ÇAWANIYA ÇÊKIRINA WAFEREKE SÎLÎKONÊ

ÇAWANIYA ÇÊKIRINA WAFEREKE SÎLÎKONÊ

A waferperçeyek ji silîkonê ye ku bi qasî 1 mîlîmetre stûr e û bi saya prosedurên ku ji hêla teknîkî ve pir dijwar in, rûyek pir dûz heye. Bikaranîna paşê diyar dike ka kîjan prosedurên mezinbûna krîstalê divê werin bikar anîn. Mînakî, di pêvajoya Czochralski de, silîkona polîkrîstalîn tê helandin û krîstalek tovê zirav bi qasî qelemê tê nav silîkona helandî. Dûv re krîstala tovê tê zivirandin û hêdî hêdî ber bi jor ve tê kişandin. Kolosusek pir giran, monokrîstalek, çêdibe. Mimkun e ku taybetmendiyên elektrîkê yên monokrîstalê bi zêdekirina yekîneyên piçûk ên dopantên paqijiya bilind werin hilbijartin. Krîstal li gorî taybetmendiyên xerîdar têne dopkirin û dûv re têne cilandin û di perçeyan de têne birîn. Piştî gelek gavên hilberînê yên din, xerîdar waferên xwe yên diyarkirî di pakêtek taybetî de werdigire, ku dihêle xerîdar waferê tavilê di xeta hilberîna xwe de bikar bîne.

PÊVAJOYA ÇOCHRALSKI

Îro, beşek mezin ji monokrîstalên silîkonê li gorî pêvajoya Czochralski têne çandin, ku tê de helandina silîkona polîkrîstalîn a paqijiya bilind di nav xaçerêyek kuartzê ya hîperpaqij de û zêdekirina dopantê (bi gelemperî B, P, As, Sb) heye. Krîstaleke tovê monokrîstal a zirav tê avêtin nav silîkona heliyayî. Dûv re ji vê krîstala zirav krîstaleke CZ ya mezin pêş dikeve. Rêkxistina rast a germahî û herikîna silîkona heliyayî, zivirîna krîstal û xaçerêyê, û her weha leza kişandina krîstalê dibe sedema îngotek silîkona monokrîstal a bi kalîte pir bilind.

RÊBAZA HERÊMA AVÊTINÊ

Monokrîstalên ku li gorî rêbaza herêma float têne çêkirin, ji bo karanîna di pêkhateyên nîvconductor ên hêzê de, wekî IGBT, îdeal in. Qelîçeyek silîkonî ya polîkrîstalîn a silindirî li ser bobînek enduksiyonê tê danîn. Qadeke elektromagnetîk a frekansa radyoyê dibe alîkar ku silîkonê ji beşa jêrîn a çîpê bihelîne. Qada elektromagnetîk herikîna silîkonê bi rêya qulikek piçûk di bobîna enduksiyonê de û ber bi monokrîstalê ve ku li jêr e rêk dixe (rêbaza herêma float). Dopkirin, bi gelemperî bi B an P, bi zêdekirina madeyên gazê tê bidestxistin.