Аннарывафлиалдагы процессны үткәннән соң, чип әзерләү тәмамланган, һәм аны пластинадагы чипларны аеру өчен кисәргә, һәм ниһаять, төргәкләргә кирәк.вафлиТөрле калынлыктагы пластиналар өчен сайланган кисү процессы да төрле:
▪Вафлилар100 мкм дан артык калынлыктагылар, гадәттә, пычаклар белән киселә;
▪Вафлилар100 мкм дан ким калынлыктагы матдәләр, гадәттә, лазер белән киселә. Лазер белән кисү кабык чыгу һәм ярылу проблемаларын киметергә мөмкин, ләкин ул 100 мкм дан югары булганда, җитештерү нәтиҗәлелеге сизелерлек кими;
▪Вафлилар30 мкм дан кимрәк калынлыктагы пластиналар плазма белән киселә. Плазма кисү тиз һәм пластина өслегенә зыян китерми, шуның белән уңышны арттыра, ләкин аның процессы катлаулырак;
Пластинаны кисү процессында, куркынычсызрак "бергәләп" кисүне тәэмин итү өчен, алдан пластинага пленка сөртеләчәк. Аның төп функцияләре түбәндәгеләр.
Вафлины төзәтегез һәм саклагыз
Ваклап турау операциясе вакытында пластинаны төгәл кисәргә кирәк.Вафлиларгадәттә нечкә һәм сынучан була. УВ тасмасы пластинаны рамкага яки пластина этабына нык ябыштыра ала, кисү процессында пластинаның күчеп һәм селкенеп китүен булдырмый, кисүнең төгәллеген һәм төгәллеген тәэмин итә.
Ул пластина өчен яхшы физик яклау бирә ала, зыян күрүдән саклый алавафликисү процессында барлыкка килергә мөмкин булган тышкы көч тәэсире һәм ышкылу, мәсәлән, ярыклар, кырыйларның җимерелүе һәм башка кимчелекләр нәтиҗәсендә барлыкка килә, һәм пластина өслегендәге вак структурасын һәм схемасын саклый.
Уңайлы кисү операциясе
УВ тасмасы тиешле эластиклыкка һәм сыгылмалылыкка ия, һәм кисү пычагы киселгәндә уртача деформацияләнә ала, бу кисү процессын йомшарта, пычак һәм пластинага кисү каршылыгының тискәре йогынтысын киметә, һәм кисү сыйфатын һәм пычакның хезмәт итү вакытын яхшыртуга ярдәм итә. Аның өслек үзенчәлекләре кисү нәтиҗәсендә барлыкка килгән чүп-чарның сиптермичә тасмага яхшырак ябышуына мөмкинлек бирә, бу кисү мәйданын соңыннан чистарту, эш мохитен чагыштырмача чиста тоту һәм чүп-чарның пластина һәм башка җиһазларга пычрануын яки комачаулавын булдырмаска ярдәм итә.
Соңрак җиңел идарә ителә
Пластинаны кискәннән соң, билгеле бер дулкын озынлыгындагы һәм интенсивлыгындагы ультрафиолет нурлары белән нурландыру ярдәмендә ультрафиолет тасмасының ябышлыгын тиз киметергә яки хәтта тулысынча югалтырга мөмкин, шуңа күрә киселгән чипны тасмадан җиңел аерып була, бу чипны аннан соң төргәкләү, сынау һәм башка процесс агымнары өчен уңайлы, һәм бу аеру процессында чипка зыян китерү куркынычы бик түбән.
Бастырылган вакыты: 2024 елның 16 декабре