Novaĵoj

Kio estas la planariga mekanismo de CMP?
de administranto je 24-11-25
Duobla-Damascena estas procezteknologio uzata por fabriki metalajn interkonektilojn en integraj cirkvitoj. Ĝi estas plua evoluo de la Damaska procezo. Per formado de traaj truoj kaj kaneloj samtempe en la sama procezpaŝo kaj plenigado de ili per metalo, la integra fabrikado de m...
Legu pli
Grafito kun TaC-tegaĵo
de administranto je 24-11-21
I. Esplorado de procezaj parametroj 1. Sistemo TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Depozicia temperaturo: Laŭ la termodinamika formulo, oni kalkulas, ke kiam la temperaturo estas pli granda ol 1273K, la libera energio de Gibbs de la reakcio estas tre malalta kaj la reakcio estas relative kompleta. La realo...
Legu pli
Procezo kaj ekipaĵteknologio de kristalkresko de silicikarbido
de administranto je 24-11-21
1. Teknologio por SiC-kristala kresko PVT (sublima metodo), HTCVD (alttemperatura CVD), LPE (likva faza metodo) estas tri oftaj SiC-kristalaj kreskometodoj; La plej agnoskita metodo en la industrio estas la PVT-metodo, kaj pli ol 95% de SiC-unuopaj kristaloj estas kreskigitaj per la PVT ...
Legu pli
Preparado kaj Plibonigo de Efikeco de Poraj Siliciaj Karbonaj Kompozitaj Materialoj
de administranto je 24-11-13
Litio-jonaj baterioj ĉefe evoluas en la direkto de alta energidenseco. Ĉe ĉambra temperaturo, silicibazitaj negativaj elektrodaj materialoj alojiĝas kun litio por produkti litio-riĉan produkton Li3.75Si-fazon, kun specifa kapacito ĝis 3572 mAh/g, kio estas multe pli alta ol la teorio...
Legu pli
Termika Oksidigo de Unukristala Silicio
de administranto je 24-11-13
La formado de silicia dioksido sur la surfaco de silicio nomiĝas oksidiĝo, kaj la kreado de stabila kaj forte adhera silicia dioksido kondukis al la naskiĝo de la planara teknologio de siliciaj integraj cirkvitoj. Kvankam ekzistas multaj manieroj kreskigi silician dioksidon rekte sur la surfaco de silicio...
Legu pli
UV-Prilaborado por Ventolebla Oblet-Nivela Enpakado
de administranto je 24-11-05
Ventolebla pakado je valfaŭlta nivelo (FOWLP) estas kostefika metodo en la duonkonduktaĵa industrio. Sed la tipaj kromefikoj de ĉi tiu procezo estas varpiĝo kaj ico-ofseto. Malgraŭ la kontinua plibonigo de la ventolila teknologio je valfaŭlta kaj panela nivelo, ĉi tiuj problemoj rilataj al muldado ankoraŭ ekzistas...
Legu pli
Siliciokarbida ceramikaĵo: la finilo de fotovoltaecaj kvarcaj komponantoj
de administranto je 24-11-05
Kun la kontinua evoluo de la hodiaŭa mondo, ne-renovigebla energio fariĝas pli kaj pli elĉerpiĝanta, kaj la homa socio pli kaj pli urĝas uzi renovigeblan energion reprezentitan de "vento, lumo, akvo kaj nuklea energio". Kompare kun aliaj renovigeblaj energifontoj, homoj...
Legu pli
Reakcia sintrado kaj senprema sintrado de silicia karbida ceramika preparprocezo
de administranto je 24-10-29
Reakcia sintrado La produktadprocezo de reakcia sintrado de silicia karbida ceramika inkluzivas kompaktigon de ceramika, kompaktigon de sintrada flua enfiltriĝa agento, preparadon de reakcia sintrado de ceramika produkto, preparadon de silicia karbida lignoceramika kaj aliajn paŝojn. Reakcia sintrado de silicio ...
Legu pli
Siliciokarbida ceramikaĵo: precizaj komponantoj necesaj por duonkonduktaĵaj procezoj
de administranto je 24-10-29
Fotolitografia teknologio ĉefe fokusiĝas al uzado de optikaj sistemoj por malkaŝi cirkvitajn ŝablonojn sur siliciaj obleoj. La precizeco de ĉi tiu procezo rekte influas la funkciadon kaj rendimenton de integraj cirkvitoj. Kiel unu el la plej bonaj ekipaĵoj por fabrikado de ĉipoj, la litografia maŝino enhavas ĝis...
Legu pli