Новини

Чисельне моделювання впливу пористого графіту на ріст кристалів карбіду кремнію
адміністратором від 24-06-18
Основний процес росту кристалів SiC поділяється на сублімацію та розкладання сировини за високої температури, транспортування речовин у газовій фазі під дією градієнта температури та ріст речовин у газовій фазі шляхом рекристалізації на зародковому кристалі. Виходячи з цього,...
Читати далі
Види спеціального графіту
адміністратором від 24-06-17
Спеціальний графіт — це графітовий матеріал високої чистоти, щільності та міцності, який має чудову стійкість до корозії, стабільність при високих температурах та чудову електропровідність. Він виготовляється з натурального або штучного графіту після високотемпературної термічної обробки та обробки під високим тиском...
Читати далі
Аналіз обладнання для нанесення тонких плівок – принципи та застосування обладнання PECVD/LPCVD/ALD
адміністратором від 24-06-12
Тонкоплівкове осадження полягає у нанесенні шару плівки на основний матеріал підкладки напівпровідника. Ця плівка може бути виготовлена з різних матеріалів, таких як ізолююча сполука діоксид кремнію, напівпровідниковий полікремній, металева мідь тощо. Обладнання, яке використовується для нанесення покриття, називається тонкоплівковим осадженням...
Читати далі
Важливі матеріали, що визначають якість вирощування монокристалічного кремнію – теплове поле
адміністратором від 24-06-12
Процес росту монокристалічного кремнію повністю здійснюється в тепловому полі. Гарне теплове поле сприяє покращенню якості кристалів та має вищу ефективність кристалізації. Конструкція теплового поля значною мірою визначає зміни температурних градієнтів...
Читати далі
Які технічні труднощі виникають при використанні печі для вирощування кристалів карбіду кремнію?
адміністратором від 24-06-07
Піч для вирощування кристалів є основним обладнанням для вирощування кристалів карбіду кремнію. Вона подібна до традиційної печі для вирощування кристалів кристалічного кремнію. Конструкція печі не дуже складна. Вона в основному складається з корпусу печі, системи нагріву, механізму передачі котушок...
Читати далі
Які дефекти епітаксіального шару карбіду кремнію?
адміністратором від 24-06-05
Основною технологією вирощування епітаксіальних матеріалів SiC є, перш за все, технологія контролю дефектів, особливо для технології контролю дефектів, яка схильна до відмови пристрою або зниження надійності. Вивчення механізму поширення дефектів підкладки в епі...
Читати далі
Технологія окисленого стоячого зерна та епітаксіального росту-II
адміністратором від 24-05-30
2. Епітаксіальне вирощування тонких плівок. Підкладка забезпечує фізичний опорний шар або провідний шар для силових пристроїв Ga2O3. Наступним важливим шаром є канальний шар або епітаксіальний шар, який використовується для опору напрузі та транспортування носіїв заряду. Для того, щоб збільшити пробивну напругу та мінімізувати перенапругу...
Читати далі
Монокристалічний та епітаксіальний вирощування оксиду галію
адміністратором від 24-05-30
Широкозонні напівпровідники (ШЗЗ), представлені карбідом кремнію (SiC) та нітридом галію (GaN), отримали широку увагу. Люди мають великі очікування щодо перспектив застосування карбіду кремнію в електромобілях та енергетичних мережах, а також перспектив застосування галію...
Читати далі
Які технічні бар'єри існують для карбіду кремнію?Ⅱ
адміністратором від 24-05-22
Технічні труднощі стабільного масового виробництва високоякісних пластин карбіду кремнію зі стабільними характеристиками включають: 1) Оскільки кристали повинні рости у високотемпературному герметичному середовищі вище 2000°C, вимоги до контролю температури надзвичайно високі; 2) Оскільки карбід кремнію має ...
Читати далі