Rivestimentu SiC / Substratu di grafite rivestitu / Vassoio per semiconduttori

Rivestimentu SiC / Substratu di grafite rivestitu / Vassoio per semiconduttore Immagine presentata

Descrizzione corta:

U suscettore di grafite rivestitu di SiC VET Energy per a crescita epitassiale hè un pruduttu d'altu rendimentu cuncipitu per furnisce prestazioni consistenti è affidabili per un periodu prolongatu. Hà una resistenza à u calore è uniformità termica super bona, alta purezza, resistenza à l'erosione, chì ne face a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazione di wafer.

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Rivestimentu di SiC / rivestitu di suscettore di grafite per semiconduttori

USubstratu di grafite rivestitu di SiChè una suluzione assai durevule è efficiente cuncipita per risponde à e rigorose esigenze di l'industria di trasfurmazione di semiconduttori. Presenta un stratu di alta purezzarivestimentu di carburo di siliciu (SiC), stu sustratu offre una stabilità termica eccezziunale, resistenza à l'ossidazione è una durata di vita prolungata, ciò chì u rende ideale per applicazioni in prucessi MOCVD, porta-wafer di grafite è altri ambienti à alta temperatura.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
·Utilizzabile sottu atmosfera ossidante

Applicazione:

Caratteristiche è vantaghji di u produttu:

1. Resistenza Termica Superiore:Cù una alta purezzaRivestimentu in SiC, u sustratu resiste à temperature estreme, assicurendu prestazioni consistenti in ambienti esigenti cum'è l'epitaxia è a fabricazione di semiconduttori.

2. Durabilità Migliorata:I cumpunenti di grafite rivestiti di SiC sò cuncepiti per resistere à a corrosione chimica è à l'ossidazione, aumentendu a durata di vita di u substratu paragunatu à i substrati di grafite standard.

3. Grafite rivestita di vetru:A struttura vitrea unica di uRivestimentu in SiCfurnisce una durezza superficiale eccellente, minimizendu l'usura durante a trasfurmazione à alta temperatura.

4. Rivestimentu di SiC d'alta purezza:U nostru sustratu assicura una contaminazione minima in i prucessi di semiconduttori sensibili, offrendu affidabilità per l'industrie chì richiedenu una purezza di materiale rigorosa.

5. Applicazione di u mercatu largu:USuscettore di grafite rivestitu di SiCU mercatu cuntinueghja à cresce cù l'aumentu di a dumanda di prudutti rivestiti di SiC avanzati in a fabricazione di semiconduttori, pusiziunendu stu sustratu cum'è un attore chjave sia in u mercatu di i purtatori di wafer di grafite sia in u mercatu di i vassoi di grafite rivestiti di carburo di siliciu.

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

Densità apparente:	1,85 g/cm³
Resistività elettrica:	11 μΩm
Resistenza à a flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Cendra:	<5 ppm
Cunduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprietà fisiche basiche di CVD SiCrivestimentu
性质 / Pruprietà	典型数值 / Valore tipicu
晶体结构 / Crystal Structure	FCC β phase 多晶，主要为（111）取向
密度 / Densità	3,21 g/cm³
硬度 / Durezza	2500 维氏硬度（500g di carica）
晶粒大小 / Grain Size	2~10μm
纯度 / Purezza chimica	99,99995%
热容 / Capacità di calore	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperature di sublimazione	2700 ℃
抗弯强度 / Forza à a flessione	415 MPa RT à 4 punti
杨氏模量 / Young's Modulus	Curvatura 430 Gpa 4pt, 1300℃
导热系数 / Conduttività termica	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Thermal Expansion (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1

VET Energy hè u veru fabricatore di prudutti persunalizati in grafite è carburo di siliciu cù diversi rivestimenti cum'è u rivestimentu SiC, u rivestimentu TaC, u rivestimentu di carbone vetroso, u rivestimentu di carbone piroliticu, ecc., pò furnisce diverse parti persunalizate per l'industria di semiconduttori è fotovoltaica.

A nostra squadra tecnica vene da e migliori istituzioni di ricerca domestiche, pò furnisce suluzioni di materiale più prufessiunali per voi.

Sviluppemu continuamente prucessi avanzati per furnisce materiali più avanzati, è avemu elaboratu una tecnulugia brevettata esclusiva, chì pò fà chì u ligame trà u rivestimentu è u substratu sia più strettu è menu propensu à u distaccu.

Vi benvenuti à visità a nostra fabbrica, parlemu più in dettagliu!