د بیا کریسټال شوي سیلیکون کاربایډ ځانګړتیاوې
بیا کریسټال شوی سیلیکون کاربایډ (R-SiC) یو لوړ فعالیت لرونکی مواد دی چې د الماس وروسته دوهم سختۍ لري، کوم چې د 2000 ℃ څخه پورته په لوړه تودوخه کې جوړیږي. دا د SiC ډیری غوره ځانګړتیاوې ساتي، لکه د لوړې تودوخې ځواک، قوي زنګ وهلو مقاومت، غوره اکسیډیشن مقاومت، ښه حرارتي شاک مقاومت او داسې نور.
● غوره میخانیکي ځانګړتیاوې. بیا کریسټال شوی سیلیکون کاربایډ د کاربن فایبر په پرتله لوړ ځواک او سختوالی لري، د لوړ اغیز مقاومت لري، کولی شي د سخت تودوخې چاپیریال کې ښه فعالیت ترسره کړي، کولی شي په مختلفو شرایطو کې د ښه متوازن فعالیت ترسره کړي. سربیره پردې، دا ښه انعطاف هم لري او په اسانۍ سره د غځولو او خمیدو له امله زیانمن شوی نه دی، کوم چې د هغې فعالیت خورا ښه کوي.
● د زنګ وهلو لوړ مقاومت. بیا کریسټال شوی سیلیکون کاربایډ د مختلفو رسنیو په وړاندې د زنګ وهلو لوړ مقاومت لري، کولی شي د مختلفو زنګ وهونکو رسنیو د تخریب مخه ونیسي، کولی شي د اوږدې مودې لپاره خپل میخانیکي ملکیتونه وساتي، قوي چپکونکی لري، نو د اوږدې مودې لپاره د خدمت ژوند لري. سربیره پردې، دا ښه حرارتي ثبات هم لري، کولی شي د تودوخې بدلونونو یو ټاکلي حد سره تطابق وکړي، د هغې د غوښتنلیک اغیز ښه کړي.
● سینټرینګ نه کمېږي. ځکه چې د سینټرینګ پروسه نه کمېږي، نو هیڅ پاتې فشار به د محصول د خرابوالي یا درزیدو لامل نشي، او د پیچلو شکلونو او لوړ دقت سره برخې چمتو کیدی شي.
| 重结晶碳化硅物理特性 د بیا کریسټال شوي سیلیکون کاربایډ فزیکي ځانګړتیاوې | |
| 性质 / ملکیت | 典型数值 / عادي ارزښت |
| 使用温度/ د کار کولو تودوخه (°C) | ۱۶۰۰ درجو سانتي ګراد (د اکسیجن سره)، ۱۷۰۰ درجو سانتي ګراد (د چاپیریال کمولو لپاره) |
| سي سي含量/ د سي سي منځپانګه | > ۹۹.۹۶٪ |
| 自由Si含量/ وړیا Si منځپانګه | < ۰.۱٪ |
| 体积密度/د حجم کثافت | ۲.۶۰-۲.۷۰ ګرامه/سانتي متره3 |
| 气孔率/ ظاهري سوروالی | < ۱۶٪ |
| 抗压强度/ د فشار قوت | > ۶۰۰MPa |
| 常温抗弯强度/د سړې خمېدو قوت | ۸۰-۹۰ MPa (۲۰ درجې سانتي ګراد) |
| 高温抗弯强度د ګرمې قاتېدو قوت | ۹۰-۱۰۰ MPa (۱۴۰۰ درجې سانتي ګراد) |
| 热膨胀系数/ د حرارتي غځولو @ ۱۵۰۰ درجو سانتي ګراد | ۴.۷۰ ۱۰-6/°C |
| 导热系数/د حرارتي چالکتیا @ ۱۲۰۰ درجو سانتي ګراد | ۲۳واټ/ملی متره•کلومیټری |
| 杨氏模量/ لچک لرونکی ماډول | ۲۴۰ جي پي اې |
| 抗热震性/ د تودوخې شاک مقاومت | ډېر ښه |
د VET انرژي ده دد CVD کوټینګ سره د دودیز شوي ګرافایټ او سیلیکون کاربایډ محصولاتو اصلي جوړونکی،عرضه کولی شيمختلفد سیمیکمډکټر او فوتوولټیک صنعت لپاره دودیز شوي برخې. Oستاسو تخنیکي ټیم د غوره کورنیو څیړنیزو ادارو څخه راځي، کولی شي ډیر مسلکي مادي حلونه چمتو کړي.ستاسو لپاره.
موږ په دوامداره توګه پرمختللي پروسې رامینځته کوو ترڅو نور پرمختللي توکي چمتو کړو،اود یوې ځانګړې پیټینټ شوې ټیکنالوژۍ کار کړی دی، کوم چې کولی شي د پوښ او سبسټریټ ترمنځ اړیکه ټینګه کړي او د جلا کیدو خطر یې کم کړي.
| سي وي ډي SiC薄膜基本物理性能 د CVD SiC اساسي فزیکي ځانګړتیاوېپوښل | |
| 性质 / ملکیت | 典型数值 / عادي ارزښت |
| 晶体结构 / کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله多晶، 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / کثافت | ۳.۲۱ ګرامه/سانتي متره |
| 硬度 / سختي | 2500 维氏硬度 (500g بار) |
| 晶粒大小 / د غلې دانې سیز | ۲~۱۰μm |
| 纯度 / کیمیاوي پاکوالی | ۹۹.۹۹۹۹۵٪ |
| 热容 / د تودوخې ظرفیت | ۶۴۰ جور کیلوګرامه-1· ک-1 |
| 升华温度 / د سبلیمیشن تودوخه | ۲۷۰۰ ℃ |
| 抗弯强度 / انعطاف منونکی ځواک | ۴۱۵ MPa RT ۴-نقطه |
| 杨氏模量 / د ځوانانو ماډول | ۴۳۰ جي پي اې ۴ پونډه کږوالی، ۱۳۰۰ ℃ |
| 导热系数 / ترمالچالکتیا | ۳۰۰ واټه · متر-1· ک-1 |
| 热膨胀系数 / د تودوخې پراخوالی (CTE) | ۴.۵×۱۰-6K-1 |
زموږ د فابریکې څخه د لیدو لپاره په تود هرکلي سره، راځئ چې نور بحث وکړو!
