რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდის თვისებები
რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდი (R-SiC) მაღალი ხარისხის მასალაა, რომლის სიმტკიცეც ბრილიანტის შემდეგ მეორე ადგილზეა, რომელიც 2000℃-ზე მაღალ ტემპერატურაზე წარმოიქმნება. იგი ინარჩუნებს SiC-ის მრავალ შესანიშნავ თვისებას, როგორიცაა მაღალ ტემპერატურაზე სიმტკიცე, კოროზიისადმი ძლიერი წინააღმდეგობა, დაჟანგვის შესანიშნავი წინააღმდეგობა, თერმული დარტყმისადმი კარგი წინააღმდეგობა და ა.შ.
● შესანიშნავი მექანიკური თვისებები. რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდი ნახშირბადის ბოჭკოსთან შედარებით უფრო მაღალი სიმტკიცითა და სიხისტით ხასიათდება, მაღალი დარტყმისადმი მდგრადობით გამოირჩევა, შეუძლია კარგი შესრულება ექსტრემალურ ტემპერატურულ გარემოში, სხვადასხვა სიტუაციაში უკეთესი ბალანსის შესრულება. გარდა ამისა, მას ასევე აქვს კარგი მოქნილობა და ადვილად არ ზიანდება გაჭიმვითა და მოხრით, რაც მნიშვნელოვნად აუმჯობესებს მის მუშაობას.
● მაღალი კოროზიისადმი მდგრადობა. რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდი გამოირჩევა მაღალი კოროზიისადმი მდგრადობით სხვადასხვა გარემოს მიმართ, შეუძლია სხვადასხვა კოროზიული გარემოს ეროზიის თავიდან აცილება, დიდი ხნის განმავლობაში ინარჩუნებს მექანიკურ თვისებებს, აქვს ძლიერი ადჰეზია, რის გამოც მას უფრო ხანგრძლივი მომსახურების ვადა აქვს. გარდა ამისა, მას ასევე აქვს კარგი თერმული სტაბილურობა, შეუძლია ადაპტირება ტემპერატურის ცვლილებების გარკვეულ დიაპაზონთან, რაც აუმჯობესებს მისი გამოყენების ეფექტს.
● შედუღება არ იკუმშება. რადგან შედუღების პროცესი არ იკუმშება, ნარჩენი დაძაბულობა არ გამოიწვევს პროდუქტის დეფორმაციას ან ბზარებს და შესაძლებელია რთული ფორმისა და მაღალი სიზუსტის მქონე ნაწილების მომზადება.
| 重结晶碳化硅物理特性 რეკრისტალიზებული სილიციუმის კარბიდის ფიზიკური თვისებები | |
| 性质 / ქონება | 典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა |
| 使用温度/ სამუშაო ტემპერატურა (°C) | 1600°C (ჟანგბადით), 1700°C (აღდგენითი გარემო) |
| SiC含量/ SiC შემცველობა | > 99.96% |
| 自由Si含量/ უფასო Si კონტენტი | < 0.1% |
| 体积密度/მოცულობითი სიმკვრივე | 2.60-2.70 გ/სმ3 |
| 气孔率/ აშკარა ფორიანობა | < 16% |
| 抗压强度/ შეკუმშვის სიმტკიცე | > 600მპა |
| 常温抗弯强度/ცივი მოხრის სიმტკიცე | 80-90 მპა (20°C) |
| 高温抗弯强度ცხელი მოხრის სიმტკიცე | 90-100 მპა (1400°C) |
| 热膨胀系数/ თერმული გაფართოება @1500°C-ზე | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/თბოგამტარობა @1200°C | 23ვტ/მ•კ |
| 杨氏模量/ ელასტიურობის მოდული | 240 GPa |
| 抗热震性/ თერმული დარტყმის წინააღმდეგობა | ძალიან კარგი |
VET Energy არის ისნამდვილი მწარმოებელი, რომელიც აწარმოებს გრაფიტისა და სილიციუმის კარბიდის პროდუქტებს CVD საფარით,შეუძლია მიწოდებასხვადასხვანახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიისთვის განკუთვნილი მორგებული ნაწილები. Oთქვენი ტექნიკური გუნდი წამყვანი ადგილობრივი კვლევითი ინსტიტუტებიდან მოდის, შეუძლია უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებების შეთავაზებაშენთვის.
ჩვენ მუდმივად ვავითარებთ მოწინავე პროცესებს, რათა უზრუნველვყოთ უფრო მოწინავე მასალები,დაშეიმუშავეს ექსკლუზიური დაპატენტებული ტექნოლოგია, რომელსაც შეუძლია საფარსა და სუბსტრატს შორის შეერთება უფრო მჭიდრო და ნაკლებად მიდრეკილი გახადოს აშრევებისკენ.
| გულ-სისხლძარღვთა დაავადებები SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ის ძირითადი ფიზიკური თვისებებისაფარი | |
| 性质 / ქონება | 典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა |
| 晶体结构 / კრისტალური სტრუქტურა | FCC β ფაზა多晶，主要为（111 წელი |
| 密度 / სიმჭიდროვე | 3.21 გ/სმ³ |
| 硬度 / სიმტკიცე | 2500 × 500 გრ დატვირთვა) |
| 晶粒大小 / მარცვლეულის ზომა | 2~10 მკმ |
| 纯度 / ქიმიური სისუფთავე | 99.99995% |
| 热容 / თბოტევადობა | 640 ჯ·კგ-1·კ-1 |
| 升华温度 / სუბლიმაციის ტემპერატურა | 2700℃ |
| 抗弯强度 / მოხრის სიმტკიცე | 415 MPa RT 4-პუნქტიანი |
| 杨氏模量 / იანგის მოდული | 430 Gpa 4pt მოხრა, 1300℃ |
| 导热系数 / თერმალგამტარობა | 300W·m-1·კ-1 |
| 热膨胀系数 / თერმული გაფართოება (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
თბილად მოგესალმებით ჩვენს ქარხანაში, მოდით, შემდგომი განხილვა გვქონდეს!
-
მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობის მინისებრი ნახშირბადის ტილო
-
კარგი ცვეთამედეგობა და კოროზიისადმი მდგრადობა...
-
TaC დაფარული გრაფიტის რგოლი
-
ტანტალის კარბიდის (TaC) საფარის მწარმოებელი ...
-
დიდი ზომის გადაკრისტალებული სილიციუმის კარბიდის ვაფლი...
-
მაღალი ხარისხის ტანტალის კარბიდის მილი SiC კრისტალებისთვის...