Графитовые подложки для эпитаксии SiC, покрытые SiC, полученные методом MOCVD, графитовые подложки для эпитаксии SiC.

Графитовые подложки для пластин, покрытых SiC, полученные методом MOCVD, графитовые подложки для эпитаксии SiC (изображение на рисунке)

Краткое описание:

Покрытие из карбида кремния (SiC) графитовой подложки для полупроводниковых применений позволяет получить детали с превосходной чистотой и устойчивостью к окислительной атмосфере. SiC, полученный методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) или химического осаждения из газовой фазы (CVI), наносится на графит для деталей простой или сложной конструкции. Покрытие может наноситься различной толщины и на очень большие детали.

Место происхождения:Чжэцзян, Китай (материк)

Номер модели:Номер модели:

Химический состав:графит, покрытый карбидом кремния

Прочность на изгиб:470 МПа

Теплопроводность:300 Вт/мК

Качество:Идеальный

Функция:CVD-SiC

Приложение:Полупроводниковые/фотоэлектрические элементы

Плотность:3,21 г/см³

Тепловое расширение:4 10-6/K

Пепел: <5 ppm

Образец:Доступно

Код ТН ВЭД:6903100000

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Подробная информация о товаре

Метки товаров

SiC-покрытие, графитовые MOCVD-носители для пластин, графитовые подложки дляЭпитаксия SiC,
Углерод поставляет суцепторы, Графитовые эпитаксические восприимчивые, Графитовые подложки, MOCVD Susceptor, Эпитаксия SiC, Подложки для пластин,

К особым преимуществам наших графитовых подложек с покрытием из карбида кремния относятся чрезвычайно высокая чистота, однородное покрытие и превосходный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термостойкостью.

Покрытие из карбида кремния (SiC) графитовой подложки для применения в полупроводниковой промышленности позволяет получить деталь с превосходной чистотой и устойчивостью к окислительной атмосфере.
CVD SiC или CVI SiC применяется для нанесения покрытия на графит при изготовлении деталей простой или сложной конструкции. Покрытие может иметь различную толщину и наноситься на очень крупные детали.

SiC покрытие/покрытый MOCVD-сусцептор

Функции:
• Превосходная устойчивость к термическим ударам
• Превосходная ударопрочность
• Отличная химическая стойкость
• Сверхвысокая чистота
• Доступность в сложных формах
• Пригоден для использования в окислительной атмосфере

Приложение:

Типичные свойства основного графитового материала:

Кажущаяся плотность:	1,85 г/см³
Электрическое сопротивление:	11 мкОм
Прочность на сгибания:	49 МПа (500 кгс/см²)
Твердость по Шору:	58
Пепел:	<5 ppm
Теплопроводность:	116 Вт/мК (100 ккал/мч-℃)

Углерод поставляет суцепторыи графитовые компоненты для всех современных эпитаксиальных реакторов. Наш ассортимент включает цилиндрические подложки для установок прикладной и жидкофазной эпитаксии, плоские подложки для установок жидкофазной эпитаксии, центробежной эпитаксии и Gemini, а также подложки для отдельных пластин для установок прикладной и ASM эпитаксии. Благодаря прочным партнерским отношениям с ведущими OEM-производителями, экспертным знаниям в области материалов и производственному опыту, SGL предлагает оптимальную конструкцию для вашего применения.