पुनःक्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड के गुण
रीक्रिस्टलाइज़्ड सिलिकॉन कार्बाइड (R-SiC) एक उच्च प्रदर्शन वाली सामग्री है जिसकी कठोरता हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है, जो 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के उच्च तापमान पर बनती है। यह SiC के कई बेहतरीन गुणों को बरकरार रखता है, जैसे उच्च तापमान शक्ति, मजबूत संक्षारण प्रतिरोध, उत्कृष्ट ऑक्सीकरण प्रतिरोध, अच्छा थर्मल शॉक प्रतिरोध और इसी तरह।
● उत्कृष्ट यांत्रिक गुण। पुनर्नवीनीकृत सिलिकॉन कार्बाइड में कार्बन फाइबर की तुलना में अधिक ताकत और कठोरता होती है, उच्च प्रभाव प्रतिरोध होता है, अत्यधिक तापमान वाले वातावरण में अच्छा प्रदर्शन कर सकता है, विभिन्न स्थितियों में बेहतर संतुलन प्रदर्शन कर सकता है। इसके अलावा, इसमें अच्छा लचीलापन भी होता है और खिंचाव और झुकने से आसानी से क्षतिग्रस्त नहीं होता है, जो इसके प्रदर्शन को बहुत बेहतर बनाता है।
● उच्च संक्षारण प्रतिरोध। पुनर्संयोजित सिलिकॉन कार्बाइड में विभिन्न मीडिया के लिए उच्च संक्षारण प्रतिरोध होता है, विभिन्न संक्षारक मीडिया के क्षरण को रोक सकता है, लंबे समय तक अपने यांत्रिक गुणों को बनाए रख सकता है, एक मजबूत आसंजन होता है, जिससे इसका सेवा जीवन लंबा होता है। इसके अलावा, इसमें अच्छी थर्मल स्थिरता भी होती है, तापमान परिवर्तन की एक निश्चित सीमा के अनुकूल हो सकती है, इसके अनुप्रयोग प्रभाव में सुधार कर सकती है।
● सिंटरिंग सिकुड़ती नहीं है। क्योंकि सिंटरिंग प्रक्रिया सिकुड़ती नहीं है, कोई अवशिष्ट तनाव उत्पाद के विरूपण या दरार का कारण नहीं बनेगा, और जटिल आकार और उच्च परिशुद्धता वाले भागों को तैयार किया जा सकता है।
| 重结晶碳化硅物理特性 पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड के भौतिक गुण | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मूल्य |
| 使用温度/ कार्य तापमान (°C) | 1600°C (ऑक्सीजन के साथ), 1700°C (अपचयन वातावरण) |
| सिक含量/ SiC सामग्री | > 99.96% |
| 自由सी含量/ निःशुल्क Si सामग्री | < 0.1% |
| 体积密度/थोक घनत्व | 2.60-2.70 ग्राम/सेमी3 |
| 气孔率/ स्पष्ट छिद्र्यता | < 16% |
| 抗压强度/ संपीड़न ताकत | > 600एमपीए |
| 常温抗弯强度/शीत झुकाव शक्ति | 80-90 एमपीए (20° सेल्सियस) |
| 高温抗弯强度गर्म झुकने ताकत | 90-100 एमपीए (1400°C) |
| 热膨胀系数/ तापीय विस्तार @1500°C | 4.70 10-6/डिग्री सेल्सियस |
| 导热系数/तापीय चालकता @1200°C | 23डब्ल्यू/एम•के |
| 杨氏模量/ प्रत्यास्थता मापांक | 240 जीपीए |
| 抗热震性/ थर्मल शॉक प्रतिरोध | बहुत ही अच्छा |
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| सीवीडी SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC के मूल भौतिक गुणकलई करना | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मूल्य |
| यह बहुत अच्छा है / क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण多晶,主要为(111）取向 |
| 密度 / घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी³ |
| 硬度 / कठोरता | 2500 ग्राम वजन (500 ग्राम लोड) |
| 晶粒大小 / अनाज आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / ताप की गुंजाइश | 640 जूल·किग्रा-1·के-1 |
| 升华温度 / उर्ध्वपातन तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / आनमनी सार्मथ्य | 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 / यंग मापांक | 430 Gpa 4pt बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माएलप्रवाहकत्त्व | 300W·मी-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / तापीय विस्तार(सीटीई) | 4.5×10-6K-1 |
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