ସମାଚାର

ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଉପରେ ଛିଦ୍ରଯୁକ୍ତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍‌ର ପ୍ରଭାବ ଉପରେ ସାଂଖ୍ୟିକ ସିମୁଲେସନ୍ ଅଧ୍ୟୟନ
୨୪-୦୬-୧୮ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
SiC ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧିର ମୌଳିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ କଞ୍ଚାମାଲର ଉତ୍ତପ୍ତକରଣ ଏବଂ ବିଘଟନ, ତାପମାତ୍ରା କ୍ରମାଗତ ପ୍ରଭାବରେ ଗ୍ୟାସ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦାର୍ଥର ପରିବହନ ଏବଂ ବିହନ ସ୍ଫଟିକରେ ଗ୍ୟାସ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପଦାର୍ଥର ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇଜେସନ୍ ବୃଦ୍ଧିରେ ବିଭକ୍ତ କରାଯାଇଛି। ଏହା ଉପରେ ଆଧାର କରି,...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ରାଫାଇଟର ପ୍ରକାରଭେଦ
୨୪-୦୬-୧୭ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏକ ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା, ଉଚ୍ଚ ଘନତ୍ୱ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଏଥିରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କ୍ଷୋଭ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ମହାନ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହୀତା ରହିଛି। ଏହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଚାପ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପରେ ପ୍ରାକୃତିକ କିମ୍ବା କୃତ୍ରିମ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ରେ ତିଆରି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଜମା ଉପକରଣର ବିଶ୍ଳେଷଣ - PECVD/LPCVD/ALD ଉପକରଣର ନୀତି ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ
୨୪-୦୬-୧୨ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଡିପୋଜିସନ ହେଉଛି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀର ମୁଖ୍ୟ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ଫିଲ୍ମର ଏକ ସ୍ତର ଆବରଣ କରିବା। ଏହି ଫିଲ୍ମ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀରୁ ତିଆରି ହୋଇପାରିବ, ଯେପରିକି ଇନସୁଲେଟିଂ ଯୌଗିକ ସିଲିକନ୍ ଡାଇଅକ୍ସାଇଡ୍, ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ପଲିସିଲିକନ୍, ଧାତୁ ତମ୍ବା, ଇତ୍ୟାଦି। ଆବରଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଉପକରଣକୁ ପତଳା ଫିଲ୍ମ ଡିପୋଜିସନ କୁହାଯାଏ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକନ୍ ବୃଦ୍ଧିର ଗୁଣବତ୍ତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରୁଥିବା ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସାମଗ୍ରୀ - ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର
୨୪-୦୬-୧୨ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ମନୋକ୍ରିଷ୍ଟାଲାଇନ୍ ସିଲିକର ବୃଦ୍ଧି ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସମ୍ପାଦିତ ହୁଏ। ଏକ ଭଲ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ସ୍ଫଟିକର ଗୁଣବତ୍ତା ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ସହାୟକ ହୋଇଥାଏ ଏବଂ ଏହାର ସ୍ଫଟିକରଣ ଦକ୍ଷତା ଅଧିକ ଥାଏ। ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ରର ଡିଜାଇନ୍ ମୁଖ୍ୟତଃ ତାପମାତ୍ରା ଗ୍ରାଡିଏଣ୍ଟରେ ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଅସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
୨୪-୦୬-୦୭ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ଉପକରଣ। ଏହା ପାରମ୍ପରିକ ସ୍ଫଟିକ ସିଲିକନ୍ ଗ୍ରେଡ୍ ସ୍ଫଟିକ ବୃଦ୍ଧି ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ସହିତ ସମାନ। ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ଗଠନ ବହୁତ ଜଟିଳ ନୁହେଁ। ଏହା ମୁଖ୍ୟତଃ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ ବଡି, ଗରମ ପ୍ରଣାଳୀ, କଏଲ୍ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମେକାନିଜିମ୍ ... ଦ୍ୱାରା ଗଠିତ।
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରର ତ୍ରୁଟିଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?
୨୪-୦୬-୦୫ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପାଇଁ ମୂଳ ପ୍ରଯୁକ୍ତି ହେଉଛି ପ୍ରଥମତଃ ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତି, ବିଶେଷକରି ତ୍ରୁଟି ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତି ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ବିଫଳତା କିମ୍ବା ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ହ୍ରାସର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ। ଏପିରେ ବିସ୍ତାରିତ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତ୍ରୁଟିର ଯନ୍ତ୍ରପାତିର ଅଧ୍ୟୟନ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଅକ୍ସିଡାଇଜଡ୍ ଷ୍ଟଣ୍ଡିଂ ଶସ୍ୟ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଗ୍ରୋଥ୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି-Ⅱ
୨୪-୦୫-୩୦ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
2. ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ପତଳା ଫିଲ୍ମ ବୃଦ୍ଧି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ Ga2O3 ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ଏକ ଭୌତିକ ସମର୍ଥନ ସ୍ତର କିମ୍ବା ପରିବାହୀ ସ୍ତର ପ୍ରଦାନ କରେ। ପରବର୍ତ୍ତୀ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ତର ହେଉଛି ଚ୍ୟାନେଲ ସ୍ତର କିମ୍ବା ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଯାହାକୁ ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ବାହକ ପରିବହନ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ। ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ଏବଂ କନଫିକ୍ସନକୁ କମ କରିବା ପାଇଁ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ଗାଲିୟମ୍ ଅକ୍ସାଇଡ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ ଏବଂ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା
୨୪-୦୫-୩୦ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଦ୍ୱାରା ପ୍ରତିନିଧିତ୍ୱ କରାଯାଇଥିବା ୱାଇଡ୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ (WBG) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ବ୍ୟାପକ ଦୃଷ୍ଟି ଆକର୍ଷଣ କରିଛନ୍ତି। ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ପାୱାର ଗ୍ରୀଡ୍‌ରେ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍‌ର ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ସହିତ ଗାଲିୟମ୍‌ର ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ପାଇଁ ଲୋକଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଆଶା ରହିଛି...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକଗୁଡ଼ିକ କ’ଣ?Ⅱ
୨୪-୦୫-୨୨ ରେ ଆଡମିନଙ୍କ ଦ୍ଵାରା
ସ୍ଥିର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସହିତ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ବହୁଳ ପରିମାଣରେ ଉତ୍ପାଦନ କରୁଥିବା ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ୱେଫର୍‌ରେ ବୈଷୟିକ ଅସୁବିଧାଗୁଡ଼ିକ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ: 1) ଯେହେତୁ ସ୍ଫଟିକଗୁଡ଼ିକୁ 2000°C ଉପରେ ଏକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ସିଲ୍ ହୋଇଥିବା ପରିବେଶରେ ବଢ଼ିବାକୁ ପଡ଼ିଥାଏ, ତେଣୁ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକତା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଉଚ୍ଚ; 2) ଯେହେତୁ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ...
ଅଧିକ ପଢ଼ନ୍ତୁ