Susceptor Barel Grafit Epitaksial

Susceptor Barel Grafit Epitaksial

Susceptor Barel Grafit Epitaksialadalah perangkat pendukung dan pemanas yang dirancang khusus yang digunakan untuk menahan dan memanaskan substrat semikonduktor selama proses manufaktur seperti proses Deposisi atau Epitaksi.

Strukturnya biasanya berbentuk silinder atau sedikit seperti tong, permukaannya memiliki banyak kantong atau platform untuk menempatkan wafer, bisa berbentuk padat atau berongga, tergantung pada metode pemanasan.

Fungsi utama dari susceptor epitaxial barrel:

1. Pembawa Wafer dan Kontrol Suhu
Permukaan susceptor dirancang dengan beberapa kantong wafer (seperti susunan heksagonal atau oktagonal), yang dapat mendukung 6-15 wafer secara bersamaan. Konduktivitas termal yang tinggi dari grafit dengan kemurnian tinggi (120-150W/mK) memastikan perpindahan panas yang cepat, dikombinasikan dengan fungsi rotasi (5-20 RPM), menghasilkan deviasi suhu permukaan wafer <± 1 ℃ dan keseragaman ketebalan lapisan epitaksial <1%.

2. Optimasi arah aliran gas reaktan
Mikrostruktur permukaan susceptor dapat memecah efek lapisan batas, sehingga memungkinkan distribusi gas reaksi yang seragam (seperti SiH4, NH3) dan meningkatkan konsistensi laju pengendapan.

3. Perlindungan anti polusi dan anti korosi
Substrat grafit rentan terhadap dekomposisi dan melepaskan kotoran logam (seperti Fe,Ni) pada suhu tinggi, sementara lapisan CVD SiC setebal 100μm dapat membentuk penghalang padat untuk menekan penguapan grafit, sehingga menghasilkan tingkat cacat wafer <0,1 cacat/cm².

Aplikasi:
-Terutama digunakan untuk pertumbuhan epitaksial silikon
-Juga berlaku untuk epitaksi bahan semikonduktor lainnya seperti GaAs, InP, dll.

VET Energy menggunakan grafit kemurnian tinggi dengan lapisan CVD-SiC untuk meningkatkan stabilitas kimia:

1. Bahan grafit dengan kemurnian tinggi
Konduktivitas termal yang tinggi: konduktivitas termal grafit tiga kali lipat dari silikon, yang dapat dengan cepat mentransfer panas dari sumber pemanas ke wafer dan mempersingkat waktu pemanasan.
Kekuatan mekanik: Kepadatan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g/cm³, mampu menahan suhu tinggi di atas 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Pelapisan CVD SiC
Lapisan β - SiC terbentuk pada permukaan grafit melalui deposisi uap kimia (CVD), dengan kemurnian ≥ 99,99995%, kesalahan keseragaman ketebalan lapisan kurang dari ± 5%, dan kekasaran permukaan kurang dari Ra0,5um.

3. Peningkatan kinerja:
Tahan terhadap korosi: dapat menahan gas korosif tinggi seperti Cl2, HCl, dll., dapat memperpanjang umur epitaksi GaN hingga tiga kali lipat di lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koefisien ekspansi termal (4,5 × 10-6/℃) sesuai dengan grafit untuk menghindari retaknya lapisan yang disebabkan oleh fluktuasi suhu.
Kekerasan dan Ketahanan Aus: Kekerasan Vickers mencapai 28 GPa, yang 10 kali lebih tinggi dari grafit dan dapat mengurangi risiko goresan wafer.