Qeyika Wafer a Sîlîkon Karbîdê ya Ji Nû Ve Kirîstalîzekirî Bi Pêçandina CVD

Taybetmendiyên karbîda silîkonê ya ji nû ve krîstalîzekirî

Karbîda silîkonê ya ji nû ve krîstalîzekirî (R-SiC) materyalek performansa bilind e ku hişkbûna wê piştî elmasê duyemîn e, ku di germahiyek bilind a li jor 2000℃ de çêdibe. Ew gelek taybetmendiyên hêja yên SiC diparêze, wek berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê ya bihêz, berxwedana oksîdasyonê ya hêja, berxwedana şoka germî ya baş û hwd.

● Taybetmendiyên mekanîkî yên hêja. Sîlîkon karbîda ji nû ve krîstalîzekirî xwedî hêz û hişkbûnek ji fîbera karbonê bilindtir e, berxwedana bandorê bilind e, dikare di hawîrdorên germahiya zêde de performansek baş bilîze, dikare di gelek rewşan de performansek çêtir a hevsengiyê bilîze. Wekî din, ew xwedî nermbûnek baş e û bi dirêjkirin û xwarbûnê bi hêsanî zirarê nabîne, ku ev yek performansa wê pir baştir dike.

● Berxwedana bilind a korozyonê. Sîlîkon karbîda ji nû ve krîstalîzekirî li hember cûrbecûr medyayan berxwedanek bilind a korozyonê heye, dikare pêşî li xiroseya cûrbecûr medyayên korozîf bigire, dikare taybetmendiyên xwe yên mekanîkî ji bo demek dirêj biparêze, xwedan girêdanek xurt e, ji ber vê yekê temenê karûbarê wê dirêjtir e. Wekî din, ew xwedan aramiya germî ya baş e, dikare li gorî rêzek diyarkirî ya guherînên germahiyê bigunce, bandora serîlêdana xwe baştir bike.

● Sînterkirin piçûk nabe. Ji ber ku pêvajoya sinterkirinê piçûk nabe, ti streseke mayî dê nebe sedema deformasyon an şikestina hilberê, û beşên bi şiklên tevlihev û rastbûna bilind dikarin werin amadekirin.