Vijesti

Koji je mehanizam planarizacije CMP-a?
od strane administratora dana 24.11.25.
Dual-Damascene je procesna tehnologija koja se koristi za proizvodnju metalnih međuspojeva u integriranim kolima. To je daljnji razvoj Damascus procesa. Formiranjem prolaznih rupa i žljebova istovremeno u istom procesnom koraku i njihovim punjenjem metalom, integrirana proizvodnja m...
Pročitajte više
Grafit sa TaC premazom
od strane administratora dana 24.11.21.
I. Istraživanje parametara procesa 1. Sistem TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura taloženja: Prema termodinamičkoj formuli, izračunato je da je Gibbsova slobodna energija reakcije vrlo niska kada je temperatura veća od 1273K i reakcija je relativno završena. Stvar...
Pročitajte više
Proces i tehnologija opreme za rast kristala silicijum karbida
od strane administratora dana 24.11.21.
1. Tehnologija rasta SiC kristala putem PVT (sublimacijska metoda), HTCBD (CVD na visokim temperaturama) i LPE (metoda tečne faze) su tri uobičajene metode rasta SiC kristala; Najpriznatija metoda u industriji je PVT metoda, a više od 95% SiC monokristala uzgaja se PVT-om ...
Pročitajte više
Priprema i poboljšanje performansi poroznih silicijum-ugljičnih kompozitnih materijala
od strane administratora dana 24.11.2013.
Litijum-jonske baterije se uglavnom razvijaju u pravcu visoke gustine energije. Na sobnoj temperaturi, materijali negativnih elektroda na bazi silicija legiraju sa litijem da bi se dobio proizvod bogat litijumom, Li3.75Si faza, sa specifičnim kapacitetom do 3572 mAh/g, što je mnogo više od teorije...
Pročitajte više
Termička oksidacija monokristalnog silicija
od strane administratora dana 24.11.2013.
Formiranje silicijum dioksida na površini silicija naziva se oksidacija, a stvaranje stabilnog i snažno prianjajućeg silicijum dioksida dovelo je do rođenja planarne tehnologije integrisanih kola na bazi silicija. Iako postoji mnogo načina za uzgoj silicijum dioksida direktno na površini silicija...
Pročitajte više
UV obrada za pakovanje na nivou pločice sa ventilatorom
od strane administratora dana 24.11.2005.
Pakovanje na nivou pločice (FOWLP) je isplativa metoda u industriji poluprovodnika. Ali tipične nuspojave ovog procesa su savijanje i pomak čipa. Uprkos kontinuiranom poboljšanju tehnologije pakovanja na nivou pločice i panela, ovi problemi vezani za kalupljenje i dalje postoje...
Pročitajte više
Silicijum-karbidna keramika: terminator fotonaponskih kvarcnih komponenti
od strane administratora dana 24.11.2005.
S kontinuiranim razvojem današnjeg svijeta, neobnovljivi izvori energije se sve više iscrpljuju, a ljudsko društvo sve više ima potrebu za korištenjem obnovljive energije koju predstavljaju „vjetar, svjetlost, voda i nuklearna energija“. U poređenju s drugim obnovljivim izvorima energije, ljudska bića...
Pročitajte više
Proces pripreme silicijum-karbidne keramike reakcijskim sinterovanjem i sinterovanjem bez pritiska
od strane administratora dana 24.10.2029.
Reakcijsko sinterovanje Proces proizvodnje silicijum karbidne keramike reakcijskim sinterovanjem uključuje keramičko sabijanje, sabijanje infiltracijom fluksa za sinterovanje, pripremu keramičkog proizvoda reakcijskim sinterovanjem, pripremu silicijum karbidne drvene keramike i druge korake. Reakcijsko sinterovanje silicijum ...
Pročitajte više
Silicijum-karbidna keramika: precizne komponente neophodne za poluprovodničke procese
od strane administratora dana 24.10.2029.
Tehnologija fotolitografije se uglavnom fokusira na korištenje optičkih sistema za eksponiranje uzoraka kola na silicijumskim pločicama. Tačnost ovog procesa direktno utiče na performanse i prinos integrisanih kola. Kao jedna od najboljih oprema za proizvodnju čipova, litografska mašina sadrži do...
Pročitajte više