مكونات مطلية بـ SiC بتقنية الترسيب الكيميائي للبخار (CVD) لنمو السيليكون الطبقي (Si Epi)

صُممت مكوناتنا من مُستقبِلات السيليكون المُغطاة بطبقة من كربيد السيليكون (SiC) بتقنية الترسيب الكيميائي للبخار (CVD) بدقة عالية لأنظمة ترسيب السيليكون أحادي الرقاقة وأنظمة الدفعات، حيث توفر هذه المكونات تجانسًا حراريًا فائقًا وانعدامًا تامًا لانبعاث الغازات. تُغلف طبقة طلاء β-SiC المكعبة عالية الكثافة ركيزة الجرافيت عالية النقاء تغليفًا كاملًا، مما يمنع التآكل الناتج عن الغازات التفاعلية (SiH₄، SiH₂Cl₂، HCl) ويضمن مستويات منخفضة للغاية من الشوائب المعدنية (< 5 جزء في المليون) أثناء معالجة السيليكون بتقنية الترسيب الكيميائي للبخار عند درجات حرارة عالية (1000-1200 درجة مئوية).