Susceptor Barel Grafit Epitaksial

Susceptor Barel Grafit Epitaksial

Susceptor Barel Grafit Epitaksialadalah perangkat pendukung dan pemanas yang dirancang khusus untuk menahan dan memanaskan substrat semikonduktor selama proses manufaktur seperti proses Deposisi atau Epitaksi.

Strukturnya biasanya berbentuk silinder atau sedikit seperti tong, permukaannya memiliki banyak kantong atau platform untuk menempatkan wafer, dan dapat berupa desain padat atau berongga, tergantung pada metode pemanasannya.

Fungsi utama susceptor barel epitaksial:

1. Pembawa Wafer dan Kontrol Suhu
Permukaan susceptor dirancang dengan beberapa kantong wafer (seperti susunan heksagonal atau oktagonal), yang dapat menampung 6-15 wafer secara bersamaan. Konduktivitas termal tinggi dari grafit kemurnian tinggi (120-150 W/mK) memastikan perpindahan panas yang cepat, dikombinasikan dengan fungsi rotasi (5-20 RPM), menghasilkan deviasi suhu permukaan wafer <± 1 ℃ dan keseragaman ketebalan lapisan epitaksial <1%.

2. Optimalisasi arah aliran gas reaktan
Mikrostruktur permukaan susceptor dapat memecah efek lapisan batas, memungkinkan distribusi gas reaksi (seperti SiH4, NH3) yang seragam dan meningkatkan konsistensi laju deposisi.

3. Perlindungan anti polusi dan anti korosi
Substrat grafit rentan terhadap dekomposisi dan melepaskan pengotor logam (seperti Fe, Ni) pada suhu tinggi, sedangkan lapisan SiC CVD setebal 100μm dapat membentuk penghalang padat untuk menekan penguapan grafit, sehingga menghasilkan tingkat cacat wafer <0,1 cacat/cm².

Aplikasi:
-Terutama digunakan untuk pertumbuhan epitaksial silikon
-Juga berlaku untuk epitaksi bahan semikonduktor lainnya seperti GaAs, InP, dll.

VET Energy menggunakan grafit dengan kemurnian tinggi yang dilapisi CVD-SiC untuk meningkatkan stabilitas kimia:

1. Bahan grafit dengan kemurnian tinggi
Konduktivitas termal tinggi: konduktivitas termal grafit tiga kali lipat dari silikon, yang dapat dengan cepat mentransfer panas dari sumber pemanas ke wafer dan mempersingkat waktu pemanasan.
Kekuatan mekanik: Kepadatan grafit tekanan isostatik ≥ 1,85 g/cm³, mampu menahan suhu tinggi di atas 1200 ℃ tanpa deformasi.

2. Pelapisan SiC CVD
Lapisan β-SiC dibentuk pada permukaan grafit melalui pengendapan uap kimia (CVD), dengan kemurnian ≥ 99,99995%, kesalahan keseragaman ketebalan lapisan kurang dari ±5%, dan kekasaran permukaan kurang dari Ra0,5um.

3. Peningkatan kinerja:
Ketahanan terhadap korosi: dapat menahan gas korosif tinggi seperti Cl2, HCl, dll., dapat memperpanjang umur epitaksi GaN hingga tiga kali lipat dalam lingkungan NH3.
Stabilitas termal: Koefisien ekspansi termal (4,5 × 10⁻⁶/℃) sesuai dengan grafit untuk menghindari keretakan lapisan yang disebabkan oleh fluktuasi suhu.
Kekerasan dan Ketahanan Aus: Kekerasan Vickers mencapai 28 GPa, yang 10 kali lebih tinggi daripada grafit dan dapat mengurangi risiko goresan pada wafer.