O le tekinolosi laser e taʻitaʻia ai le suiga o le tekinolosi faʻagasologa o le silicon carbide substrate

 

1. Aotelega omea e fai ai le silicon carbidetekinolosi fa'agasologa

O le taimi neimea e fai ai le silicon carbide O laasaga o le faagasologa e aofia ai: oloina o le li'o pito i fafo, tipiina, fa'alava, oloina, fa'apupulaina, fa'amamāina, ma isi mea faapena. O le tipiina o se laasaga taua i le faagasologaina o le semiconductor substrate ma o se laasaga autu i le liua o le ingot i le substrate. I le taimi nei, o le tipiina omea fa'apipi'i silicon carbideo le tipiina lea o uaea. O le tipiina o le tele o uaea o le auala sili lea e tipi ai uaea i le taimi nei, ae o loʻo i ai pea faʻafitauli o le le lelei o le tipiina ma le tele o le gau o le tipiina. O le gau o le tipiina o uaea o le a faʻateleina i le faʻateleina o le tele o le substrate, lea e le fetaui ma lemea e fai ai le silicon carbidegaosi oloa ina ia ausia le faʻaitiitia o tau ma le faʻaleleia atili o le lelei. I le faagasologa o le tipiina8-inisi le silicon carbide mea fa'avae, o le foliga o le fogaeleele e maua mai i le tipiina o uaea e le lelei, ma o uiga fa'afuainumera e pei o le WARP ma le BOW e le lelei.

O le tipiina o se la'asaga taua i le gaosiga o mea e fai ai semiconductor substrate. O lo'o fa'aauau pea ona taumafai le alamanuia i ni auala fou e tipi ai, e pei o le tipiina o uaea taimane ma le tipiina o le laser. Ua matua'i sailia talu ai nei le tekinolosi tipiina o le laser. O le fa'alauiloaina o lenei tekinolosi e fa'aitiitia ai le gau o le tipiina ma fa'aleleia atili ai le lelei o le tipiina mai le mataupu fa'apitoa. O le fofo tipiina o le laser e maualuga mana'oga mo le tulaga o le otometi ma e mana'omia ai le tekinolosi manifinifi e galulue fa'atasi ai, lea e ogatusa ma le itu o le atina'eina o le lumana'i o le fa'agasologa o le silicon carbide substrate. O le fua o le tipiina o uaea mortar masani e masani lava 1.5-1.6. O le fa'alauiloaina o le tekinolosi tipiina o le laser e mafai ona fa'ateleina ai le fua o le tipiina i le tusa ma le 2.0 (tagai i meafaigaluega DISCO). I le lumana'i, a'o fa'atupula'ia le matua o le tekinolosi tipiina o le laser, e ono fa'aleleia atili ai le fua o le tipiina; i le taimi lava e tasi, e mafai fo'i e le tipiina o le laser ona fa'aleleia atili ai le lelei o le tipiina. E tusa ai ma su'esu'ega maketi, o le ta'ita'i o le alamanuia DISCO e tipiina se fasi i le tusa ma le 10-15 minute, lea e sili atu le lelei nai lo le tipiina o uaea mortar i le taimi nei e 60 minute i le fasi.

O la'asaga o le fa'agasologa o le tipiina masani o uaea o mea fa'apipi'i silicon carbide o: tipiina o uaea- oloina fa'alaua'itele- oloina lelei- fa'apulusina fa'alaua'itele ma fa'apulusina lelei. A mae'a ona suia e le fa'agasologa o le tipiina o uaea le tipiina e le laser, ona fa'aaogaina lea o le fa'agasologa fa'amama e sui ai le fa'agasologa o le oloina, lea e fa'aitiitia ai le leiloa o fasi ma fa'aleleia atili ai le lelei o le fa'agasologa. O le fa'agasologa o le tipiina, oloina ma fa'apulusina o mea fa'apipi'i silicon carbide e vaevaeina i ni la'asaga se tolu: su'esu'ega o luga o le laser- tipiina o le substrate- fa'apaleina o le ingot: o le su'esu'ega o luga o le laser o le fa'aaogaina lea o le ultrafast laser pulses e fa'agasolo ai le luga o le ingot e fausia ai se vaega ua suia i totonu o le ingot; o le tipiina o le substrate o le vavae'eseina lea o le substrate i luga a'e o le vaega ua suia mai le ingot e ala i metotia fa'aletino; o le fa'apaleina o le ingot o le ave'esea lea o le vaega ua suia i luga o le ingot e fa'amautinoa ai le lamolemole o le luga o le ingot.
Faiga o le aveeseina o le laser silicone carbide

 

2. Alualu i luma faavaomalo i tekinolosi o le tipiina o le laser ma kamupani o loʻo auai i le alamanuia

O le faiga o le tipiina o le laser na muamua faʻaaogaina e kamupani mai fafo: I le 2016, na atiae ai e le DISCO a Iapani se tekinolosi fou o le tipiina o le laser o le KABRA, lea e fausia ai se vaega vavaeʻese ma vavaeʻese ai wafers i se loloto faʻapitoa e ala i le faʻasalalauina pea o le ingot i le laser, lea e mafai ona faʻaaogaina mo ituaiga eseese o ingot SiC. Ia Novema 2018, na faʻatau ai e Infineon Technologies le Siltectra GmbH, o se kamupani fou e tipiina le wafer, mo le 124 miliona euros. Na atiae e le kamupani mulimuli le faiga o le Cold Split, lea e faʻaaogaina ai le tekinolosi laser ua pateniina e faʻamatalaina ai le tele o le vaeluaina, ufiufi mea faʻapitoa polymer, pulea le faʻamaluluina e mafua mai i le mamafa, vaeluaina saʻo mea, ma olo ma faʻamama e ausia ai le tipiina o le wafer.

I tausaga talu ai nei, o nisi o kamupani i totonu o le atunuʻu ua ulufale atu foʻi i le pisinisi o meafaigaluega e aveese ai le laser: o kamupani autū o Han's Laser, Delong Laser, West Lake Instrument, Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation ma le Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences. O nisi o ia kamupani, o loʻo lisiina o Han's Laser ma Delong Laser ua leva ona faʻatulagaina, ma o loʻo faʻamaonia a latou oloa e tagata faʻatau, ae o loʻo tele laina oloa a le kamupani, ma o meafaigaluega e aveese ai le laser ua naʻo se tasi o a latou pisinisi. O oloa a fetu tulaʻi mai e pei o West Lake Instrument ua ausia le lafoina aloaia o oka; Universal Intelligence, China Electronics Technology Group Corporation 2, le Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences ma isi kamupani ua faʻalauiloa foʻi le alualu i luma o meafaigaluega.

 

3. Mea e mafua ai ona atiina ae le tekinolosi o le laser stripping ma le saoasaoa o le faalauiloaina o le maketi

O le fa'aitiitia o le tau o mea e 6-inisi le silicon carbide substrates ua fa'ateleina ai le atina'eina o tekinolosi o le laser stripping: I le taimi nei, ua pa'ū le tau o mea e 6-inisi le silicon carbide substrates i lalo ifo o le 4,000 yuan/pepa, ua latalata i le tau o nisi o kamupani gaosi oloa. O le faiga o le laser stripping e maualuga lona fua faatatau ma e malosi fo'i le aoga, lea e fa'ateleina ai le fua faatatau o le fa'aaogaina o tekinolosi o le laser stripping.

O le manifinifi o mea e 8-inisi le lautele o le silicon carbide substrates ua faʻateleina ai le atinaʻeina o tekinolosi o le laser stripping: O le mafiafia o mea e 8-inisi le lautele o le silicon carbide substrates e 500um i le taimi nei, ma ua agaʻi atu i le mafiafia o le 350um. O le faiga o le tipiina o uaea e le aoga i le faʻagasologaina o le silicon carbide 8-inisi (e le lelei le fogāeleele o le mea e fai ai), ma ua matuā faʻaitiitia le tulaga o le BOW ma le WARP. O le laser stripping ua manatu o se tekinolosi faʻagasologa e manaʻomia mo le faʻagasologaina o mea e 350um le lautele o le silicon carbide substrate, lea e faʻateleina ai le saoasaoa o le faʻaaogaina o le tekinolosi laser stripping.

Fa'amoemoega o le maketi: O masini e aveese ai le laser mai le SiC substrate e manuia mai le fa'alauteleina o le 8-inisi SiC ma le fa'aitiitia o le tau o le 6-inisi SiC. O lo'o latalata mai le tulaga taua o le alamanuia i le taimi nei, ma o le a fa'avavevaveina tele le atina'eina o le alamanuia.