Çarpıtma(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Gofret Kenarı | Pahlama | ||||
YÜZEY KAPLAMASI
*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı
| Öğe | 8 inç | 6 inç | 4 inç | ||
| nP | n-Pm | n-P'ler | SI | SI | |
| Yüzey Kaplama | Çift taraflı Optik Cila,Si-Yüz CMP | ||||
| Yüzey Pürüzlülüğü | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Yüzey Ra≤0.2nm | |||
| Kenar Çipleri | Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik ≥0,5 mm) | ||||
| Girintiler | Hiçbirine İzin Verilmedi | ||||
| Çizikler(Si-Face) | Miktar ≤5,Kümülatif | Miktar ≤5,Kümülatif | Miktar ≤5,Kümülatif | ||
| Çatlaklar | Hiçbirine İzin Verilmedi | ||||
| Kenar Dışlama | 3mm | ||||
-
Yakıt Hücresi 1000w 24v Drone Hidrojen Yakıt Hücresi Kiti
-
Yarı iletken ekipman sarf malzemeleri alümina ser...
-
Grafit Tapa Reçine Emprenyeli İtme Yatakları...
-
Yüksek Mukavemetli Grafit/Karbon Fiber Halat...
-
1000w Pemfc Yığını Yakıt Hücresi Yığını İHA Pemfc İçin...
-
Si için Üst ve Alt Grafit Yarım Ay Parçası...