خواص کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته
کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته (R-SiC) یک ماده با کارایی بالا با سختی دوم پس از الماس است که در دمای بالای 2000 درجه سانتیگراد تشکیل میشود. این ماده بسیاری از خواص عالی SiC مانند استحکام در دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی قوی، مقاومت در برابر اکسیداسیون عالی، مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب و غیره را حفظ میکند.
● خواص مکانیکی عالی. کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته استحکام و سختی بالاتری نسبت به فیبر کربن دارد، مقاومت ضربهای بالایی دارد، میتواند در محیطهای با دمای بسیار بالا عملکرد خوبی داشته باشد، میتواند در موقعیتهای مختلف عملکرد متعادلتری داشته باشد. علاوه بر این، انعطافپذیری خوبی نیز دارد و به راحتی در اثر کشش و خم شدن آسیب نمیبیند که این امر عملکرد آن را تا حد زیادی بهبود میبخشد.
● مقاومت بالا در برابر خوردگی. کاربید سیلیکون تبلور مجدد شده مقاومت بالایی در برابر خوردگی در برابر انواع محیطها دارد، میتواند از فرسایش انواع محیطهای خورنده جلوگیری کند، میتواند خواص مکانیکی خود را برای مدت طولانی حفظ کند، چسبندگی قوی دارد، به طوری که عمر مفید بیشتری دارد. علاوه بر این، پایداری حرارتی خوبی نیز دارد، میتواند با محدوده خاصی از تغییرات دما سازگار شود و اثر کاربردی خود را بهبود بخشد.
● تفجوشی انقباض ندارد. از آنجایی که فرآیند تفجوشی انقباض ندارد، هیچ تنش پسماندی باعث تغییر شکل یا ترک خوردگی محصول نخواهد شد و قطعاتی با اشکال پیچیده و دقت بالا قابل تهیه هستند.
| 重结晶碳化硅物理特性 خواص فیزیکی کاربید سیلیکون تبلور مجدد یافته | |
| 性质 / املاک | 典型数值 / مقدار معمول |
| 使用温度/ دمای کار (°C) | ۱۶۰۰ درجه سانتیگراد (با اکسیژن)، ۱۷۰۰ درجه سانتیگراد (محیط احیاکننده) |
| سی سی含量/ محتوای SiC | > ۹۹.۹۶٪ |
| 自由Si含量/ محتوای رایگان Si | <0.1٪ |
| 体积密度/چگالی ظاهری | ۲.۶۰-۲.۷۰ گرم بر سانتیمتر مکعب3 |
| 气孔率/ تخلخل ظاهری | کمتر از ۱۶٪ |
| 抗压强度/ مقاومت فشاری | > 600مگاپاسکال |
| 常温抗弯强度/استحکام خمشی سرد | ۸۰-۹۰ مگاپاسکال (۲۰ درجه سانتیگراد) |
| 高温抗弯强度استحکام خمشی گرم | ۹۰-۱۰۰ مگاپاسکال (۱۴۰۰ درجه سانتیگراد) |
| 热膨胀系数/ انبساط حرارتی @ 1500°C | ۴.۷۰ ۱۰-6/°C |
| 导热系数/رسانایی حرارتی در دمای ۱۲۰۰ درجه سانتیگراد | ۲۳وات/متر • کلوین |
| 杨氏模量/ مدول الاستیک | ۲۴۰ گیگا پاسکال |
| 抗热震性/ مقاومت در برابر شوک حرارتی | فوقالعاده خوب |
انرژی VET است ...تولیدکننده واقعی محصولات گرافیتی و کاربید سیلیکون سفارشی با پوشش CVD،میتواند عرضه کندمختلفقطعات سفارشی برای صنعت نیمه هادی و فتوولتائیک. Oتیم فنی شما از موسسات تحقیقاتی برتر داخلی میآید و میتواند راهحلهای حرفهایتری در زمینه مواد ارائه دهد.برای شما.
ما به طور مداوم فرآیندهای پیشرفتهای را برای ارائه مواد پیشرفتهتر توسعه میدهیم،وما یک فناوری انحصاری و ثبتشده را توسعه دادهایم که میتواند پیوند بین پوشش و زیرلایه را محکمتر و احتمال جدا شدن آن را کمتر کند.
| بیماریهای قلبی عروقی (CVD) SiC薄膜基本物理性能 خواص فیزیکی اولیه SiC به روش CVDپوشش | |
| 性质 / املاک | 典型数值 / مقدار معمول |
| 晶体结构 / ساختار کریستالی | فاز β FCC多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / تراکم | ۳.۲۱ گرم بر سانتیمتر مکعب |
| 硬度 / سختی | 2500 维氏硬度 (500 گرم بار) |
| 晶粒大小 / اندازه دانه | 2 تا 10 میکرومتر |
| 纯度 / خلوص شیمیایی | ۹۹.۹۹۹۹۵٪ |
| 热容 / ظرفیت گرمایی | ۶۴۰ ژول · کیلوگرم-1·ک-1 |
| 升华温度 / دمای تصعید | ۲۷۰۰ درجه سانتیگراد |
| 抗弯强度 / استحکام خمشی | ۴۱۵ مگاپاسکال RT چهار نقطهای |
| 杨氏模量 مدول یانگ | خم 4 نقطهای با مقاومت Gpa 430، دمای 1300 درجه سانتیگراد |
| 导热系数 / ترمالرسانایی | ۳۰۰ وات بر متر مربع-1·ک-1 |
| 热膨胀系数 / انبساط حرارتی (CTE) | ۴.۵×۱۰-6K-1 |
با گرمی از شما برای بازدید از کارخانه ما استقبال میکنیم، بیایید بحث بیشتری داشته باشیم!
