QUOMODO FACIATUR OBULE SILICONE
A crustulum"sectio" est frustum silicii circiter unum millimetrum crassum, superficiem planissimam praeditum, ob rationes technicas difficillimas. Usus subsequens determinat quae ratio crescendi crystalli adhibenda sit. In processu Czochralski, exempli gratia, silicium polycrystallinum liquefacitur et crystallum seminale tenuissimum in silicium liquefactum immergitur. Deinde crystallum seminale rotatur et lente sursum trahitur. Colossus gravissimus, monocrystallus, resultat. Proprietates electricas monocrystalli eligere licet addendo parvas unitates dopantium altae puritatis. Crystalli secundum specificationes emptoris dopantur, deinde poliuntur et in frusta secantur. Post varios gradus productionis additionales, emptor laminas suas specificatas in involucris specialibus accipit, quod permittit emptori laminam statim in linea productionis uti.
Processus Czochralskianus
Hodie, magna pars monocrystallorum silicii secundum processum Czochralskianum crescit, qui liquefactionem silicii polycrystallini altae puritatis in crucibulo quarzi hyperpuri et additionem dopantis (plerumque B, P, As, Sb) implicat. Crystallum seminale tenue, monocrystallinum, in silicium liquefactum immergitur. Deinde magnum crystallum CZ ex hoc tenui crystallo oritur. Regulatio accurata temperaturae et fluxus silicii liquefacti, rotationis crystalli et crucibuli, necnon celeritatis extractionis crystalli, massam silicii monocrystallini summae qualitatis efficit.
METHODUS ZONAE FLOTANTIS
Monocrystalla secundum methodum zonae fluctuantis fabricata ad usum in componentibus semiconductorum potentiae, ut puta IGBT, aptissima sunt. Massa silicii polycrystallina cylindrica super bobinam inductionis ponitur. Campus electromagneticus radiofrequentiae adiuvat ad liquefaciendum silicium ex parte inferiore virgae. Campus electromagneticus fluxum silicii per foramen parvum in bobina inductionis et in monocrystallum quod subiacet regulat (methodus zonae fluctuantis). Dopatio, plerumque cum B vel P, per additionem substantiarum gaseosarum efficitur.
Tempus publicationis: VII Iun. MMXXI