Barco de wafer de carbeto de silício recristalizado com revestimento CVD

Descrição resumida:

O suporte para wafers de carbeto de silício recristalizado da VET Energy é um produto de alto desempenho projetado para fornecer desempenho consistente e confiável por um longo período. Possui excelente resistência ao calor e uniformidade térmica, alta pureza e resistência à erosão, tornando-o a solução perfeita para aplicações de processamento de wafers.


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Propriedades do carbeto de silício recristalizado

O carbeto de silício recristalizado (R-SiC) é um material de alto desempenho com dureza superada apenas pela do diamante, formado a altas temperaturas acima de 2000 °C. Ele retém muitas das excelentes propriedades do SiC, como alta resistência a temperaturas elevadas, forte resistência à corrosão, excelente resistência à oxidação, boa resistência ao choque térmico, entre outras.

● Excelentes propriedades mecânicas. O carbeto de silício recristalizado possui maior resistência e rigidez do que a fibra de carbono, alta resistência ao impacto, bom desempenho em ambientes de temperatura extrema e melhor desempenho de contrapeso em diversas situações. Além disso, apresenta boa flexibilidade e não se danifica facilmente por estiramento e flexão, o que melhora significativamente seu desempenho.

● Alta resistência à corrosão. O carbeto de silício recristalizado possui alta resistência à corrosão em diversos meios, podendo prevenir a erosão causada por vários agentes corrosivos, mantendo suas propriedades mecânicas por um longo período. Apresenta forte adesão, o que lhe confere uma vida útil prolongada. Além disso, possui boa estabilidade térmica, adaptando-se a uma determinada faixa de variações de temperatura e melhorando seu desempenho em aplicações práticas.

● A sinterização não causa contração. Como o processo de sinterização não gera contração, não há tensão residual que cause deformação ou rachaduras no produto, e peças com formatos complexos e alta precisão podem ser fabricadas.

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重结晶碳化硅物理特性

Propriedades físicas do carbeto de silício recristalizado

性质 / Propriedade

典型数值 Valor típico

使用温度/ Temperatura de trabalho (°C)

1600°C (com oxigênio), 1700°C (ambiente redutor)

SiC含量/ Conteúdo de SiC

> 99,96%

自由Si含量/ Conteúdo Si gratuito

< 0,1%

体积密度/densidade aparente

2,60-2,70 g/cm3

气孔率/ Porosidade aparente

< 16%

抗压强度/ Resistência à compressão

> 600MPa

常温抗弯强度/resistência à flexão a frio

80-90 MPa (20°C)

高温抗弯强度resistência à flexão a quente

90-100 MPa (1400°C)

热膨胀系数Expansão térmica a 1500°C

4,70 10-6/°C

导热系数/Condutividade térmica a 1200°C

23W/m•K

杨氏模量/ Módulo de elasticidade

240 GPa

抗热震性Resistência ao choque térmico

Extremamente bom

A VET Energy é oFabricante genuíno de produtos personalizados de grafite e carbeto de silício com revestimento CVD.pode fornecerváriosPeças personalizadas para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. ONossa equipe técnica é formada por profissionais das principais instituições de pesquisa nacionais, podendo oferecer soluções de materiais mais especializadas.para você.

Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais sofisticados.eDesenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva que permite uma adesão mais forte entre o revestimento e o substrato, reduzindo a propensão ao desprendimento.

DCV SiC薄膜基本物理性能

Propriedades físicas básicas do SiC CVDrevestimento

性质 / Propriedade

典型数值 Valor típico

晶体结构 / Estrutura Cristalina

Fase β do FCC多晶, 主要为(111)取向

密度 / Densidade

3,21 g/cm³

硬度 / Dureza

2500 unidades (carga de 500g)

晶粒大小 / Tamanho do Grão

2~10μm

纯度 / Pureza Química

99,99995%

热容 Capacidade térmica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 Temperatura de sublimação

2700℃

抗弯强度 / Resistência à Flexão

415 MPa RT 4 pontos

杨氏模量 Módulo de Young

430 GPa, curvatura de 4 pontos, 1300 °C

导热系数 / TermalCondutividade

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE)

4,5×10-6K-1

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