၁။ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ
ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းပညာကို Si နှင့် Ge ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို အခြေခံ၍ တီထွင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ၂၀ ရာစုတွင် အီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းအတွက် အုတ်မြစ်ချပေးခဲ့ပြီး ပေါင်းစပ်ဆားကစ်နည်းပညာအတွက် အခြေခံပစ္စည်းများဖြစ်သည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် ဂယ်လီယမ် အာဆင်းနိုက်၊ အင်ဒီယမ် ဖော့စဖိုက်၊ ဂယ်လီယမ် ဖော့စဖိုက်၊ အင်ဒီယမ် အာဆင်းနိုက်၊ အလူမီနီယမ် အာဆင်းနိုက်နှင့် ၎င်းတို့၏ သုံးပါးတစ်ဆူဒြပ်ပေါင်းများ ပါဝင်သည်။ ဒုတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် အော်ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် သတင်းအချက်အလက်လုပ်ငန်း၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ဤအခြေခံဖြင့် မီးအလင်းရောင်၊ မျက်နှာပြင်၊ လေဆာနှင့် ဖိုတိုဗိုတယ်လစ်များကဲ့သို့သော ဆက်စပ်လုပ်ငန်းများကို တီထွင်ခဲ့ကြသည်။ ၎င်းတို့ကို ခေတ်ပြိုင် သတင်းအချက်အလက်နည်းပညာနှင့် အော်ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် မျက်နှာပြင်လုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။
တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ ကိုယ်စားပြုပစ္စည်းများတွင် gallium nitride နှင့် silicon carbide တို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့၏ ကျယ်ပြန့်သော band gap၊ မြင့်မားသော electron saturation drift velocity၊ မြင့်မားသော thermal conductivity နှင့် မြင့်မားသော breakdown field strength တို့ကြောင့် ၎င်းတို့သည် high-power density၊ high-frequency နှင့် low-loss electronic devices များကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် silicon carbide power devices များသည် မြင့်မားသော energy density၊ နည်းပါးသော energy consumption နှင့် သေးငယ်သော အရွယ်အစားတို့၏ အားသာချက်များရှိပြီး new energy vehicles၊ photovoltaics၊ ရထားပို့ဆောင်ရေး၊ big data နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သော application prospects များရှိသည်။ Gallium nitride RF devices များသည် မြင့်မားသော frequency၊ မြင့်မားသော power၊ ကျယ်ပြန့်သော bandwidth၊ နည်းပါးသော power consumption နှင့် သေးငယ်သော အရွယ်အစားတို့၏ အားသာချက်များရှိပြီး 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ Internet of Things၊ စစ်ဘက်ရေဒါနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သော application prospects များရှိသည်။ ထို့အပြင် gallium nitride-based power devices များကို low-voltage field တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့ကြသည်။ ထို့အပြင်၊ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ပေါ်ထွက်လာသော gallium oxide ပစ္စည်းများသည် ရှိပြီးသား SiC နှင့် GaN နည်းပညာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖြည့်စွက်မှုများ ဖွဲ့စည်းရန် မျှော်လင့်ရပြီး low-frequency နှင့် high-voltage fields များတွင် application prospects များရှိသည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများသည် bandgap width ပိုမိုကျယ်ပြန့်သည် (ပထမမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်း၏ ပုံမှန်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည့် Si ၏ bandgap width သည် 1.1 eV ခန့်၊ ဒုတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်း၏ ပုံမှန်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည့် GaAs ၏ bandgap width သည် 1.42 eV ခန့်နှင့် တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်း၏ ပုံမှန်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည့် GaN ၏ bandgap width သည် 2.3 eV အထက်)၊ ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည် ပိုမိုအားကောင်းခြင်း၊ လျှပ်စစ်စက်ကွင်းပြိုကွဲခြင်းကို ပိုမိုအားကောင်းစွာ ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့် အပူချိန်ခံနိုင်ရည် ပိုမိုမြင့်မားခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ bandgap width ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော တတိယမျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းများသည် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ မြင့်မားသောပါဝါနှင့် မြင့်မားသောပေါင်းစပ်သိပ်သည်းဆ အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းပစ္စည်းများ၊ LED များ၊ လေဆာများ၊ ပါဝါပစ္စည်းများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ၎င်းတို့၏အသုံးချမှုများသည် အာရုံစိုက်မှုများစွာကို ဆွဲဆောင်ခဲ့ပြီး မိုဘိုင်းဆက်သွယ်ရေး၊ smart grid များ၊ ရထားသယ်ယူပို့ဆောင်ရေး၊ စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များ၊ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့် အပြာရောင်-အစိမ်းရောင်အလင်းပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ပြန့်သော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအလားအလာများကို ပြသခဲ့သည် [1]။
ပုံရင်းမြစ်- CASA၊ Zheshang Securities Research Institute
ပုံ ၁ GaN ပါဝါကိရိယာ အချိန်စကေးနှင့် ခန့်မှန်းချက်
II GaN ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဝိသေသလက္ခဏာများ
GaN သည် တိုက်ရိုက် bandgap semiconductor တစ်ခုဖြစ်သည်။ အခန်းအပူချိန်တွင် wurtzite structure ၏ bandgap width သည် 3.26 eV ခန့်ရှိသည်။ GaN ပစ္စည်းများတွင် wurtzite structure၊ sphalerite structure နှင့် rock salt structure ဟူ၍ အဓိက crystal structure သုံးခုရှိသည်။ ၎င်းတို့ထဲတွင် wurtzite structure သည် အတည်ငြိမ်ဆုံး crystal structure ဖြစ်သည်။ ပုံ ၂ သည် GaN ၏ hexagonal wurtzite structure ၏ ပုံဖြစ်သည်။ GaN ပစ္စည်း၏ wurtzite structure သည် hexagonal close-packed structure တွင် ပါဝင်သည်။ unit cell တစ်ခုစီတွင် N အက်တမ် ၆ လုံးနှင့် Ga အက်တမ် ၆ လုံး အပါအဝင် အက်တမ် ၁၂ လုံးရှိသည်။ Ga (N) အက်တမ်တစ်ခုစီသည် အနီးဆုံး N (Ga) အက်တမ် ၄ ခုနှင့် bond တစ်ခုဖွဲ့စည်းပြီး [0001] ဦးတည်ချက် [2] တစ်လျှောက် ABABAB… အစီအစဉ်အတိုင်း စီထားသည်။
ပုံ ၂ Wurtzite ဖွဲ့စည်းပုံ GaN ပုံဆောင်ခဲဆဲလ်ပုံ
III GaN epitaxy အတွက် အသုံးများသော အောက်ခံများ
GaN အောက်ခံများပေါ်တွင် တစ်သားတည်းဖြစ်သော epitaxy သည် GaN epitaxy အတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်ဟု ထင်ရသည်။ သို့သော် GaN ၏ ကြီးမားသော bond energy ကြောင့် အပူချိန်သည် 2500℃ ၏ အရည်ပျော်မှတ်သို့ရောက်ရှိသောအခါ ၎င်း၏ သက်ဆိုင်ရာ decomposition pressure သည် 4.5GPa ခန့်ရှိသည်။ decomposition pressure သည် ဤဖိအားထက်နည်းသောအခါ GaN သည် အရည်ပျော်ခြင်းမဟုတ်ဘဲ တိုက်ရိုက် decompose လုပ်သည်။ ၎င်းသည် Czochralski နည်းလမ်းကဲ့သို့သော ရင့်ကျက်သော substrate ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာများကို GaN single crystal substrates ပြင်ဆင်ရန်အတွက် မသင့်တော်စေဘဲ GaN substrates များကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်ရန် ခက်ခဲစေပြီး ကုန်ကျစရိတ်များစေသည်။ ထို့ကြောင့် GaN epitaxial ကြီးထွားမှုတွင် အသုံးများသော substrates များမှာ အဓိကအားဖြင့် Si၊ SiC၊ sapphire စသည်တို့ဖြစ်သည် [3]။
ဇယား ၃ GaN နှင့် အသုံးများသော အောက်ခံပစ္စည်းများ၏ ကန့်သတ်ချက်များ
နီလာပေါ်ရှိ GaN epitax
နီလာကျောက်သည် တည်ငြိမ်သော ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး ဈေးသက်သာကာ ကြီးမားသော ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းတွင် ရင့်ကျက်မှုမြင့်မားသည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအင်ဂျင်နီယာတွင် အစောဆုံးနှင့် အသုံးအများဆုံး အောက်ခံပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာခဲ့သည်။ GaN epitaxy အတွက် အသုံးအများဆုံး အောက်ခံများထဲမှ တစ်ခုအနေဖြင့် နီလာကျောက်အတွက် ဖြေရှင်းရန်လိုအပ်သော အဓိကပြဿနာများမှာ-
✔ နီလာ (Al2O3) နှင့် GaN (၁၅%) ခန့်အကြား lattice မကိုက်ညီမှုကြီးမားသောကြောင့် epitaxial အလွှာနှင့် substrate အကြားမျက်နှာပြင်တွင် defect density အလွန်မြင့်မားသည်။ ၎င်း၏ဆိုးကျိုးများကိုလျှော့ချရန်အတွက် epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်မစတင်မီ substrate ကို ရှုပ်ထွေးသော pretreatment ပြုလုပ်ရမည်။ နီလာ substrate များပေါ်တွင် GaN epitaxy ကိုမစိုက်ပျိုးမီ၊ substrate မျက်နှာပြင်ကို အညစ်အကြေးများ၊ ကျန်ရှိနေသော polishing ပျက်စီးမှုများစသည်တို့ကို ဖယ်ရှားရန်နှင့် steps နှင့် step surface structure များထုတ်လုပ်ရန် ဦးစွာ သန့်စင်ရမည်။ ထို့နောက် epitaxial အလွှာ၏စိုစွတ်မှုဂုဏ်သတ္တိများကိုပြောင်းလဲရန် substrate မျက်နှာပြင်ကို nitrided လုပ်သည်။ နောက်ဆုံးတွင်၊ ပါးလွှာသော AlN buffer အလွှာ (များသောအားဖြင့် 10-100nm အထူ) ကို substrate မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်တင်ပြီး နောက်ဆုံး epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက်ပြင်ဆင်ရန် အပူချိန်နိမ့်တွင် annealed လုပ်ရန်လိုအပ်သည်။ ထိုသို့ပင်ဖြစ်စေ sapphire substrates များပေါ်တွင် ကြီးထွားသော GaN epitaxial films များရှိ dislocation density သည် homoepitaxial films များထက် ပိုမိုမြင့်မားနေဆဲဖြစ်သည် (1010cm-2 ခန့်၊ ဆီလီကွန် homoepitaxial films သို့မဟုတ် gallium arsenide homoepitaxial films များတွင် သုည dislocation density နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ သို့မဟုတ် 102 နှင့် 104cm-2 အကြား)။ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ မြင့်မားခြင်းသည် carrier mobility ကို လျော့နည်းစေပြီး၊ ထို့ကြောင့် minority carrier lifetime ကို တိုတောင်းစေပြီး အပူစီးကူးမှုကို လျော့ကျစေသည်၊ ၎င်းအားလုံးသည် device စွမ်းဆောင်ရည်ကို လျော့ကျစေမည်ဖြစ်သည် [4]။
✔ နီလာ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းသည် GaN ထက် ပိုမိုများပြားသောကြောင့် သိုက်အပူချိန်မှ အခန်းအပူချိန်အထိ အအေးခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း epitaxial အလွှာတွင် biaxial compressive stress ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ပိုထူသော epitaxial ဖလင်များအတွက် ဤဖိစီးမှုသည် ဖလင် သို့မဟုတ် အောက်ခံပင် အက်ကွဲခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။
✔ အခြားအလွှာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နီလာအလွှာများ၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် နိမ့်ကျသည် (100℃ တွင် 0.25W*cm-1*K-1 ခန့်)၊ အပူပျံ့နှံ့မှုစွမ်းဆောင်ရည်လည်း ညံ့ဖျင်းသည်။
✔ ၎င်း၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း ညံ့ဖျင်းခြင်းကြောင့် နီလာအောက်ခံများသည် အခြားတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်အသုံးပြုရန်နှင့် အသုံးချရန် မသင့်တော်ပါ။
sapphire substrates များပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော GaN epitaxial အလွှာများ၏ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ မြင့်မားသော်လည်း GaN-based blue-green LED များ၏ optoelectronic စွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ လျော့ကျစေခြင်းမရှိပုံရသောကြောင့် sapphire substrates များသည် GaN-based LED များအတွက် အသုံးများသော substrates များအဖြစ် ဆက်လက်တည်ရှိနေပါသည်။
လေဆာများ သို့မဟုတ် အခြားမြင့်မားသောသိပ်သည်းဆရှိသော ပါဝါကိရိယာများကဲ့သို့သော GaN ကိရိယာများ၏ အသုံးချမှုအသစ်များ ပိုမိုဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ နီလာအလွှာများ၏ မွေးရာပါချို့ယွင်းချက်များသည် ၎င်းတို့၏အသုံးချမှုတွင် ကန့်သတ်ချက်တစ်ခု ဖြစ်လာပါသည်။ ထို့အပြင်၊ SiC အလွှာကြီးထွားမှုနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ကုန်ကျစရိတ်လျှော့ချမှုနှင့် Si အလွှာများပေါ်တွင် GaN epitaxial နည်းပညာ၏ ရင့်ကျက်မှုတို့နှင့်အတူ နီလာအလွှာများပေါ်တွင် GaN epitaxial အလွှာများ ကြီးထွားလာခြင်းဆိုင်ရာ သုတေသနများသည် တဖြည်းဖြည်း အေးသွားသောလမ်းကြောင်းကို ပြသလာခဲ့သည်။
SiC ပေါ်ရှိ GaN epitaxion
နီလာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC အောက်ခံများ (4H- နှင့် 6H- ပုံဆောင်ခဲများ) သည် GaN epitaxial အလွှာများနှင့် lattice mismatch ပိုမိုသေးငယ်သည် (3.1%၊ [0001] oriented epitaxial films နှင့် ညီမျှသည်)၊ အပူစီးကူးမှု ပိုမိုမြင့်မားသည် (3.8W*cm-1*K-1 ခန့်)၊ စသည်တို့ ရှိသည်။ ထို့အပြင်၊ SiC အောက်ခံများ၏ စီးကူးမှုသည် အောက်ခံ၏နောက်ကျောတွင် လျှပ်စစ်အဆက်အသွယ်များ ပြုလုပ်နိုင်စေပြီး စက်ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံကို ရိုးရှင်းစေရန် ကူညီပေးသည်။ ဤအားသာချက်များ ရှိနေခြင်းကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံများပေါ်တွင် GaN epitaxy တွင် လုပ်ကိုင်ရန် သုတေသီများ ပိုမိုဆွဲဆောင်လာခဲ့သည်။
သို့သော် GaN epilayers များကြီးထွားမှုကိုရှောင်ရှားရန် SiC အောက်ခံများပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းသည် အောက်ပါတို့အပါအဝင် အားနည်းချက်များစွာနှင့်လည်း ရင်ဆိုင်ရပါသည်-
✔ SiC အောက်ခံများ၏ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုသည် နီလာအောက်ခံများထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသည် (နီလာကြမ်းတမ်းမှု 0.1nm RMS၊ SiC ကြမ်းတမ်းမှု 1nm RMS)၊ SiC အောက်ခံများသည် မာကျောမှုမြင့်မားပြီး လုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်ညံ့ဖျင်းပြီး ဤကြမ်းတမ်းမှုနှင့် ကျန်ရှိနေသော ඔප දැමීමပျက်စီးမှုများသည် GaN epilayers များတွင် ချို့ယွင်းချက်များ၏ အရင်းအမြစ်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။
✔ SiC အောက်ခံများ၏ ဝက်အူရွေ့လျားမှုသိပ်သည်းဆသည် မြင့်မားသည် (ရွေ့လျားမှုသိပ်သည်းဆ 103-104cm-2)၊ ဝက်အူရွေ့လျားမှုများသည် GaN အပေါ်ယံလွှာသို့ ပျံ့နှံ့သွားပြီး စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို လျော့ကျစေနိုင်သည်။
✔ အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အက်တမ်အစီအစဉ်သည် GaN epilayer တွင် stacking faults (BSFs) များဖွဲ့စည်းခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ SiC အလွှာများပေါ်ရှိ epitaxial GaN အတွက်၊ အလွှာပေါ်တွင် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော အက်တမ်အစီအစဉ်အစီအစဉ်များစွာရှိပြီး၊ ၎င်းပေါ်ရှိ epitaxial GaN အလွှာ၏ ကနဦးအက်တမ် stacking အစီအစဉ် မကိုက်ညီမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး stacking faults များဖြစ်လွယ်ပါသည်။ Stacking faults (SFs) များသည် c-axis တစ်လျှောက်တွင် တပ်ဆင်ထားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းများကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး in-plane carrier separation devices များယိုစိမ့်ခြင်းကဲ့သို့သော ပြဿနာများဖြစ်ပေါ်စေသည်။
✔ SiC အောက်ခံ၏ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းသည် AlN နှင့် GaN ထက် သေးငယ်ပြီး အအေးခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း epitaxial အလွှာနှင့် အောက်ခံအကြား အပူဖိစီးမှုစုဆောင်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။ Waltereit နှင့် Brand တို့သည် ၎င်းတို့၏ သုတေသနရလဒ်များအပေါ် အခြေခံ၍ ဤပြဿနာကို ပါးလွှာပြီး ညီညွတ်စွာ တင်းမာနေသော AlN nucleation အလွှာများပေါ်တွင် GaN epitaxial အလွှာများ ကြီးထွားစေခြင်းဖြင့် လျော့ပါးသက်သာစေနိုင်သည် သို့မဟုတ် ဖြေရှင်းနိုင်သည်ဟု ခန့်မှန်းခဲ့ကြသည်။
✔ Ga အက်တမ်များ၏ ရေစိုခံနိုင်မှု ညံ့ဖျင်းခြင်းပြဿနာ။ GaN epitaxial အလွှာများကို SiC မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်ကြီးထွားစေသောအခါ၊ အက်တမ်နှစ်ခုကြား ရေစိုခံနိုင်မှု ညံ့ဖျင်းခြင်းကြောင့် GaN သည် substrate မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် 3D ကျွန်းကြီးထွားမှုဖြစ်တတ်သည်။ GaN epitaxy တွင် epitaxial ပစ္စည်းများ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် buffer layer ကို မိတ်ဆက်ပေးခြင်းသည် အသုံးအများဆုံးဖြေရှင်းချက်ဖြစ်သည်။ AlN သို့မဟုတ် AlxGa1-xN buffer layer ကို မိတ်ဆက်ပေးခြင်းသည် SiC မျက်နှာပြင်၏ ရေစိုခံနိုင်မှုကို ထိရောက်စွာ တိုးတက်စေပြီး GaN epitaxial အလွှာကို နှစ်ဖက်မြင်ပုံစံဖြင့် ကြီးထွားစေနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည် ဖိစီးမှုကိုလည်း ထိန်းညှိပေးနိုင်ပြီး substrate ချို့ယွင်းချက်များကို GaN epitaxy အထိ တိုးချဲ့ခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးနိုင်သည်။
✔ SiC အောက်ခံများ၏ ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာသည် မရင့်ကျက်သေးဘဲ၊ အောက်ခံကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားပြီး ပေးသွင်းသူနည်းပါးပြီး ထောက်ပံ့မှုလည်း အနည်းငယ်သာရှိသည်။
Torres နှင့်အဖွဲ့၏ သုတေသနပြုချက်များအရ epitaxy မတိုင်မီ SiC အောက်ခံကို H2 ဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန် (1600°C) တွင် ထွင်းထုခြင်းသည် အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပိုမိုစနစ်တကျရှိသော step structure ကို ဖန်တီးပေးနိုင်ပြီး မူလအောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်ကြီးထွားသည့်အခါထက် အရည်အသွေးမြင့် AlN epitaxial film ကို ရရှိစေပါသည်။ Xie နှင့် ၎င်း၏အဖွဲ့၏ သုတေသနပြုချက်များအရ silicon carbide အောက်ခံ၏ ကြိုတင်ပြုပြင်မှုပြုလုပ်ခြင်းသည် GaN epitaxial အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို သိသိသာသာတိုးတက်ကောင်းမွန်စေနိုင်ကြောင်းလည်း ပြသထားသည်။ Smith နှင့်အဖွဲ့သည် အောက်ခံ/ဘပ်ဖာအလွှာနှင့် ဘပ်ဖာအလွှာ/အီပီတာဆီးယားအလွှာ interfaces မှ စတင်ဖြစ်ပေါ်လာသော threading dislocations များသည် အောက်ခံ၏ ပြားချပ်မှုနှင့် ဆက်စပ်နေကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့သည် [5]။
ပုံ ၄။ 6H-SiC အောက်ခံ (0001) ပေါ်တွင် မျက်နှာပြင်ကုသမှုအခြေအနေအမျိုးမျိုးအောက်တွင် ကြီးထွားလာသော GaN epitaxial အလွှာနမူနာများ၏ TEM morphology (က) ဓာတုဗေဒ သန့်ရှင်းရေး၊ (ခ) ဓာတုဗေဒ သန့်ရှင်းရေး + ဟိုက်ဒရိုဂျင် ပလာစမာ ကုသမှု၊ (ဂ) ဓာတုဗေဒ သန့်ရှင်းရေး + ဟိုက်ဒရိုဂျင် ပလာစမာ ကုသမှု + 1300 ℃ ဟိုက်ဒရိုဂျင် အပူပေးကုသမှု ၃၀ မိနစ်
Si ပေါ်ရှိ GaN epitaxation
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၊ နီလာနှင့် အခြားအလွှာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဆီလီကွန်အလွှာပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ရင့်ကျက်ပြီး မြင့်မားသောကုန်ကျစရိတ်စွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် ရင့်ကျက်သော အရွယ်အစားကြီးမားသောအလွှာများကို တည်ငြိမ်စွာပေးစွမ်းနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးမှုကောင်းမွန်ပြီး Si အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာလုပ်ငန်းစဉ်သည် ရင့်ကျက်သည်။ အနာဂတ်တွင် optoelectronic GaN ကိရိယာများကို Si အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများနှင့် ပြီးပြည့်စုံစွာပေါင်းစပ်နိုင်ခြင်းသည် ဆီလီကွန်ပေါ်တွင် GaN epitaxy ၏ တိုးတက်မှုကို အလွန်ဆွဲဆောင်မှုရှိစေသည်။
သို့သော် Si substrate နှင့် GaN ပစ္စည်းအကြား lattice constant များ ကွာခြားမှုကြီးမားသောကြောင့် Si substrate ပေါ်ရှိ GaN ၏ heterogeneous epitaxy သည် ပုံမှန် large mismatch epitaxy တစ်ခုဖြစ်ပြီး ပြဿနာများစွာနှင့်လည်း ရင်ဆိုင်ရပါမည်-
✔ မျက်နှာပြင်မျက်နှာပြင်စွမ်းအင်ပြဿနာ။ GaN သည် Si အောက်ခံပေါ်တွင်ကြီးထွားသောအခါ၊ Si အောက်ခံ၏မျက်နှာပြင်ကို ဦးစွာနိုက်ထရိုက်လုပ်မည်ဖြစ်ပြီး မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆ GaN ၏ နျူကလိယဖွဲ့စည်းမှုနှင့် ကြီးထွားမှုအတွက် မသင့်လျော်သော amorphous silicon nitride အလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းမည်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ Si မျက်နှာပြင်သည် Ga နှင့် ဦးစွာထိတွေ့မည်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် Si အောက်ခံ၏မျက်နှာပြင်ကို သံချေးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင်၊ Si မျက်နှာပြင်၏ပြိုကွဲမှုသည် GaN epitaxial အလွှာထဲသို့ပျံ့နှံ့သွားပြီး အနက်ရောင် silicon အစက်အပြောက်များဖြစ်ပေါ်စေမည်ဖြစ်သည်။
✔ GaN နှင့် Si အကြားရှိ lattice constant မကိုက်ညီမှုသည် များပြားသည် (~17%)၊ ၎င်းသည် high-density threading dislocations များဖွဲ့စည်းခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး epitaxial layer ၏ အရည်အသွေးကို သိသိသာသာ လျော့ကျစေပါသည်။
✔ Si နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက GaN တွင် အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်း ပိုမိုများပြားသည် (GaN ၏ အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်းမှာ 5.6×10-6K-1 ခန့်၊ Si ၏ အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်းမှာ 2.6×10-6K-1 ခန့်)၊ ထို့အပြင် epitaxial အပူချိန်ကို အခန်းအပူချိန်အထိ အအေးခံစဉ်အတွင်း GaN epitaxial အလွှာတွင် အက်ကွဲကြောင်းများ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်။
✔ Si သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် NH3 နှင့် ဓာတ်ပြုပြီး polycrystalline SiNx ကို ဖွဲ့စည်းသည်။ AlN သည် polycrystalline SiNx ပေါ်တွင် ဦးစားပေး oriented nucleus ကို မဖွဲ့စည်းနိုင်သောကြောင့် နောက်ပိုင်းတွင် ကြီးထွားလာသော GaN အလွှာ၏ မူမမှန်သော orientation နှင့် ချို့ယွင်းချက်များစွာကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး GaN epitaxial အလွှာ၏ crystal quality ညံ့ဖျင်းခြင်းနှင့် single-crystalline GaN epitaxial အလွှာ ဖွဲ့စည်းရန်ပင် ခက်ခဲစေသည် [6]။
ကြီးမားသော lattice မကိုက်ညီမှုပြဿနာကို ဖြေရှင်းရန်အတွက် သုတေသီများသည် Si substrates ပေါ်တွင် AlAs၊ GaAs၊ AlN၊ GaN၊ ZnO နှင့် SiC ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများကို buffer layers များအဖြစ် မိတ်ဆက်ပေးရန် ကြိုးစားခဲ့ကြသည်။ polycrystalline SiNx ဖွဲ့စည်းခြင်းကို ရှောင်ရှားရန်နှင့် GaN/AlN/Si (111) ပစ္စည်းများ၏ crystal quality အပေါ် ၎င်း၏ဆိုးကျိုးများကို လျှော့ချရန်အတွက်၊ NH3 သည် SiNx ဖွဲ့စည်းရန် ပေါ်ထွက်နေသော Si မျက်နှာပြင်နှင့် ဓာတ်ပြုခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် AlN buffer layer ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုမတိုင်မီ အချိန်အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ TMAl ကို မိတ်ဆက်ပေးရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ epitaxial layer ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန် patterned substrate နည်းပညာကဲ့သို့သော epitaxial နည်းပညာများကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် epitaxial interface တွင် SiNx ဖွဲ့စည်းခြင်းကို ဟန့်တားရန်၊ GaN epitaxial layer ၏ two-dimensional ကြီးထွားမှုကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် epitaxial layer ၏ ကြီးထွားမှု အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန် ကူညီပေးသည်။ ထို့အပြင်၊ silicon substrate ပေါ်ရှိ GaN epitaxial layer တွင် အက်ကွဲကြောင်းများကို ရှောင်ရှားရန် thermal expansion coefficients ကွာခြားမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော tensile stress ကို ပြန်လည်ဖြည့်တင်းရန် AlN buffer layer ကို မိတ်ဆက်ပေးသည်။ Krost ၏ သုတေသနပြုချက်အရ AlN buffer layer ၏ အထူနှင့် strain လျော့ကျမှုကြားတွင် အပြုသဘောဆောင်သော ဆက်စပ်မှုရှိကြောင်း ပြသထားသည်။ buffer layer အထူ 12nm သို့ ရောက်ရှိသောအခါ၊ epitaxial layer အက်ကွဲခြင်းမရှိဘဲ သင့်လျော်သော ကြီးထွားမှုပုံစံဖြင့် silicon substrate ပေါ်တွင် 6μm ထက်ထူသော epitaxial layer ကို ကြီးထွားစေနိုင်သည်။
သုတေသီများ၏ ရေရှည်ကြိုးပမ်းမှုများအပြီးတွင် ဆီလီကွန်အောက်ခံများပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော GaN epitaxial အလွှာများ၏ အရည်အသွေးသည် သိသိသာသာ တိုးတက်လာခဲ့ပြီး field effect transistors၊ Schottky barrier ultraviolet detectors၊ blue-green LEDs နှင့် ultraviolet lasers ကဲ့သို့သော ကိရိယာများသည် သိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုများရှိခဲ့သည်။
အကျဉ်းချုပ်အားဖြင့်၊ အသုံးများသော GaN epitaxial substrates များသည် ကွဲပြားသော epitaxy များဖြစ်သောကြောင့်၊ ၎င်းတို့အားလုံးသည် lattice mismatch နှင့် အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းများတွင် ကွဲပြားမှုများစွာကဲ့သို့သော အဖြစ်များသောပြဿနာများနှင့် ရင်ဆိုင်ကြရသည်။ Homogeneous epitaxial GaN substrates များသည် နည်းပညာရင့်ကျက်မှုကြောင့် အကန့်အသတ်ရှိပြီး substrates များကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်းမရှိသေးပါ။ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားပြီး substrate အရွယ်အစားသေးငယ်ပြီး substrate အရည်အသွေးသည် အကောင်းဆုံးမဟုတ်ပါ။ GaN epitaxial substrates အသစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် epitaxial အရည်အသွေး တိုးတက်လာခြင်းသည် GaN epitaxial လုပ်ငန်း၏ နောက်ထပ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ကန့်သတ်ထားသည့် အရေးကြီးသောအချက်များထဲမှ တစ်ခုအဖြစ် ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။
IV. GaN epitaxy အတွက် အသုံးများသော နည်းလမ်းများ
MOCVD (ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း)
GaN အောက်ခံများပေါ်တွင် တစ်သားတည်းဖြစ်သော epitaxy သည် GaN epitaxy အတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုဖြစ်ပုံရသည်။ သို့သော်၊ ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း၏ ရှေ့ပြေးများမှာ trimethylgallium နှင့် ammonia ဖြစ်ပြီး carrier gas မှာ hydrogen ဖြစ်သောကြောင့်၊ MOCVD ကြီးထွားမှုအပူချိန်မှာ ပုံမှန် 1000-1100 ℃ ခန့်ရှိပြီး MOCVD ၏ကြီးထွားမှုနှုန်းမှာ တစ်နာရီလျှင် မိုက်ခရွန်အနည်းငယ်ခန့်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အက်တမ်အဆင့်တွင် မတ်စောက်သော interface များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး၊ heterojunctions၊ quantum wells၊ superlattices နှင့် အခြားဖွဲ့စည်းပုံများ ကြီးထွားရန်အတွက် အလွန်သင့်လျော်ပါသည်။ ၎င်း၏ မြန်ဆန်သောကြီးထွားမှုနှုန်း၊ ကောင်းမွန်သော တစ်ပြေးညီဖြစ်မှုနှင့် ဧရိယာကျယ်ကြီးနှင့် အပိုင်းများစွာကြီးထွားမှုအတွက် သင့်လျော်မှုကို စက်မှုထုတ်လုပ်မှုတွင် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိသည်။
MBE (မော်လီကျူးရောင်ခြည် epitaxy)
မော်လီကျူးရောင်ခြည် epitaxy တွင်၊ Ga သည် ဒြပ်စင်အရင်းအမြစ်ကို အသုံးပြုပြီး တက်ကြွသောနိုက်ထရိုဂျင်ကို RF ပလာစမာမှတစ်ဆင့် နိုက်ထရိုဂျင်မှ ရရှိသည်။ MOCVD နည်းလမ်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MBE ကြီးထွားမှုအပူချိန်သည် 350-400 ℃ ခန့် လျော့နည်းသည်။ ကြီးထွားမှုအပူချိန်နိမ့်ခြင်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သော ညစ်ညမ်းမှုအချို့ကို ရှောင်ရှားနိုင်သည်။ MBE စနစ်သည် အလွန်မြင့်မားသောလေဟာနယ်အောက်တွင် လည်ပတ်သောကြောင့် ပိုမိုသော in-situ ထောက်လှမ်းနည်းလမ်းများကို ပေါင်းစပ်နိုင်စေပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်း၏ကြီးထွားမှုနှုန်းနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို MOCVD နှင့် နှိုင်းယှဉ်၍မရပါ၊ ၎င်းကို သိပ္ပံနည်းကျသုတေသနတွင် ပိုမိုအသုံးပြုသည် [7]။
ပုံ 5 (က) Eiko-MBE schematic (b) MBE ပင်မတုံ့ပြန်မှုအခန်း ဇယားကွက်
HVPE နည်းလမ်း (ဟိုက်ဒရိုက် အငွေ့အဆင့် ဖုံးအုပ်ခြင်း)
hydride vapor phase epitaxy နည်းလမ်း၏ ရှေ့ပြေးနိမိတ်များမှာ GaCl3 နှင့် NH3 တို့ဖြစ်သည်။ Detchprohm နှင့်အဖွဲ့သည် ဤနည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ sapphire substrate ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် မိုက်ခရွန်ရာပေါင်းများစွာထူသော GaN epitaxial အလွှာကို ကြီးထွားစေသည်။ ၎င်းတို့၏ စမ်းသပ်မှုတွင် ZnO အလွှာကို sapphire substrate နှင့် epitaxial အလွှာကြားတွင် buffer layer အဖြစ် ကြီးထွားစေပြီး epitaxial အလွှာကို substrate မျက်နှာပြင်မှ ခွာချလိုက်သည်။ MOCVD နှင့် MBE တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက HVPE နည်းလမ်း၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်မှာ ၎င်း၏ မြင့်မားသော ကြီးထွားမှုနှုန်းဖြစ်ပြီး အထူအလွှာများနှင့် အစုအဝေးပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။ သို့သော် epitaxial အလွှာ၏ အထူသည် 20μm ထက်ကျော်လွန်သောအခါ ဤနည်းလမ်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သော epitaxial အလွှာသည် အက်ကွဲကြောင်းများ ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိသည်။
Akira USUI သည် ဤနည်းလမ်းကိုအခြေခံ၍ ပုံစံတူ substrate နည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ ၎င်းတို့သည် MOCVD နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ sapphire substrate ပေါ်တွင် 1-1.5μm အထူ GaN epitaxial အလွှာပါးကို ဦးစွာ ကြီးထွားစေခဲ့သည်။ epitaxial အလွှာတွင် အပူချိန်နိမ့်သောအခြေအနေများတွင် ကြီးထွားလာသော 20nm အထူ GaN buffer အလွှာနှင့် အပူချိန်မြင့်သောအခြေအနေများတွင် ကြီးထွားလာသော GaN အလွှာတို့ ပါဝင်သည်။ ထို့နောက် 430℃ တွင်၊ epitaxial အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiO2 အလွှာကို ချထားပြီး၊ photolithography ဖြင့် SiO2 ဖလင်ပေါ်တွင် window stripes များကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ stripe အကွာအဝေးမှာ 7μm ရှိပြီး mask အကျယ်မှာ 1μm မှ 4μm အထိ ရှိသည်။ ဤတိုးတက်မှုအပြီးတွင်၊ ၎င်းတို့သည် အက်ကွဲခြင်းမရှိဘဲ အထူသည် မိုက်ခရွန်ဆယ်ဂဏန်း သို့မဟုတ် ရာပေါင်းများစွာအထိ တိုးလာသည့်တိုင် မှန်ကဲ့သို့ ချောမွေ့သော 2-လက်မ အချင်းရှိသော sapphire substrate ပေါ်တွင် GaN epitaxial အလွှာကို ရရှိခဲ့သည်။ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကို ရိုးရာ HVPE နည်းလမ်း၏ 109-1010cm-2 မှ 6×107cm-2 ခန့်အထိ လျှော့ချခဲ့သည်။ ကြီးထွားမှုနှုန်း 75μm/h ထက်ကျော်လွန်သွားသောအခါ နမူနာမျက်နှာပြင်သည် ကြမ်းတမ်းလာလိမ့်မည်ဟုလည်း ၎င်းတို့က စမ်းသပ်မှုတွင် ထောက်ပြခဲ့သည် [8]။
ပုံ ၆ ဂရပ်ဖစ် အလွှာပုံကြမ်း
V. အကျဉ်းချုပ်နှင့် အလားအလာ
၂၀၁၄ ခုနှစ်တွင် အပြာရောင်မီး LED သည် ထိုနှစ်တွင် ရူပဗေဒဆိုင်ရာ နိုဘယ်ဆုရရှိခဲ့ပြီး စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်ရှိ အမြန်အားသွင်းအသုံးချမှုနယ်ပယ်သို့ အများပြည်သူ၏ နယ်ပယ်သို့ ဝင်ရောက်လာခဲ့သည်။ အမှန်စင်စစ်၊ လူအများစုမမြင်နိုင်သော 5G အခြေစိုက်စခန်းများတွင် အသုံးပြုသည့် ပါဝါချဲ့စက်များနှင့် RF စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးချမှုများလည်း တိတ်တဆိတ်ပေါ်ပေါက်လာခဲ့သည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း GaN-အခြေခံ မော်တော်ကားအဆင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ တိုးတက်မှုသည် GaN ပစ္စည်းအသုံးချမှုဈေးကွက်အတွက် တိုးတက်မှုအမှတ်အသစ်များကို ဖွင့်လှစ်ပေးလိမ့်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
ကြီးမားသော ဈေးကွက်ဝယ်လိုအားသည် GaN နှင့်ဆက်စပ်သော စက်မှုလုပ်ငန်းများနှင့် နည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို သေချာပေါက် မြှင့်တင်ပေးလိမ့်မည်။ GaN နှင့်ဆက်စပ်သော စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ ရင့်ကျက်မှုနှင့် တိုးတက်မှုနှင့်အတူ လက်ရှိ GaN epitaxial နည်းပညာ ရင်ဆိုင်နေရသော ပြဿနာများကို နောက်ဆုံးတွင် တိုးတက်ကောင်းမွန်လာမည် သို့မဟုတ် ကျော်လွှားနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ အနာဂတ်တွင် လူများသည် epitaxial နည်းပညာအသစ်များနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော substrate ရွေးချယ်စရာများကို တီထွင်လာမည်မှာ သေချာပါသည်။ ထိုအချိန်တွင် လူများသည် အသုံးချမှုအခြေအနေများ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများအရ မတူညီသော အသုံးချမှုအခြေအနေများအတွက် အသင့်တော်ဆုံး ပြင်ပသုတေသနနည်းပညာနှင့် substrate ကို ရွေးချယ်နိုင်မည်ဖြစ်ပြီး အပြိုင်အဆိုင်အရှိဆုံး စိတ်ကြိုက်ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၂၈ ရက်