ဓာတုအငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု (CVD) အလွှာပါးထုတ်လွှတ်မှုနည်းပညာမိတ်ဆက်

ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (CVD) သည် အရေးကြီးသော အလွှာပါးများစုပုံခြင်းနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး အမျိုးမျိုးသောလုပ်ဆောင်ချက်ဆိုင်ရာဖလင်များနှင့် အလွှာပါးပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန် မကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

၁။ CVD ၏ အလုပ်လုပ်ပုံ အခြေခံမူ

CVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ ဓာတ်ငွေ့ရှေ့ပြေးဒြပ်ပေါင်း (ဓာတ်ငွေ့ရှေ့ပြေးဒြပ်ပေါင်း တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော) ကို အောက်ခံမျက်နှာပြင်နှင့်ထိတွေ့စေပြီး အပူချိန်တစ်ခုအထိအပူပေးကာ ဓာတုဓာတ်ပြုမှုဖြစ်ပေါ်စေပြီး အောက်ခံမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံကာ လိုချင်သောဖလင် သို့မဟုတ် အပေါ်ယံလွှာကို ဖွဲ့စည်းပေးသည်။ ဤဓာတုဓာတ်ပြုမှု၏ ထုတ်ကုန်မှာ အစိုင်အခဲတစ်ခုဖြစ်ပြီး များသောအားဖြင့် လိုချင်သောပစ္စည်း၏ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကို မျက်နှာပြင်တစ်ခုတွင် ကပ်လိုပါက ထရိုင်ကလိုရိုဆိုင်လိန်း (SiHCl3) ကို ရှေ့ပြေးဒြပ်ပေါင်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်- SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl ဆီလီကွန်သည် ပေါ်ထွက်နေသော မျက်နှာပြင်တိုင်း (အတွင်းပိုင်းနှင့် အပြင်ပိုင်း နှစ်မျိုးလုံး) နှင့် ကပ်သွားမည်ဖြစ်ပြီး ကလိုရင်းနှင့် ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်ဓာတ်ငွေ့များကို အခန်းမှ ထုတ်လွှတ်မည်ဖြစ်သည်။

၂။ CVD အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း

Thermal CVD: ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့ကို အပူပေးခြင်းဖြင့် ပြိုကွဲပြီး အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံစေခြင်းဖြင့်။ Plasma Enhanced CVD (PECVD): ဓာတ်ပြုမှုနှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် အနည်ကျခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် Thermal CVD ထဲသို့ Plasma ကို ထည့်သွင်းထားသည်။ Metal Organic CVD (MOCVD): သတ္တုအော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းများကို ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များအဖြစ် အသုံးပြု၍ သတ္တုနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ပါးလွှာသောအလွှာများကို ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး LED များကဲ့သို့သော စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် မကြာခဏ အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

၃။ လျှောက်လွှာ

(၁) တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်း

ဆီလီကိုက်ဖလင်- လျှပ်ကာအလွှာများ၊ အောက်ခံများ၊ အထီးကျန်အလွှာများ စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုသည်။ နိုက်ထရိုက်ဖလင်- ဆီလီကွန်နိုက်ထရိုက်၊ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိုက် စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုပြီး LED မီးများ၊ ပါဝါကိရိယာများ စသည်တို့တွင် အသုံးပြုသည်။ သတ္တုဖလင်- လျှပ်ကူးအလွှာများ၊ သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော အလွှာများ စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုသည်။

(၂) မျက်နှာပြင်နည်းပညာ

ITO ဖလင်- ပြားချပ်ချပ် မျက်နှာပြင်များနှင့် touch screen များတွင် အသုံးများသော ဖောက်ထွင်းမြင်ရသည့် လျှပ်ကူးအောက်ဆိုဒ် ဖလင်။ ကြေးနီဖလင်- မျက်နှာပြင် စက်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ထုပ်ပိုးမှုအလွှာများ၊ လျှပ်ကူးလိုင်းများ စသည်တို့ကို ပြင်ဆင်ရန် အသုံးပြုသည်။

(၃) အခြားနယ်ပယ်များ

အလင်းအလွှာများ- ရောင်ပြန်ဟပ်မှု ဆန့်ကျင်သည့် အပေါ်ယံလွှာများ၊ အလင်းအလွှာ စစ်ထုတ်ကိရိယာများ စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ သံချေးတက်မှု ဆန့်ကျင်သည့် အပေါ်ယံလွှာ- မော်တော်ကား အစိတ်အပိုင်းများ၊ အာကာသ စက်ပစ္စည်းများ စသည်တို့တွင် အသုံးပြုသည်။

၄။ CVD လုပ်ငန်းစဉ်၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ

တုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အပူချိန်မြင့်ပတ်ဝန်းကျင်ကို အသုံးပြုပါ။ ပုံမှန်အားဖြင့် ဖုန်စုပ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် လုပ်ဆောင်လေ့ရှိသည်။ ဆေးသုတ်ခြင်းမပြုမီ အစိတ်အပိုင်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားရမည်။ လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ဖုံးအုပ်နိုင်သော အောက်ခံများပေါ်တွင် ကန့်သတ်ချက်များရှိနိုင်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ အပူချိန်ကန့်သတ်ချက်များ သို့မဟုတ် တုံ့ပြန်မှုကန့်သတ်ချက်များ။ CVD ဖုံးအုပ်ခြင်းသည် ချည်မျှင်များ၊ မျက်ကွယ်အပေါက်များနှင့် အတွင်းပိုင်းမျက်နှာပြင်များအပါအဝင် အစိတ်အပိုင်း၏ နေရာအားလုံးကို ဖုံးအုပ်ပေးမည်ဖြစ်သည်။ သတ်မှတ်ထားသော ပစ်မှတ်နေရာများကို ဖုံးကွယ်နိုင်စွမ်းကို ကန့်သတ်နိုင်သည်။ ဖလင်အထူကို လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ပစ္စည်းအခြေအနေများကြောင့် ကန့်သတ်ထားသည်။ ကပ်ငြိမှု ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။

၅။ CVD နည်းပညာ၏ အားသာချက်များ

တစ်ပြေးညီဖြစ်မှု- ဧရိယာကျယ်သော အောက်ခံများပေါ်တွင် တစ်ပြေးညီ စုပုံနိုင်ခြင်း။

ထိန်းချုပ်နိုင်မှု- ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့၏ စီးဆင်းမှုနှုန်းနှင့် အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် အနည်ကျနှုန်းနှင့် ဖလင်ဂုဏ်သတ္တိများကို ချိန်ညှိနိုင်သည်။

စွယ်စုံရနိုင်မှု- သတ္တုများ၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၊ အောက်ဆိုဒ်များ စသည်တို့ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကို စုပုံရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။