Nijs

Wat is it planarisaasjemeganisme fan CMP?
troch behearder op 24-11-25
Dual-Damasceen is in prosestechnology dy't brûkt wurdt om metalen ferbiningen te meitsjen yn yntegreare circuits. It is in fierdere ûntwikkeling fan it Damaskus-proses. Troch tagelyk trochgeande gatten en groeven te foarmjen yn deselde prosesstap en se te foljen mei metaal, kin de yntegreare fabrikaazje fan m...
Lês mear
Grafyt mei TaC-coating
troch behearder op 24-11-21
I. Ferkenning fan prosesparameters 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar-systeem 2. Ofsettingstemperatuer: Neffens de termodynamyske formule wurdt berekkene dat as de temperatuer heger is as 1273K, de Gibbs-frije enerzjy fan 'e reaksje tige leech is en de reaksje relatyf foltôge is. De re...
Lês mear
Silisiumkarbid kristalgroeiproses en apparatuertechnology
troch behearder op 24-11-21
1. SiC-kristalgroeitechnologyrûte PVT (sublimaasjemetoade), HTCVD (hege temperatuer CVD), LPE (floeibere fazemetoade) binne trije mienskiplike SiC-kristalgroeimetoaden; De meast erkende metoade yn 'e yndustry is de PVT-metoade, en mear as 95% fan SiC-ienkristallen wurde groeid troch de PVT ...
Lês mear
Tarieding en prestaasjeferbettering fan poreuze silisiumkoalstofkompositmaterialen
troch behearder op 24-11-13
Lithium-ion-batterijen ûntwikkelje har benammen yn 'e rjochting fan hege enerzjytichtens. By keamertemperatuer wurde negative elektrodematerialen op basis fan silisium legearre mei lithium om in lithiumrike produkt Li3.75Si-faze te produsearjen, mei in spesifike kapasiteit oant 3572 mAh/g, wat folle heger is as de teory...
Lês mear
Termyske oksidaasje fan ienkristal silisium
troch behearder op 24-11-13
De foarming fan silisiumdiokside op it oerflak fan silisium wurdt oksidaasje neamd, en de skepping fan stabile en sterk oanhingjende silisiumdiokside late ta de berte fan silisium-yntergreare circuit planêre technology. Hoewol d'r in protte manieren binne om silisiumdiokside direkt op it oerflak fan siliko te groeien ...
Lês mear
UV-ferwurking foar Fan-Out Wafer-Level Packaging
troch behearder op 24-11-05
Fan-out wafer-nivo-ferpakking (FOWLP) is in kosten-effektive metoade yn 'e healgeleideryndustry. Mar de typyske side-effekten fan dit proses binne kromtrekken en chip-offset. Nettsjinsteande de trochgeande ferbettering fan wafer-nivo- en panielnivo-fan-outtechnology, besteane dizze problemen yn ferbân mei foarmjaan noch altyd...
Lês mear
Silisiumkarbidkeramyk: de terminator fan fotovoltaïske kwartskomponinten
troch behearder op 24-11-05
Mei de trochgeande ûntwikkeling fan 'e wrâld fan hjoed wurdt net-duorsume enerzjy hieltyd mear útput, en de minsklike maatskippij is hieltyd driuwender om duorsume enerzjy te brûken, fertsjintwurdige troch "wyn, ljocht, wetter en kearnsintrales". Yn ferliking mei oare duorsume enerzjyboarnen, minsken...
Lês mear
Reaksjesinterjen en drukleaze sinterjen fan silisiumkarbide keramyk tariedingsproses
troch behearder op 24-10-29
Reaksjesinterjen It produksjeproses fan silisiumkarbidkeramyk mei reaksjesinterjen omfettet keramykkompaktearjen, sinterfluxinfiltraasjemiddelkompaktearjen, reaksjesinterjen fan keramykprodukttarieding, silisiumkarbidhoutkeramyktarieding en oare stappen. Reaksjesinterjen fan silisium ...
Lês mear
Silisiumkarbidkeramyk: presyzjekomponinten nedich foar healgeleiderprosessen
troch behearder op 24-10-29
Fotolitografytechnology rjochtet him benammen op it brûken fan optyske systemen om circuitpatroanen op silisiumwafers bleat te lizzen. De krektens fan dit proses beynfloedet direkt de prestaasjes en opbringst fan yntegreare circuits. As ien fan 'e topapparaten foar chipproduksje befettet de litografymasine oant ...
Lês mear