Àwọn ohun ìní ti atunlo carbide silikoni
Atunlo silikoni carbide (R-SiC) jẹ́ ohun èlò tó ní agbára gíga pẹ̀lú líle tó ga ju diamond lọ, èyí tó wà ní ìwọ̀n otútù tó ga ju 2000℃ lọ. Ó ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ànímọ́ tó dára jùlọ ti SiC, bíi agbára ooru tó ga, agbára ìpalára tó lágbára, agbára ìdènà oxidation tó dára, agbára ìdènà ooru tó dára àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ.
● Àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tó dára gan-an. Agbára àti líle tó ga ju okùn erogba lọ, agbára ìdènà tó ga, ó lè ṣe iṣẹ́ tó dára ní àwọn àyíká otútù tó le koko, ó lè ṣe iṣẹ́ tó dára ní onírúurú ipò. Ní àfikún, ó tún ní ìyípadà tó dára, kì í sì í rọrùn láti nà àti títẹ̀, èyí tó mú kí iṣẹ́ rẹ̀ sunwọ̀n sí i.
● Agbara ipata giga. Atunlo carbide silicon ti a tunṣe ni agbara ipata giga si ọpọlọpọ awọn media, o le ṣe idiwọ iparun ti ọpọlọpọ media ibajẹ, o le ṣetọju awọn agbara ẹrọ rẹ fun igba pipẹ, o ni asopọ to lagbara, nitorinaa o ni igbesi aye iṣẹ gigun. Ni afikun, o tun ni iduroṣinṣin ooru to dara, o le ṣe deede si awọn iyipada iwọn otutu kan, mu ipa lilo rẹ dara si.
● Sísíntì kì í dínkù. Nítorí pé ìlànà sísíntì kì í dínkù, kò sí ìdààmú tó kù tó lè fa ìbàjẹ́ tàbí fífọ́ ọjà náà, a sì lè pèsè àwọn apá tó ní àwọn ìrísí tó díjú àti ìpele tó ga.
| 重结晶碳化硅物理特性 Àwọn ohun ìní ti ara ti Atunlo Silikoni Carbide | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 使用温度/ Iwọn otutu iṣiṣẹ (°C) | 1600°C (pẹ̀lú atẹ́gùn), 1700°C (àyíká tó ń dínkù) |
| SiC含量/ Àkóónú SiC | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Akoonu Si ọfẹ | < 0.1% |
| 体积密度/Ìwọ̀n púpọ̀ | 2.60-2.70 g/cm3 |
| 气孔率/ Àwọn ihò tó hàn gbangba | < 16% |
| 抗压强度/ Agbára ìfúnpọ̀ | > 600MPA |
| 常温抗弯强度/Agbára títẹ̀ tútù | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Agbara titẹ gbigbona | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Ìfàsẹ́yìn ooru @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Ìlànà ìgbóná ooru @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modulu rirọ | 240 GPA |
| 抗热震性/ Iduroṣinṣin mọnamọna ooru | O dara pupọ |
Agbara VET ni Àwọn nǹkan wọ̀nyí ló fà á tí wọ́n fi ń ṣe àtúnṣe sí ara wọn.olupese gidi ti awọn ọja graphite ti a ṣe adani ati silikoni carbide pẹlu ibora CVD,le peseoriṣiriṣiawọn ẹya ti a ṣe adani fun ile-iṣẹ semikondokito ati ile-iṣẹ fọtovoltaic. OẸgbẹ imọ-ẹrọ rẹ wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ siifun e.
A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii,àtiti ṣe àgbékalẹ̀ ìmọ̀-ẹ̀rọ tí a fọwọ́ sí, èyí tí ó lè mú kí ìsopọ̀ láàárín ìbòrí àti ohun èlò ìṣàlẹ̀ náà le koko jù, kí ó sì má baà jẹ́ kí wọ́n ya ara wọn sọ́tọ̀.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / Ìwọ̀n | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Líle | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Iwọn ọkà | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbára Rírọ̀ | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulu Young | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
