Va'a Wafer Silicon Carbide ua toe fa'afouina ma le ufiufi CVD

Fa'amatalaga Pupuu:

O le VET Energy Recrystallized Silicon Carbide Wafer Boat o se oloa maualuga le faatinoga ua mamanuina e maua ai le faatinoga faifai pea ma faatuatuaina i se vaitaimi umi. E matua lelei lava lona tete'e atu i le vevela ma le tutusa o le vevela, maualuga le mama, ma tete'e atu i le ele, ma avea ai ma fofo atoatoa mo galuega fa'atino o le wafer processing.

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Fa'amatalaga o le oloa

Fa'ailoga o Oloa

Uiga o le toe fa'amatagofieina o le silicon carbide

O le silicon carbide ua toe fa'afouina (R-SiC) o se mea e sili ona lelei lona fa'atinoga ma e lona lua lona ma'a'a i le taimane, lea e fausia i le vevela maualuga e sili atu i le 2000℃. E tele ona uiga lelei o le SiC e taofia, e pei o le malosi maualuga i le vevela, tete'e malosi i le 'ele, tete'e lelei i le fa'a'okesaita, tete'e lelei i le te'i vevela ma isi mea fa'apena.

● Uiga lelei fa'amekanika. O le silicon carbide ua toe fa'afouina e sili atu lona malosi ma le ma'a'a nai lo le carbon fiber, e tete'e atu i a'afiaga, e mafai ona faia se fa'atinoga lelei i siosiomaga vevela tele, e mafai ona faia se fa'atinoga paleni sili atu i le tele o tulaga. E le gata i lea, e lelei fo'i lona fetu'una'i ma e le faigofie ona fa'aleagaina e le fa'aloaloa ma le punou, lea e fa'aleleia atili ai lana fa'atinoga.

● Tete'e maualuga i le 'ele. O le silicon carbide ua toe fa'afouina e maualuga lona tete'e atu i le 'ele i le tele o ituaiga o mea, e mafai ona puipuia le fa'aleagaina o le tele o ituaiga o mea 'ele, e mafai ona tausia ona uiga fa'amekanika mo se taimi umi, e malosi le pipii, ma e umi ai lona ola tautua. E le gata i lea, e lelei fo'i lona mautu i le vevela, e mafai ona fetu'una'i i se vaega patino o suiga o le vevela, ma fa'aleleia atili ai lona aoga.

● E lē mimigi le sintering. Talu ai ona e lē mimigi le faagasologa o le sintering, e leai se fa'alavelave e toe ai e mafua ai ona fa'aleagaina pe māvaevae le oloa, ma e mafai ona saunia vaega e iai foliga faigata ma le sa'o maualuga.

重结晶碳化硅物理特性 Uiga faaletino o le Recrystallized Silicon Carbide
性质 / Meatotino	典型数值 / Taua Masani
使用温度/ Vevela o le galuega (°C)	1600°C (faatasi ai ma le okesene), 1700°C (siosiomaga fa'aitiitia)
SiC含量/ Anotusi SiC	> 99.96%
自由Si含量/ Mataupu Si e leai se totogi	< 0.1%
体积密度/Mafiafia tele	2.60-2.70 kalama/senitimita³
气孔率/ Va'aia le porosity	< 16%
抗压强度/ Malosiaga o le fa'apipi'iina	> 600MPa
常温抗弯强度/Malosiaga o le punou malulu	80-90 MPa (20°C)
高温抗弯强度Malosiaga o le punou vevela	90-100 MPa (1400°C)
热膨胀系数/ Fa'alauteleina o le vevela i le 1500°C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Fa'avevela i le 1200°C	23W/m•K
杨氏模量/ Modulus o le elasticity	240 GPa
抗热震性/ Tete'e atu i le te'i vevela	Lelei tele

O le VET Energy o legaosi oloa moni o oloa fa'apitoa o le graphite ma le silicon carbide ma le ufiufi CVD,e mafai ona tuʻuina atueseesevaega fa'apitoa mo le alamanuia semiconductor ma le photovoltaic. OO lau 'au fa'apitoa e sau mai fa'alapotopotoga su'esu'e sili ona lelei i totonu o le atunu'u, e mafai ona tu'uina atu ni fofo fa'apitoa mo meafaitinomo oe.

Matou te faʻaauau pea ona atiina ae ni faiga faʻapitoa e tuʻuina atu ai meafaitino e sili atu ona faʻapitoa,maua fa'atinoina se tekinolosi fa'apitoa ua pateniina, lea e mafai ona fa'amausali ai le pipii i le va o le ufiufi ma le mea fa'apipi'i ma fa'aitiitia ai le faigofie ona motusia.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Uiga faaletino faavae o le CVD SiCufiufi
性质 / Meatotino	典型数值 / Taua Masani
晶体结构 / Fausaga o le Kilisitala	Vaega β o le FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Mafiafia	3.21 kalama/cm³
硬度 / Faigata	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Tele o le saito	2~10μm
纯度 / Mamā Fa'akemikolo	99.99995%
热容 / Malosiaga o le Vevela	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Vevela o le Sublimation	2700℃
抗弯强度 / Malosiaga Fa'alava	415 MPa RT 4-point
杨氏模量 / Modulus a Young	430 Gpa 4pt pi'o, 1300℃
导热系数 / ThermalAmioga	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Fa'alauteleina o le Vevela (CTE)	4.5×10^-6K^-1