calentador con revestimiento cerámico de carburo de silicio

Breve descripción:

Como fabricante y proveedor profesional de recubrimientos cerámicos de carburo de silicio en China, Vet-China ofrece recubrimientos de carburo de silicio ampliamente utilizados en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores, especialmente en procesos CVD y PECVD. Vet-China se especializa en la fabricación y el suministro de recubrimientos cerámicos de carburo de silicio de alto rendimiento y se compromete a brindar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de semiconductores. Agradecemos sus consultas.


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Veterinaria-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento es un recubrimiento protector de alto rendimiento hecho de un material extremadamente duro y resistente al desgaste.carburo de silicio (SiC)material, que proporciona una excelente resistencia a la corrosión química y estabilidad a altas temperaturas. Estas características son cruciales en la producción de semiconductores, por lo queRecubrimiento cerámico de carburo de silicioSe utiliza ampliamente en componentes clave de los equipos de fabricación de semiconductores.

El papel específico de Vet-ChinaCerámica de carburo de silicioEl recubrimiento en la producción de semiconductores es el siguiente:

Mejorar la durabilidad del equipo:El recubrimiento cerámico de carburo de silicio proporciona una excelente protección superficial para los equipos de fabricación de semiconductores gracias a su altísima dureza y resistencia al desgaste. Especialmente en entornos de proceso de alta temperatura y altamente corrosivos, como la deposición química de vapor (CVD) y el grabado por plasma, el recubrimiento previene eficazmente los daños en la superficie del equipo causados ​​por la erosión química o el desgaste físico, prolongando así significativamente su vida útil y reduciendo el tiempo de inactividad provocado por las frecuentes sustituciones y reparaciones.

Mejorar la pureza del proceso:En el proceso de fabricación de semiconductores, una mínima contaminación puede provocar defectos en el producto. La inercia química del recubrimiento cerámico de carburo de silicio le permite mantenerse estable en condiciones extremas, evitando la liberación de partículas o impurezas y garantizando así la pureza ambiental del proceso. Esto es especialmente importante para las etapas de fabricación que requieren alta precisión y limpieza, como la deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD) y la implantación iónica.

Optimizar la gestión térmica:En los procesos de fabricación de semiconductores a alta temperatura, como el procesamiento térmico rápido (RTP) y los procesos de oxidación, la alta conductividad térmica del recubrimiento cerámico de carburo de silicio permite una distribución uniforme de la temperatura dentro del equipo. Esto ayuda a reducir las tensiones térmicas y la deformación del material causadas por las fluctuaciones de temperatura, mejorando así la precisión y la consistencia en la fabricación del producto.

Compatibilidad con entornos de procesos complejos:En procesos que requieren un control atmosférico complejo, como los procesos de grabado ICP y PSS, la estabilidad y la resistencia a la oxidación del recubrimiento cerámico de carburo de silicio garantizan que el equipo mantenga un rendimiento estable durante su funcionamiento a largo plazo, reduciendo el riesgo de degradación del material o daños en el equipo debido a cambios ambientales.

recubrimiento cerámico de carburo de silicio
Calentador de grafito (4)

Enfermedad cardiovascular SiC薄膜基本物理性能

Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento

性质 / Propiedad

典型数值 / Valor típico

晶体结构 Estructura cristalina

Fase β de la FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densidad

3,21 g/cm³

硬度 / Dureza

2500 libras (carga de 500 g)

晶粒大小 / Tamaño del grano

2~10 μm

纯度 Pureza química

99,99995%

热容 Capacidad calorífica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 Temperatura de sublimación

2700℃

抗弯强度 / Resistencia a la flexión

415 MPa RT 4 puntos

杨氏模量 Módulo de Young

430 GPa, codo de 4 puntos, 1300 ℃

导热系数 / ThermalConductividad

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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