पुन: क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड के गुण
पुनर्क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड (आर-एसआईसी) एक उच्च-प्रदर्शन वाली सामग्री है जिसकी कठोरता हीरे के बाद दूसरे स्थान पर है। इसका निर्माण 2000℃ से अधिक उच्च तापमान पर होता है। यह एसआईसी के कई उत्कृष्ट गुणों को बरकरार रखता है, जैसे उच्च तापमान पर मजबूती, प्रबल संक्षारण प्रतिरोध, उत्कृष्ट ऑक्सीकरण प्रतिरोध, अच्छा तापीय आघात प्रतिरोध आदि।
● उत्कृष्ट यांत्रिक गुण। पुन: क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन फाइबर की तुलना में अधिक मजबूत और कठोर होता है, इसमें उच्च प्रभाव प्रतिरोध क्षमता होती है, यह अत्यधिक तापमान वाले वातावरण में अच्छा प्रदर्शन कर सकता है और विभिन्न परिस्थितियों में बेहतर संतुलन प्रदान कर सकता है। इसके अलावा, इसमें अच्छी लचीलता भी होती है और यह खिंचाव और मोड़ने से आसानी से क्षतिग्रस्त नहीं होता है, जिससे इसका प्रदर्शन काफी बेहतर हो जाता है।
● उच्च संक्षारण प्रतिरोध। पुन: क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड विभिन्न माध्यमों के प्रति उच्च संक्षारण प्रतिरोध रखता है, विभिन्न संक्षारक माध्यमों के क्षरण को रोक सकता है, लंबे समय तक अपने यांत्रिक गुणों को बनाए रख सकता है, और इसमें मजबूत आसंजन होता है, जिससे इसका सेवा जीवन लंबा होता है। इसके अलावा, इसमें अच्छी तापीय स्थिरता भी है, जो तापमान परिवर्तन की एक निश्चित सीमा के अनुकूल हो सकती है, जिससे इसका अनुप्रयोग प्रभाव बेहतर होता है।
● सिंटरिंग प्रक्रिया में संकुचन नहीं होता। सिंटरिंग प्रक्रिया में संकुचन न होने के कारण, अवशिष्ट तनाव से उत्पाद में विकृति या दरार नहीं आती, और जटिल आकार और उच्च परिशुद्धता वाले पुर्जे तैयार किए जा सकते हैं।
| 重结晶碳化硅物理特性 पुन: क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड के भौतिक गुण | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मान |
| 使用温度/ कार्यशील तापमान (°C) | 1600°C (ऑक्सीजन के साथ), 1700°C (अपचायक वातावरण) |
| सिक含量/ SiC सामग्री | > 99.96% |
| 自由सी含量/ निःशुल्क एसआई सामग्री | < 0.1% |
| 体积密度/थोक घनत्व | 2.60-2.70 ग्राम/सेमी3 |
| 气孔率/ स्पष्ट सरंध्रता | < 16% |
| 抗压强度/ संपीड़न ताकत | > 600एमपीए |
| 常温抗弯强度/ठंडे तापमान पर झुकने की क्षमता | 80-90 एमपीए (20°C) |
| 高温抗弯强度गर्म झुकने की ताकत | 90-100 एमपीए (1400°C) |
| 热膨胀系数/ 1500°C पर तापीय प्रसार | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/1200°C पर तापीय चालकता | 23डब्ल्यू/एम•के |
| 杨氏模量/ प्रत्यास्थ मापांक | 240 जीपीए |
| 抗热震性/ ऊष्मीय आघात प्रतिरोध | बहुत ही अच्छा |
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| सीवीडी SiC薄膜基本物理性能 सीवीडी एसआईसी के बुनियादी भौतिक गुणकलई करना | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मान |
| यह बहुत अच्छा है / क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण多晶,主要为(111）取向 |
| 密度 / घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी³ |
| 硬度 कठोरता | 2500 ग्राम वजन (500 ग्राम लोड) |
| 晶粒大小 / अनाज आकार | 2~10μm |
| 纯度 / रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / ताप की गुंजाइश | 640 जूल·किलोग्राम-1·के-1 |
| 升华温度 ऊर्ध्वपातन तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / आनमनी सार्मथ्य | 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 यंग का मापांक | 430 जीपीए 4 प्वाइंट बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थेरमाएलप्रवाहकत्त्व | 300W·m-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / ऊष्मीय विस्तार (सीटीई) | 4.5×10-6K-1 |
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