Tin tức

Cơ chế làm phẳng bề mặt của CMP là gì?
bởi quản trị viên vào ngày 24-11-2025
Công nghệ Dual-Damascene là một quy trình công nghệ được sử dụng để sản xuất các đường dẫn kim loại trong mạch tích hợp. Đây là sự phát triển tiếp theo của quy trình Damascus. Bằng cách tạo ra các lỗ xuyên và rãnh cùng một lúc trong cùng một bước quy trình và lấp đầy chúng bằng kim loại, quá trình sản xuất tích hợp các đường dẫn kim loại...
Đọc thêm
Than chì với lớp phủ TaC
bởi admin vào ngày 24-11-2021
I. Khám phá các thông số quy trình 1. Hệ TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Nhiệt độ lắng đọng: Theo công thức nhiệt động học, người ta tính toán rằng khi nhiệt độ lớn hơn 1273K, năng lượng tự do Gibbs của phản ứng rất thấp và phản ứng tương đối hoàn toàn. ...
Đọc thêm
Quy trình và thiết bị công nghệ nuôi cấy tinh thể silic cacbua
bởi admin vào ngày 24-11-2021
1. Các phương pháp công nghệ nuôi cấy tinh thể SiC: PVT (phương pháp thăng hoa), HTCVD (CVD nhiệt độ cao), LPE (phương pháp pha lỏng) là ba phương pháp nuôi cấy tinh thể SiC phổ biến; Phương pháp được công nhận rộng rãi nhất trong ngành là phương pháp PVT, và hơn 95% tinh thể đơn SiC được nuôi cấy bằng phương pháp PVT...
Đọc thêm
Chuẩn bị và nâng cao hiệu năng của vật liệu composite silicon cacbon xốp
bởi quản trị viên vào ngày 24-11-13
Pin lithium-ion chủ yếu phát triển theo hướng mật độ năng lượng cao. Ở nhiệt độ phòng, vật liệu điện cực âm gốc silicon hợp kim với lithium để tạo ra sản phẩm giàu lithium có pha Li3.75Si, với dung lượng riêng lên đến 3572 mAh/g, cao hơn nhiều so với lý thuyết...
Đọc thêm
Quá trình oxy hóa nhiệt của silicon đơn tinh thể
bởi quản trị viên vào ngày 24-11-13
Quá trình hình thành silic dioxide trên bề mặt silic được gọi là quá trình oxy hóa, và việc tạo ra silic dioxide ổn định và bám dính mạnh đã dẫn đến sự ra đời của công nghệ mạch tích hợp silicon phẳng. Mặc dù có nhiều cách để tạo ra silic dioxide trực tiếp trên bề mặt silic...
Đọc thêm
Xử lý bằng tia cực tím cho bao bì cấp wafer dạng quạt
bởi quản trị viên vào ngày 24-11-05
Công nghệ đóng gói wafer dạng fan-out (FOWLP) là một phương pháp tiết kiệm chi phí trong ngành công nghiệp bán dẫn. Tuy nhiên, các tác dụng phụ điển hình của quy trình này là hiện tượng cong vênh và lệch chip. Mặc dù công nghệ fan-out ở cấp độ wafer và panel liên tục được cải tiến, những vấn đề liên quan đến quá trình tạo khuôn vẫn còn tồn tại...
Đọc thêm
Gốm cacbua silic: yếu tố quyết định sự hoàn hảo của các linh kiện thạch anh quang điện.
bởi quản trị viên vào ngày 24-11-05
Với sự phát triển không ngừng của thế giới hiện nay, năng lượng không tái tạo đang ngày càng cạn kiệt, và xã hội loài người ngày càng cần sử dụng năng lượng tái tạo, điển hình là “gió, điện, nước và hạt nhân”. So với các nguồn năng lượng tái tạo khác, con người…
Đọc thêm
Quy trình chế tạo gốm cacbua silic bằng phương pháp thiêu kết phản ứng và thiêu kết không áp suất
bởi quản trị viên vào ngày 24-10-2029
Quá trình sản xuất gốm silicon carbide bằng phương pháp thiêu kết phản ứng bao gồm các bước: nén gốm, nén chất trợ dung thiêu kết, chuẩn bị sản phẩm gốm thiêu kết phản ứng, chuẩn bị gốm silicon carbide dạng gỗ và các bước khác. Thiêu kết phản ứng silicon...
Đọc thêm
Gốm cacbua silic: các linh kiện chính xác cần thiết cho quy trình sản xuất bán dẫn.
bởi quản trị viên vào ngày 24-10-2029
Công nghệ quang khắc chủ yếu tập trung vào việc sử dụng các hệ thống quang học để tạo ra các mẫu mạch trên tấm silicon. Độ chính xác của quy trình này ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất và năng suất của các mạch tích hợp. Là một trong những thiết bị hàng đầu trong sản xuất chip, máy quang khắc bao gồm...
Đọc thêm