ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਦੇ ਗੁਣ
ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (R-SiC) ਇੱਕ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ ਜਿਸਦੀ ਕਠੋਰਤਾ ਹੀਰੇ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਦੂਜੇ ਸਥਾਨ 'ਤੇ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 2000℃ ਤੋਂ ਉੱਪਰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਬਣਦੀ ਹੈ। ਇਹ SiC ਦੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਬਰਕਰਾਰ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਤਾਕਤ, ਮਜ਼ਬੂਤ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਵਧੀਆ ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਹੋਰ।
● ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣ। ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਕਾਰਬਨ ਫਾਈਬਰ ਨਾਲੋਂ ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਕਠੋਰਤਾ ਹੈ, ਉੱਚ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਵਧੀਆ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਬਿਹਤਰ ਸੰਤੁਲਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਲਚਕਤਾ ਵੀ ਹੈ ਅਤੇ ਖਿੱਚਣ ਅਤੇ ਝੁਕਣ ਨਾਲ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਨੁਕਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਜੋ ਇਸਦੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ।
● ਉੱਚ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ। ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਵਿੱਚ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਮਾਧਿਅਮਾਂ ਪ੍ਰਤੀ ਉੱਚ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਖੋਰ ਮਾਧਿਅਮਾਂ ਦੇ ਖੋਰੇ ਨੂੰ ਰੋਕ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਸਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਬਣਾਈ ਰੱਖ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ਅਡੈਸ਼ਨ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਸਦੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਲੰਮੀ ਹੋਵੇ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਵੀ ਹੈ, ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਦੀ ਇੱਕ ਖਾਸ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦੇ ਅਨੁਕੂਲ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਇਸਦੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
● ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਸੁੰਗੜਦੀ ਨਹੀਂ ਹੈ। ਕਿਉਂਕਿ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੁੰਗੜਦੀ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਕੋਈ ਵੀ ਬਚਿਆ ਹੋਇਆ ਤਣਾਅ ਉਤਪਾਦ ਦੇ ਵਿਗਾੜ ਜਾਂ ਫਟਣ ਦਾ ਕਾਰਨ ਨਹੀਂ ਬਣੇਗਾ, ਅਤੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਆਕਾਰਾਂ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਹਿੱਸੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਜਾ ਸਕਦੇ ਹਨ।
| 重结晶碳化硅物理特性 ਰੀਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਦੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣ | |
| 性质 / ਜਾਇਦਾਦ | 典型数值 / ਆਮ ਮੁੱਲ |
| 使用温度/ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ (°C) | 1600°C (ਆਕਸੀਜਨ ਦੇ ਨਾਲ), 1700°C (ਵਾਤਾਵਰਣ ਘਟਾਉਣ ਵਾਲਾ) |
| ਸੀ.ਆਈ.ਸੀ.含量/ SiC ਸਮੱਗਰੀ | > 99.96% |
| 自由Si含量/ ਮੁਫ਼ਤ Si ਸਮੱਗਰੀ | < 0.1% |
| 体积密度/ਥੋਕ ਘਣਤਾ | 2.60-2.70 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.3 |
| 气孔率/ ਸਪੱਸ਼ਟ ਪੋਰੋਸਿਟੀ | < 16% |
| 抗压强度/ ਸੰਕੁਚਨ ਤਾਕਤ | > 600ਐਮਪੀਏ |
| 常温抗弯强度/ਠੰਡੇ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ | 80-90 ਐਮਪੀਏ (20 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ) |
| 高温抗弯强度ਗਰਮ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ @1200°C | 23ਪੱਛਮ/ਮੀ•ਕੇ |
| 杨氏模量/ ਲਚਕੀਲਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | 240 ਜੀਪੀਏ |
| 抗热震性/ ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ | ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ |
VET ਊਰਜਾ ਹੈ ਦਸੀਵੀਡੀ ਕੋਟਿੰਗ ਵਾਲੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਅਸਲ ਨਿਰਮਾਤਾ,ਸਪਲਾਈ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈਵੱਖ-ਵੱਖਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਹਿੱਸੇ। Oਤੁਹਾਡੀ ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਚੋਟੀ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਖੋਜ ਸੰਸਥਾਵਾਂ ਤੋਂ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਵਧੇਰੇ ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ.
ਅਸੀਂ ਹੋਰ ਉੱਨਤ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਲਗਾਤਾਰ ਉੱਨਤ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿਕਸਤ ਕਰਦੇ ਹਾਂ,ਅਤੇਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪੇਟੈਂਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਜੋ ਕੋਟਿੰਗ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਬਣਾ ਸਕਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਵੱਖ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਘੱਟ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
| ਸੀਵੀਡੀ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ਦੇ ਮੁੱਢਲੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣਪਰਤ | |
| 性质 / ਜਾਇਦਾਦ | 典型数值 / ਆਮ ਮੁੱਲ |
| 晶体结构 / ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ多晶, 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / ਘਣਤਾ | 3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³ |
| 硬度 / ਕਠੋਰਤਾ | 2500 维氏硬度（500g ਲੋਡ） |
| 晶粒大小 / ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | 2~10μm |
| 纯度 / ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | 99.99995% |
| 热容 / ਗਰਮੀ ਸਮਰੱਥਾ | 640 J·kg-1·ਕੇ-1 |
| 升华温度 / ਸ੍ਰੇਸ਼ਟਤਾ ਤਾਪਮਾਨ | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ | 415 MPa RT 4-ਪੁਆਇੰਟ |
| 杨氏模量 / ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | 430 Gpa 4pt ਮੋੜ, 1300℃ |
| 导热系数 / ਥਰਮਾlਚਾਲਕਤਾ | 300W·ਮੀ.-1·ਕੇ-1 |
| 热膨胀系数 / ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ਸਾਡੀ ਫੈਕਟਰੀ ਦਾ ਦੌਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਨਿੱਘਾ ਸਵਾਗਤ ਹੈ, ਆਓ ਹੋਰ ਚਰਚਾ ਕਰੀਏ!
