Veterinario-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento es un revestimiento protector de alto rendimiento hecho de materiales extremadamente duros y resistentes al desgaste.carburo de silicio (SiC)Material que proporciona una excelente resistencia a la corrosión química y estabilidad a altas temperaturas. Estas características son cruciales en la producción de semiconductores, por lo queRecubrimiento cerámico de carburo de silicioSe utiliza ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores.
El papel específico de Vet-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento en la producción de semiconductores es el siguiente:
Mejore la durabilidad del equipo:Recubrimiento cerámico de carburo de silicio. El recubrimiento cerámico de carburo de silicio proporciona una excelente protección superficial para equipos de fabricación de semiconductores gracias a su altísima dureza y resistencia al desgaste. Especialmente en entornos de procesos de alta temperatura y alta corrosión, como la deposición química en fase de vapor (CVD) y el grabado por plasma, el recubrimiento previene eficazmente daños en la superficie del equipo por erosión química o desgaste físico, prolongando así significativamente su vida útil y reduciendo el tiempo de inactividad causado por las frecuentes sustituciones y reparaciones.
Mejorar la pureza del proceso:En el proceso de fabricación de semiconductores, la más mínima contaminación puede causar defectos en el producto. La inercia química del recubrimiento cerámico de carburo de silicio le permite mantenerse estable en condiciones extremas, impidiendo que el material libere partículas o impurezas, garantizando así la pureza ambiental del proceso. Esto es especialmente importante en las etapas de fabricación que requieren alta precisión y limpieza, como la deposición electrostática por deposición electrostática (PECVD) y la implantación de iones.
Optimizar la gestión térmica:En el procesamiento de semiconductores a alta temperatura, como el procesamiento térmico rápido (RTP) y los procesos de oxidación, la alta conductividad térmica del recubrimiento cerámico de carburo de silicio permite una distribución uniforme de la temperatura dentro del equipo. Esto ayuda a reducir la tensión térmica y la deformación del material causadas por las fluctuaciones de temperatura, mejorando así la precisión y la consistencia de la fabricación del producto.
Apoye entornos de procesos complejos:En procesos que requieren un control de atmósfera complejo, como los procesos de grabado ICP y PSS, la estabilidad y la resistencia a la oxidación del recubrimiento cerámico de carburo de silicio garantizan que el equipo mantenga un rendimiento estable en la operación a largo plazo, reduciendo el riesgo de degradación del material o daños al equipo debido a cambios ambientales.
| ECV SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estructura cristalina | Fase β de FCC多晶,主要为(111)取向 |
| 密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
| 晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureza química | 99.99995% |
| 热容 / Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de sublimación | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT 4 puntos |
| 杨氏模量 / Módulo de Young | 430 Gpa, curva de 4 puntos, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermayoConductividad | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Expansión térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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